${\alpha}-V_2O_5$ nanorods were grown by means of electron beam irradiation and thermal oxidation methods and the visible emission properties of the nanorods grown by both methods were investigated. The growth and crystallinity of the nanorods were greatly enhanced by the insertion of a buffer layer. The emission spectra of the nanorods grown by thermal oxidation and electron beam irradiation showed a peak centered at 710~720 nm, which is believed to be due to oxygen vacancies introduced during the growth process. Also, the emission peak centered at 530 nm observed in the $V_2O_5$ nanorods grown by electron beam irradiation was considered to be due to the band edge transition as a result of the enhanced crystallinity.
본 논문은 CMOS 디지털 회로에서 글리치(glitch)에 의해 발생하는 전력소모를 줄이기 위한 효율적인 휴리스틱 알고리즘을 제시한다. 제안된 알고리즘은 사이징되는 게이트의 위치와 양에 따라 게이트 사이징을 세 가지 type으로 분류한다. 또한 버퍼삽입은 삽입되는 버퍼의 위치에 따라서 두 가지 type으로 분류한다. 글리치 제거 효과를 극대화하기 위해서 비용과 이득의 상관관계를 고려하여 하나의 최적화 과정 안에서 세 가지 type의 게이트 사이징과 두 가지 type의 버퍼삽입을 혼합한다. 제안된 알고리즘은 0.5$\mu\textrm{m}$ 표준 셀 라이브러리(standard cell library)를 이용한 LGSynth91 벤치마크 회로에 대한 테스트 결과 효율성을 검증하였다. 실험결과는 평균적으로 69.98%의 글리치 감소와 28.69%의 전력감소를 얻을 수 있었으며 이것은 독립적으로 적용된 게이트 사이징과 버퍼 삽입 알고리즘에 의한 것 보다 좋은 결과이다.
VLSI 시스템 설계 단게에서 시스템의 고성능 및 고신뢰성을 보장하는 것이 중용한 요건이 되고 있다. 본 논문은 회로의 긴 경로들과 짧은 경로들 상에 존재하는 구성요소들간의 시간지연들이 타이밍 제약조건들을 만족하도록 최적화시킴으로서 고성능 및 고신뢰도를 동시에 실현할 수 있는 효율적인 알고리즘을 제안한다. 과거에는 VLSI 시스템의 고성능을 실현하기 위한 긴 경로 최적화와 고신뢰도를 실현하기 위한 짧은 경로 최적화를 각각 독립적으로 수행하는 방법들이 제안되었다. 본 논문은 긴 경로들 및 짧은 경로들 상의 시간지연 요소들을 동시에 최적화함으로써 적절한 수행시간과 적은 메모리 요구량의 오버헤드를 허용하는 범위에서 효과적인 단계들로 수행되는 병합 알고리즘을 제안하고자한다. 그리고 제안된 병합 알고리즘의 효율성을 입증하기 위해 벤치마크 회로들을 이용하여 실험 결과들을 보여줄 것이다.
네트워크를 통한 미디어 서비스에 있어 다양한 미디어 서비스의 개발과 사용자들의 요구에 대응하기 위해 사용자와의 상호대화를 할 수 있는 미디어 전달 방법과 연속적인 재생을 보장하기 위한 버퍼정책이 요구된다. 지금까지의 관련된 연구에서는 여러 가지 다양한 방법을 통하여 동기화를 달성하고 있으나 상호대화라는 측면에서는 만족할 만한 해결책을 제시하지 않고 있다. 본 논문에서는 상호대화형 객체(Interactive Object)를 각 미디어 파일에 삽입하고 객체들이 서로의 정보를 이용할 수 있는 함수를 설계하여 동기화와 상호대화성이라는 문제를 해결하며 네트워크에 대한 의존성 때문에 발생하는 불연속적인 재생을 가변 버퍼를 이용함으로써 해결하였다.
무선 통신 및 모바일 기술의 급속한 발전으로 인해 위치 기반 서비스 및 모바일 응용 서비스와 같은 이동 객체에 기반한 다양한 서비스에 대한 요구가 증가하게 되었다. 이를 위해, 본 논문에서는 모바일 응용에서 이동 객체에 대한 다양한 질의 중에서 특히 궤적-기반 질의에 대한 성능을 향상시킬 수 있는 색인 구조를 제안한다. 제안하는 색인 구조는 이동 객체의 궤적-기반 질의를 위해 제안되었던 기존의 TB-tree의 삽입 및 검색 성능의 효율성을 높이기 위해 연결테이블(LinkTable:L-Table)을 유지한다. L-Table은 선행 노드를 한번에 직접 접근하기 위해 이동 객체의 처음 세그먼트와 마지막 세그먼트가 저장된 단말 노드를 가리키는 포인터 정보와 디스크에서의 페이지를 가리키는 페이지 번호를 저장한다. 아울러 시스템의 가용메모리가 제약을 받는 경우에도 일정한 크기의 버퍼를 유지해 색인의 일부만을 메모리에 상주시킬 수 있도록 설계한다. 마지막으로 제안하는 색인 구조의 성능을 평가하기 위하여 다양한 실험 데이타를 이용해 성능 평가를 수행한 결과, 삽입 및 궤적-기반 질의 측면에서 기존의 색인 구조들에 비해 더 나은 성능을 보인다.
