• 한국결정학회:학술대회논문집
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• 한국결정학회 2002년도 정기총회 및 추계학술연구발표회
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• pp.15-15
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• 2002

Homogeneous and crack-free potassium lithium niobate (K₃Li/sub 2-x/Nb/sub 5+x/O/sub 15/, 0＜x＜0.5, KLN) single crystals were successfully grown by the Czochralski technique. The KLN single crystals of several different compositions were employed for the investigation of the lattice vibration spectra using infrared Raman spectroscopy. The characteristic Raman spectra of the [NbO/sub 6/]/sup 7-/ octahedral ions were strikingly influenced by the Li ion content. The symmetric stretch vibrational modes V₁, V₂ are broadened, and the symmetric bend vibration mode V/sub 5/ is broadened and even split into three peaks with increasing the Li content, supporting that the bend vibration modes of the [NbO/sub 6/]/sup 7-/ octahedrons are obviously perturbed by Li ions in the C site. Enhanced Raman peak intensities after the post annealing at 900℃ and for 24 h evidenced that a residual stress in as-grown crystals was negligible and only a defect concentration might be reduced.

• 한국진공학회지
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• 제17권3호
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• pp.220-225
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• 2008

본 실험은 P(VDF-TrFE) 공중합체 박막을 제조하고 압전특성을 검토하는데 있다. 또한 압전 특성 분석에서 압전 계수 $d_{33}$와 압전 전압 계수 $g_{33}$는 증착 온도가 $260{\sim}300^{\circ}C$ 까지는 32.3pC/N에서 36.28pC/N, $793{\times}10^{-3}V{\cdot}m/N$에서 $910.5{\times}10^{-3}V{\cdot}m/N$으로 증가하는 경향을 나타내었다. 이상의 실험 결과로 $300^{\circ}C$의 온도에서 P(VDF-TrFE) 공중합체 박막을 제조 할 때 최적의 특성이 나타남을 알 수 있었다. 반면에 증착온도가 $320^{\circ}C$에서 증착한 경우에는 각각 25.3pC/N, $680.3{\times}10^{-3}V{\cdot}m/N$으로 감소하였다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제55권1호
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• pp.16-19
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• 2006

The characteristic of negative differential resistance(NDR) is decreased current when the applied voltage is increased. The NDR is potentially very useful in molecular electronics device schemes. Here, we investigated the NDR characteristic of self-assembled 4,4'-di(ethynylphenyl)-2'-nitro-1-benzenethiolate, which has been well known as a conducting molecule. Self-assembly monolayers(SAMs) were prepared on Au(111), which had been thermally deposited onto $pre-treatment(H_2SO_4:H_2O_2=3:1)$ Si. The Au substrate was exposed to a 1 mM/1 solution of 1-dodecanethiol in ethanol for 24 hours to form a monolayer. After thorough rinsing the sample, it was exposed to a 0.1 ${\mu}M/l$ solution of 4.4'-di(ethynylphenyl)-2'-nitro-1-(thioacetyl)benzene in dimethylformamide(DMF) for 30 min and kept in the dark during immersion to avoid photo-oxidation. After the assembly, the samples were removed from the solutions, rinsed thoroughly with methanol, acetone, and $CH_2Cl_2,$ and finally blown dry with N_2. Under these conditions, we measured electrical properties of self-assembly monolayers(SAMs) using ultra high vacuum scanning tunneling microscopy(UHV-STM). The applied voltages were from -2 V to +2 V with 298 K temperature. The vacuum condition was $6{\time}10^{-8}$ Torr. As a result, we found the NDR voltage of the 4,4'-di(ethynylphenyl)-2'-nitro-1-benzenethiolate were $-1.61{\pm}0.26$ V(negative region) and $1.84{\pm}0.33$ V(positive region). respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 제4회 영호남학술대회 논문집
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• pp.41-46
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• 2002

본 논문은 냉, 난방 디지털 온도 조절계(SPC 50)의 Etl의 편차 정 동작에 관한 구현장치 제작과 비례 미.적분기가 At 및 비 At기능에서 설정온도를 $100^{\circ}C$를 유지하는데 기인된 전압전류 및 전력데이터 획득의 요인과 비례미적분 정수 및 노 개선점을 연구하였다. 설정온도를 유지하는 온도변화는 At기능에서 $96.7^{\circ}C\sim102^{\circ}C$ 이며, 비At 기능에서는 $97.6^{\circ}C\sim100.2^{\circ}C$이었다. 온도유지 전압변동은 At기능에서 2V~217V이며, 비 At기능에서 20V~217V 이었다. At와 비 At 기능에서 설정온도 $100^{\circ}C$을 유지하는데 온도를 냉각시키는 환풍기가 온. 오프 되는 시간차는 20초 정도 발생하였다. 온도차 및 전압차는 두 기능간에 비례 미. 적분값 설정이 자동 및 수동이냐에 따라서 차이를 보여주었다. 두 기능에서 설정된 온도값 유지에 따른 전압전류의 승압과 하강의 변동된 변환 데이터는 설정된 온도가 성취되어지는 시간차 및 설정값 유지의 특성을 요인으로 한 PID값과 노의 개선점에 길잡이가 된다.

