• 제목/요약/키워드: CMOS Receiver

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디지털 데이터 슬라이서가 집적된 900 MHz 대역의 RFID 수신단 (A 900 MHz RFID Receiver with an Integrated Digital Data Slicer)

  • 조영아;김동현;김남형;이재성
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제26권1호
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    • pp.63-70
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    • 2015
  • 본 논문에서는 $0.11{\mu}m$ CMOS 공정을 이용한 900 MHz 대역의 RFID 통신 수신단을 제안한다. 본 RFID 수신단은 포락선 검출기와 저역 통과 필터, 비교기와 D-플립플롭, 그리고 디지털 블록의 클록을 공급하기 위한 발진기가 집적된 형태이며, 저전력으로 구동하도록 설계하여 수동 RFID 통신용 태그에 적합하게 하였다. 본 수신단은 종래의 아날로그 데이터 슬라이서가 아닌 디지털 데이터 슬라이서를 사용함으로써 전력 소모를 줄였다. 클록의 주파수는 1.68 MHz이고, 소비전력은 $5{\mu}W$이며, 제작된 회로의 크기는 측정 패드를 제외하고 $325{\mu}m{\times}290{\mu}m$이다.

모바일 디스플레이 디지털 인터페이스용 저전력 고속 수신기 회로의 설계 (Design of Low-Power and High-Speed Receiver for a Mobile Display Digital Interface)

  • 이천효;김정훈;이재형;김려연;윤용호;장지혜;강민철;이용진;하판봉;김영희
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제13권7호
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    • pp.1379-1385
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    • 2009
  • 본 논문에서는 모바일 디스플레이 디지털 인터페이스용 저전력 고속 수신기 회로를 제안하였다. 새롭게 제안된 저전력 수신기 회로는 바이어스 전류인 싱크 전류와 소스 전류를 공급전압, 공정, 온도 및 공통 모드 입력 전압의 변 동에 대해 둔감하도록 설계되었다. 3.0V${\sim}$3.6V의 전원전압과 -40${\sim}$85$^{\circ}$C의 온도에서 450Mbps 이상의 고속 데이터 수신이 가능하다. 그리고 모의 실험결과 소모전류는500${\mu}$A 이하이다. 테스트 칩은 매그나칩 0.35${\mu}$m CMOS 공정을 이용하여 제작되었으며, 테스터 결과 데이터 수신기 회로와 데이터 복원 회로가 정상적으로 동작하는 것을 확인하였다.

IMT-2000용 CMOS 저잡음증폭기 설계 (CMOS Low Noise Amplifier Design for IMT-2000)

  • 김신철;이상국
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2000년도 추계종합학술대회 논문집(1)
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    • pp.333-336
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    • 2000
  • This paper describes a CMOS low noise amplifier (LNA) with bias current reusing architecture intended lot use in the front-end of IMT-2000 receiver. It has been implemented in a 0.35$\mu\textrm{m}$ CMOS process with two poly and four metal layers. In order to accuracy of simulation, we considered a bonding wire and a pad effect and used the measurements of capacitors and on-chip inductors which implemented in the same process. The LNA has a forward gain (S21) of 17 ㏈ and a noise fjgure of 1.26 ㏈. And it has a third-order intermodulation intercept point (IP3) of +3.15 ㏈m and a 1㏈ compression point (P1㏈) of -16 ㏈m, input referred, respectively. The power consumption is 19 ㎽ from a 3V supply.

