• 한국수소및신에너지학회논문집
• /
• 제29권5호
• /
• pp.434-441
• /
• 2018

The pore size of nickel (Ni) bottom electrode layer (BEL) for low-temperature solid oxide fuel cells embedded with ultrathin-film electrolyte was controlled by changing the substrate surface morphology and deposition process parameters. For ~150-nm-thick Ni BEL, the upper side of an anodic aluminum oxide (AAO) substrate with ~65-nm-sized pores provided ~1.7 times smaller pore size than the lower side of the AAO substrate. For ~100-nm-thick Ni BEL, the AAO substrate with ~45-nm-sized pores provided ~2.6 times smaller pore size than the AAO substrate with ~95-nm-sized pores, and the deposition pressure of ~4 mTorr provided ~1.3 times smaller pore size than that of ~48 mTorr. On the AAO substrate with ~65-nm-sized pores, the Ni BEL deposited for 400 seconds had ~2 times smaller pore size than the Ni BEL deposited for 100 seconds.

• 한국재료학회지
• /
• 제3권4호
• /
• pp.352-360
• /
• 1993

열산화막위에 LPCVD법을 이용하여 질화막을 형성시킨 후, 질화막의 열처리 유무와 습식재산화처리의 공정조건에 따른 다양한 막의 두께를 가진 ONO(oxide nitride oxide)캐패시터를 제작하여 여러가지 물성을 조사하였다. 질화막을 습식산화처리하여 전체막의 굴절윷과 식각거동을 관찰한 결과, 40$\AA$두께의 질화막은 치밀하지 못하여 계속되는 산화공정동안에 하부층 산화막이 성장되었고 정전용량의 확보능력도 떨어졌다. ONO다층유전박막의 전도전류는 하부층 혹은 상부층 산화막의 두께가 증가함에 따라 감소하였다. 그러나 산화막이 50$\AA$ 이상인 경우에는 정전용량의 감소요인으로 작용할 뿐, hole유입에 대한 barrier역할은 크게 향상되지 못하였다. 산화전 질화막에 대한 열처리 효과는 막의 굴절율과 정전용량에 큰 영향을 주지 못하였으나 절연파괴전압은 약 2-3V 상승효과를 보였다.

• 한국자기학회지
• /
• 제12권3호
• /
• pp.103-108
• /
• 2002

나노옥사이드(nato-oxide layer, NOL) 층이 고정층에 첨가된 스펙큘라 스핀밸브(specular spin valve)와 NOL이 없는 기본 스핀 밸브를 UHV 스퍼터 시스템에서 FeMn 반강자성층을 사용하여 탑 및 바텀 형 스핀밸브를 제조하였으며, 제조한 시료의 열처리 온도에 따른 자기저항 특성 및 교환바이어스 특성을 비교 분석하였다. 탑 형 스핀밸브에서는 NOL이 있는 경우 25$0^{\circ}C$ 열처리에서 9.2%의 자기저항비를 얻을 수 있었으며, 바텀 형 스핀밸브에서는 25$0^{\circ}C$ 열처리에서 10.1%의 자기저항비를 얻을 수 있었다. 따라서 바텀 형 스핀밸브가 탑 형 스핀밸브보다 고정층에 첨가된 NOL의 스펙큘라 반사 효과가 높아 자기저항비가 증가함을 확인하였다. 또한 바텀 형 스핀밸브에서 25$0^{\circ}C$ 이상의 열처리시 NOL이 있는 경우가 NOL이 없는 경우보다 28 % 이상의 교환바이어스 증가를 보였다. 이와 같은 원인은 NOL이 첨가된 고정층의 자기모멘트의 감소와 X-선 회절 분석 결과로부터 NOL의 첨가에 따른 강화된 (111) FeMn집합조직 때문이라고 판단된다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제18권11호
• /
• pp.2709-2714
• /
• 2014

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압 및 전도중심의 변화에 대하여 분석하고자한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상하단 게이트 산화막의 두께를 다르게 제작할 수 있어 문턱전압이하 영역에서 전류를 제어할 수 있는 요소가 증가하는 장점이 있다. 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압 및 전도중심을 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였다. 이때 전하분포는 가우스분포함수를 이용하였다. 하단게이트 전압, 채널길이, 채널두께, 이온주입범위 및 분포편차를 파라미터로 하여 문턱전압 및 전도중심의 변화를 관찰한 결과, 문턱전압은 상하단 게이트 산화막 두께 비에 따라 큰 변화를 나타냈다. 특히 채널길이 및 채널두께의 절대값보다 비에 따라 문턱전압이 변하였으며 전도중심이 상단 게이트로 이동할 때 문턱전압은 증가하였다. 또한 분포편차보단 이온주입범위에 따라 문턱전압 및 전도중심이 크게 변화하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제41권1호
• /
• pp.15-20
• /
• 2004

산화막위에 증착된 금속박막과 산화막과의 계면효과를 조사하였다. 산화막으로는 현재 반도체소자제조공정에 많이 사용되고 있는 BPSG 산화막과 PETEOS 산화막을 사용하였다. 이 두 종류의 산화막위에 적층구조의 금속박막을 형성한 후, 금속박막의 열처리에 의한 계면의 영향을 SEM (scanning electron microscopy), TEM (transmission electron microscopy), AES (auger electron spectroscopy)를 사용하여 조사하였다. BPSG 산화막위에 증착된 금속박막을 $650^{\circ}C$ 이상에서 RTP anneal을 한 경우, BPSG 산화막과 금속박막의 계면결합상태가 좋지 않았고, BPSG 산화막과 금속박막의 계면에 phosphorus가 축적된 영역을 확인하였다. 반면에 PETEOS 산화막위에 증착된 금속박막의 경우, RTP anneal 온도에 관계없이 계면결합상태는 좋았다. 본 연구에서 BPSG 산화막위에 금속박막을 증착할 경우 RTP anneal 온도는 $650^{\circ}C$ 보다 작게 하여야 함을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제33권1호
• /
• pp.25-30
• /
• 2020