• 전자공학회논문지
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• 제52권4호
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• pp.56-61
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• 2015

고주파에서 이상적인 커패시턴스-전압 곡선과 결함이 존재하여 늘어진 커패시턴스-전압 곡선을 SiGe p-FinFET 시뮬레이션을 이용하여 보였다. 두 곡선이 게이트 전압 축으로 늘어진 전압 차이를 이용하여 평균적인 계면 결함 밀도를 구할 수 있었다. 또한 같은 특성을 이용하는 Terman의 방법으로 에너지에 따른 계면 결함 밀도를 추출하고, 동일한 에너지 구간에서 평균값을 구하였다. 전압 차이로 구한 평균 계면 결함 밀도를 Terman의 방법으로 구한 평균값과 비교하여, 두 방법의 결과가 거의 비슷한 평균 계면 결함 밀도를 나타낸다는 것을 검증하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2016년도 추계학술대회
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• pp.527-530
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• 2016

본 논문에서는 $0.35-{\mu}m$ standard CMOS 공정에서 낮은 전력을 소모하면서 낮은 전원전압에서 동작하는 곡률보상 기능을 갖는 기준전류/전압 발생 회로를 제안한다. 제안된 회로는 weak-inversion 영역에서 동작하는 MOS 트랜지스터들을 사용함으로써 1V 이하 전원전압에서 동작할 수 있다. 시뮬레이션 결과는 제안되는 곡률보상 기술을 사용하여 기존의 곡률보상 기능이 없는 BGR 회로들처럼 종 모양이 아닌 사인 곡선과 같은 모양을 나타내 작은 TC 값을 보여준다. 제안된 회로들은 모두 0.9V의 전원전압에서 동작한다. 먼저, 기준전압 발생 회로는 176nW 전력을 소모하며, 온도 계수는 $26.4ppm/^{\circ}C$이다. 기준전류 발생 회로는 194.3nW 전력을 소모하며, 온도 계수는 $13.3ppm/^{\circ}C$이다.

• 전자공학회논문지C
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• 제35C권11호
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• pp.57-62
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• 1998

본 논문에서는 넓은 입력 전압 범위에 걸쳐 좋은 선형성을 보여주는 가변 트랜스컨덕터를 제안한다. 제안된 트랜스컨덕터는 선형 영역에서 동작하는 입력 MOS 트랜지스터를 사용하여 회로의 구성이 간단하고 좋은 가변성을 갖고 6.8V/sub p-p/의 넓은 입력범위를 갖는다. 또한 소오스-결합 차동쌍을 이용하여 실질적인 차동입력을 제공하고 정과 부의 트랜스컨덕턴스 값을 제공한다. 제안된 회로는 1.2㎛ single poly double metal n-well CMOS 공정을 사용하여 제작되었다. 제안된 회로의 THD 특성은 V/sub DD/=-V/sub ss/=5V, I/sub B/=20, 40μA이고 입력 신호 주파수가 1KHz일 때 6V/sub p-p/의 차동 입력전압에 대해 1% 미만임을 보여준다.

• 한국정보기술학회 영문논문지
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• 제8권2호
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• pp.59-67
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• 2018

The minimum power supply voltage of a typical bandgap current reference (BGCR) is limited by operating temperature and input common mode range (ICMR) of a feedback amplifier. A new BGCR using a bandgap voltage generator (BGVG) is proposed to minimize the effect of temperature, supply voltage, and process variation. The BGVG is designed with proportional to absolute temperature (PTAT) characteristic, and a feedback amplifier is designed with weak-inversion transistors for low voltage operation. It is verified with a $0.18-{\mu}m$ CMOS process with five corners for MOS transistors and three corners for BJTs. The proposed circuit is superior to other reported current references under temperature variation from $-40^{\circ}C$ to $120^{\circ}C$ and power supply variation from 1.2 V to 1.8 V. The total power consumption is $126{\mu}W$ under the conditions that the power supply voltage is 1.2 V, the output current is $10{\mu}A$, and the operating temperature is $20^{\circ}C$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.354-357
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• 2002

Thermally grown gate oxide on 4H-SiC wafer was investigated. The oxide layers were grown at l150$^{\circ}C$ varying the carrier gas and post activation annealing conditions. Capacitance-Voltage(C-V) characteristic curves were obtained and compared using various gate electrode such as Al, Ni and poly-Si. The interface trap density can be reduced by using post oxidation annealing process in Ar atmosphere. All of the samples which were not performed a post oxidation annealing process show negative oxide effective charge. The negative oxide effective charges may come from oxygen radical. After the post oxidation annealing, the oxygen radicals fixed and the effective oxide charge become positive. The effective oxide charge is negative even in the annealed sample when we use poly silicon gate. Poly silicon layer was dope by POCl$_3$ process. The oxide layer may be affected by P ions in poly silicon layer due to the high temperature of the POCl$_3$ doping process.

• 한국진공학회지
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• 제18권3호
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• pp.221-228
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• 2009

본 논문의 목적은 진공증착법을 이용한 $\beta$-PVDF($\beta$-Polyvinylidene fluoride) 유기 박막의 제조와 제조된 유기 박막의 초음파 응답 특성을 연구하는데 있다. 진공 증착은 증발원 온도 $270^{\circ}C$, 인가 전계 142.4kV/cm, 진공도 $2.0{\times}10^{-5}Torr$에서 실시하였다. 기판온도의 증가에 따라서 결정화도는 47%에서 67.8%로 증가함을 알 수 있었다. 초음파 응답특성에서 거리를 1cm에서 100cm로 변화시켰을 경우, 출력전압은 0.615V에서 0.4V로 감소하였다.