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2.5Gbps 시리얼 데이터 링크 CMOS 트랜시버의 설계 (Design of a 2.5Gbps Serial Data Link CMOS Transceiver)

  • 이흥배;오운택;소병춘;황원석;김수원
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
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    • pp.1185-1188
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    • 2003
  • This paper describes a design for a 2.5Gb/s serial data link CMOS transceiver based on the InfiniBand$^{TM}$ specification. The transceiver chip integrates data serializer, line driver, Tx PLL, deserializer, clock recovery, and lock detector. The designed transceiver is fabricated in a 0.25 ${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS mixed-signal, 1-poly, 5-metal process. The first version chip occupies a 3.0mm x 3.3mm area and consumes 450mW with 2.5V supply. In 2.5 Gbps, the output jitter of transmitter measured at the point over a 1.2m, 50Ω coaxial cable is 8.811ps(rms), 68ps(p-p). In the receiver, VCO jitter is 18.5ps(rms), 130ps(p-p), the recovered data are found equivalent to the transmitted data as expected. In the design for second version chip, the proposed clock and data recovery circuit using linear phase detector can reduce jitter in the VCO of PLL.L.

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Design and Implementation of Variable-Rate QPSK Demodulator from Data Flow Representation

  • Lee, Seung-Jun
    • Journal of Electrical Engineering and information Science
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    • 제3권2호
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    • pp.139-144
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    • 1998
  • This paper describes the design of a variable rate QPSK demodulator for digital satellite TV system. This true variable-rate demodulator employs a unique architecture to realize an all digital synchronization and detection algorithm. Data-flow based design approach enabled a seamless transition from high level design optimization to physical layout. The demodulator has been integrated with Viterbi decoder, de-interleaver, and Ree-Solomon decoder to make a single chip Digital Video Broadcast (DVB) receiver. The receiver IC has been fabricated with a 0.5mm CMOS TLM process and proved fully functional in a real-world set-up.

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Design of 250-Mb/s Low-Power Fiber Optic Transmitter and Receiver ICs for POF Applications

  • Park, Kang-Yeob;Oh, Won-Seok;Choi, Jong-Chan;Choi, Woo-Young
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제11권3호
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    • pp.221-228
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    • 2011
  • This paper describes 250-Mb/s fiber optic transmitter and receiver ICs for plastic optical fiber applications using a$ 0.18-{\mu}m$ CMOS technology. Simple signal and light detection schemes are introduced for power reduction in sleep mode. The transmitter converts non-return-to-zero digital data into 650-nm visible-red light signal and the receiver recovers the digital data from the incident light signal through up to 50-m plastic optical fiber. The transmitter and receiver ICs occupy only 0.62 $mm^2$ of area including electrostatic discharge protection diodes and bonding pads. The transmitter IC consumes 23 mA with 20 mA of LED driving currents, and the receiver IC consumes 16 mA with 4 mA of output driving currents at 250 Mb/s of data rate from a 3.3-V supply in active mode. In sleep mode, the transmitter and receiver ICs consume only 25 ${\mu}A$ and 40 ${\mu}A$, respectively.

Compact 2.5 Gb/s Burst-Mode Receiver with Optimum APD Gain for XG-PON1 and GPON Applications

  • Kim, Jong-Deog;Le, Quan;Lee, Mun-Seob;Yoo, Hark;Lee, Dong-Soo;Park, Chang-Soo
    • ETRI Journal
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    • 제31권5호
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    • pp.622-624
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    • 2009
  • This letter presents a compact 2.5 Gb/s burst-mode receiver using the first reported monolithic amplifier IC developed with 0.25 ${\mu}m$ SiGe BiCMOS technology. With optimum avalanche photodiode gain, the receiver module can obtain a fast response, high sensitivity and wide dynamic range, satisfying the overhead timing and various power specifications for a 2.5 Gb/s next-generation passive optical network (PON), as well as a legacy 1.25 Gb/s PON in the upstream.

An Inductive-coupling Link with a Complementary Switching Transmitter and an Integrating Receiver

  • Jeong, Youngkyun;Kim, Hyun-Ki;Kim, Sang-Hoon;Kwon, Kee-Won;Chun, Jung-Hoon
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제14권2호
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    • pp.227-234
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    • 2014
  • A transceiver for a high-speed inductive-coupling link is proposed. The bi-phase modulation (BPM) signaling scheme is used due to its good noise immunity. The transmitter utilizes a complementary switching method to remove glitches in transmitted data. To increase the timing margin on the receiver side, an integrating receiver with a pre-charging equalizer is employed. The proposed transceiver was implemented via a 130-nm CMOS process. The measured timing window for a $10^{-12}$ bit error rate (BER) at 1.8 Gb/s was 0.33 UI.