본 연구에서는 GIS 응용에서 이동객체의 궤적을 인덱싱하기 위해 기존에 제안되었던 TB(Trajectory-Bundle)-트리의 성능을 개선시킬 수 있는 연결테이블(LinkTable:L-Table) 기반의 확장된 TB-트리(L-Table TB-Tree:LTB-Tree)를 제안하고 아울러 제안하는 색인기법의 성능평가를 위해 다음과 같은 사항을 고려한다. 첫째, 기존의 R*-트리, TB-트리, 그리고 제안하는 LTB-트리를 성능평가 대상으로 선정한다. 둘째, 실험 데이타 집합으로는 랜덤 데이타 집합 및 실제 데이타 집합을 이용한다. 셋째, 시스템의 가용 메모리의 제약을 고려해 메모리 버퍼 크기에 따른 성능평가를 수행한다. 넷째, 다양한 데이타 분포도를 가지고 있는 실험 데이타를 이용하여 성능평가를 수행한다. 마지막으로 삽입성능 및 검색성능(궤적질의 및 영역질의)을 평가한다. 성능평가를 분석한 결과, 제안하는 색인기법이 기존의 색인기법들에 비해 삽입과 궤적질의의 검색 측면에서 더 우수함을 보인다.
Device quality indium tin oxide (ITO) films are deposited on glass substrates and ultra-thin diamond-like carbon films are deposited as a buffer layer on ITO by a pulsed Nd:YAG laser at 355 nm and 532 nm wavelength. ITO films deposited at room temperature are largely amorphous although their optical transmittances in the visible range are > 90%. The resistivity of their amorphous ITO films is too high to enable an efficient organic light-emitting device (OLED), in contrast to that deposited by a KrF laser. Substrate heating at $200^{\circ}C$ with laser wavelength of 355 nm, the ITO film resistivity decreases by almost an order of magnitude to $2{\times}10^{-4}\;{\Omega}\;cm$ while its optical transmittance is maintained at > 90%. The thermally induced crystallization of ITO has a preferred <111> directional orientation texture which largely accounts for the lowering of film resistivity. The background gas and deposition distance, that between the ITO target and the glass substrate, influence the thin-film microstructures. The optical and electrical properties are compared to published results using other nanosecond lasers and other fluence, as well as the use of ultra fast lasers. Molecularly doped, single-layer OLEDs of ITO/(PVK+TPD+$Alq_3$)/Al which are fabricated using pulsed-laser deposited ITO samples are compared to those fabricated using the commercial ITO. Effects such as surface texture and roughness of ITO and the insertion of DLC as a buffer layer into ITO/DLC/(PVK+TPD+$Alq_3$)/Al devices are investigated. The effects of DLC-on-ITO on OLED improvement such as better turn-on voltage and brightness are explained by a possible reduction of energy barrier to the hole injection from ITO into the light-emitting layer.
본 논문에서는 소모 전력을 최소화하기 위한 FPGA 알고리즘을 제안하였다. 제안한 알고리즘은 FPGA를 구성하고 있는 CLB에 맞도록 회로 분할을 수행하여 매핑 가능 클러스터를 생성한다. 매핑 가능 클러스터는 글리치 제거 방법을 이용하여 소모전력을 감소시킨다. 글리치 제거는 매핑 가능 클러스터의 내부에 대해 신호의 흐름을 분석하여 글리치가 발생될 수 있는 경로에 지연 버퍼 삽입 방법을 이용하여 제거한다. 매핑 가능 클러스터에 대한 글리치를 제거한 후 전체 매핑 가능 클러스터들에 대한 신호 경로를 분석한다. 분석된 결과에 따라 매핑 가능 클러스터 사이의 글리치도 지연 버퍼 삽입 방법을 이용하여 제거한다. 실험은 [8]와 [9] 알고리즘을 대상으로 소모 전력을 비교하였다. 비교결과 [9]에 비해 전체 소모전력이 7.14% 감소되어 알고리즘의 효율성을 입증하였다.
In this study, AlN thin films were deposited on a polycrystalline (poly) 3C-SiC buffer layer for surface acoustic wave (SAW) applications using a pulsed reactive magnetron sputtering system. AFM, XRD and FT-IR were used to analyze structural properties and preferred orientation of the AlN/3C-SiC thin film. Suitability of the film in SAW applications was investigated by comparing the SAW characteristics of an interdigital transducer (IDT)/AlN/3C-SiC structure with the IDT/AIN/Si structure at 160 MHz in the temperature range $30-150^{\circ}C$. These experimental results showed that AlN films on the poly 3C-SiC layer were highly (002) oriented. Furthermore, the film showed improved temperature stability for the SAW device, $TCF\;=\;-18\;ppm//^{\circ}C$. The change in resonance frequency according to temperature was nearly linear. The insertion loss decrease was about $0.033dB/^{\circ}C$. However, some defects existed in the film, which caused a slight reduction in SAW velocity.
In this article, magnetic properties of multiferroic bi-layer $BiFeO_3$ (BFO)/$BaTiO_3$ (BTO) thin films were studied. It was found that the magnetization increased by the insertion of BTO buffer layer even though the interfacial stress was slightly relaxed, which indicated a coupling between the ferroelectric and ferromagnetic orders. Furthermore, with slightly increase of BFO film thickness, both BFO and BFO/BTO bi-layer films showed anisotropic magnetic properties with higher in-plane magnetization than the values measured out-of-plane. These are attributable to strain constraint effect at the interface.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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