다중위상필터(Poly Phase Filter)를 이용한 VHF용 Low-IF 수신기 설계 (A Fully Integrated Low-IF Receiver using Poly Phase Filter for VHF Applications)

  • 김성도;박동운;오승엽
    • 한국통신학회논문지
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    • 제35권5A호
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    • pp.482-489
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    • 2010
  • 본 논문에서는 RF PPF(Poly Phase Filter)를 이용하는 이미지 제거회로에서 광대역의 모든 RF 신호를 한꺼번에 Quadrature 신호로 변환시키는 기존 구조와 다르게 광대역의 RF 신호를 여러 개의 협대역(Narrow band)으로 세분화시켜 Quadrature 신호로 변환시키는 새로운 구조의 주파수 가변형 협대역 DQ-IRM(Double-Quadrature Image Rejection Mixer) 구조를 제안하였다. 기저대역에서 선택한 채널과 그 인접 2-3개 채널이 포함된 협대역 RF 신호만을 선택적으로 Quadrature 신호로 변환시키는 이 구조는 RF PPF의 차수를 줄일 수 있기 때문에 낮은 경로손실 특성과 높은 이미지제거 성능을 동시에 구현이 가능하다. 제안한 DQ-IRM를 이용하여 지상파 디지털멀티미디어방송(Terrestrial Digital Multimedia Broadcasting, T-DMB) 수신용 CMOS RF 튜너 칩을 설계하고 그 성능을 검증하였다. 설계된 CMOS RF 튜너 칩은 CMOS 0.18 um 테크놀로지를 이용하였으며, 170-240 MHz 주파수대역에서 약 1.26 dB의 잡음특성과 약 51 dB 이상의 이미지제거 성능을 얻었다. 설계된 칩 사이즈는 $3.0{\times}1.8mm2$이며, 총 소모전력은 동작전압 1.8 V에서 55.8 mW이다.

13-Gbps 저스윙 저전력 니어-그라운드 시그널링 트랜시버 (A 13-Gbps Low-swing Low-power Near-ground Signaling Transceiver)

  • 구자현;배봉호;김종선
    • 전자공학회논문지
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    • 제51권4호
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    • pp.49-58
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    • 2014
  • 본 논문에서는 저전력 고속 모바일 I/O 인터페이스를 위한 저스윙 차동 니어-그라운드 시그널링 (NGS) 트랜시버를 소개한다. 제안하는 트랜스미터는 온-칩 레귤레이터로 정류된 프로그래머블한 스윙을 가지는 전압-모드 드라이버와 비대칭 상승/하강시간을 가지는 전단드라이버를 사용한다. 제안하는 리시버는 고주파이득을 신장시키는 피드-포워드 커패시터를 이용한 새로운 다중경로이득 차동앰프를 사용한다. 또한, 이 리시버는 가변적인 트랜스미터 출력스윙에 의한 입력 공통모드 변화를 보상하며, 리시버 입력단 증폭기의 전류 미스매치를 최소화하기 위하여 새로운 적응형 바이어스 생성기를 포함한다. 트랜스미터와 리시버에 적용된 새로운 간단하고 효과적인 임피던스 매칭 기술들의 사용으로 우수한 시그널 인테그리티와 높은 파워 효율을 이뤄냈다. 65 nm CMOS 공정으로 설계된 제안하는 트랜시버는 10 cm 길이의 FR4 PCB에서 채널당 13 Gbps의 전송속도와 0.3 pJ/bit (= 0.3 mW/Gbps)의 높은 파워 효율을 갖는다.