Oxide (SiO₂)/Metal(Ag)/Oxide(SiO₂, ITO, ZnO) multilayer films were fabricated using a magnetron sputtering technique at room temperature on Si (p-type, 100) and a glass substrate. The electrical and optical properties of the asymmetric multilayer films depended on the thickness of the mid-layer film and the type of oxide in the bottom layer. As the metal layer becomes thicker, the sheet resistance decreases. However, the transmittance decreases when the metal layer exceeds a threshold thickness of approximately 10~12 nm. In addition, the sheet resistance and transmittance change according to the type of oxide in the bottom layer. If the oxide has a large resistivity, the overall sheet resistance increases. In addition, the anti-reflection effect changes according to the refractive index of the oxide material. The optical and electrical properties of multilayer films were investigated using an ultraviolet visible (UV-Vis) spectrophotometer and a 4-point probe, respectively. The optimum structure is SiO₂ (30 nm)/Ag (10 nm)/ZnO (30 nm) multilayer, with the highest FOM value of 7.7×10^-3 Ω^-1.

• 한국안전학회지
• /
• 제35권5호
• /
• pp.128-136
• /
• 2020

In the present experimental study, the effect of water-based iron(III) oxide nanofluid on the MFB(Minimum Film Boiling) point during quenching was investigated. As the highly heated test specimen, the cylindrical stainless steel rod was used, and as the test fluids, the water-based iron(III) oxide nanofluids of 0.001 and 0.01 vol% concentrations were prepared with the pure water. To examine the effect of location in the test specimen, the thermocouples were installed at the bottom and middle of wall, and center in the test specimen. Through a series of experiments, the experimental data about the influences of nanofluid concentrations, the number of repeated experiments, and locations in the test specimen on the reaching time to MFB point, MFBT(Minimum Film Boiling Temperature), and MHF(Minimum Heat Flux) were obtained. As a result, with increasing the concentration of nanofluid and the number of repeated experiments, the reaching time to MFB point was reduced, but the MFBT and MHF were increased. In addition, it was found that the effect of water-based iron(III) oxide nanofluid on the MFB point at the bottom of wall in the test specimen was observed to be greater than that at the middle of wall and center. In the present experimental ranges, as compared with the pure water, the water-based iron(III) oxide nanofluid showed that the maximum reduction of reaching time to MFB point was about 53.6%, and the maximum enhancements of MFBT and MHF were about 31.1% and 73.4%, respectively.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제19권2호
• /
• pp.401-406
• /
• 2015

본 논문에서는 비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET의 채널길이에 대한 문턱전압이하 스윙의 변화에 대하여 분석하였다. 문턱전압이하 스윙은 트랜지스터의 디지털특성을 결정하는 중요한 요소로서 채널길이가 감소하면 특성이 저하되는 문제가 나타나고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 개발된 DGMOSFET의 문턱전압이하 스윙의 채널길이에 대한 변화를 채널두께, 산화막두께, 상하단 게이트 전압 및 도핑농도 등에 따라 조사하고자 한다. 특히 하단 게이트 구조를 상단과 달리 제작할 수 있는 비대칭 DGMOSFET에 대하여 문턱전압이하 스윙을 분석함으로써 하단 게이트 전압 및 하단 산화막 두께 등에 대하여 자세히 관찰하였다. 문턱전압이하 스윙의 해석학적 모델을 구하기 위하여 포아송방정식에서 해석학적 전위분포모델을 유도하였으며 도핑분포함수는 가우스분포함수를 사용하였다. 결과적으로 문턱전압이하 스윙은 상하단 게이트 전압 및 채널도핑농도 그리고 채널의 크기에 매우 민감하게 변화하고 있다는 것을 알 수 있었다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
• /
• pp.889-892
• /
• 2003

Effects of $N_{2}$ plasma treatment of the Al bottom cathode on the characteristics of top emission inverted organic light emitting diodes (TEIOLEDs) were studied. TEIOLEDs were fabricated by depositing an Al bottom cathode, a tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum $(Alq_{3})$ emitting layer, an N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-diphenyl-4,4'diamine (TPD) hole transport layer, and an indium tin oxide (ITO) top anode sequentially. The Al bottom cathode layer was subjected to $N_{2}$ plasma treatment before deposition of the $Alq_{3}$ layer. X-ray photoelectron spectroscopy suggested that the existence of and the amount of $AIN_x$ between the $Alq_{3}$ emitting layer and the Al bottom cathode significantly affect the characteristics of TEIOLEDs. The maximum external quantum efficiency of the TEIOLED with an Ai bottom cathode subjected to $N_{2}$ plasma treatment for 30 s was about twice as high as that of the TEIOLED with an untreated Al bottom cathode.

• 한국대기환경학회지
• /
• 제21권3호
• /
• pp.367-375
• /
• 2005

Low-Z particle Electron Probe X-ray Microanalysis was applied to characterize MSW fly- and bottom -ash particle samples originated from two municipal incinerators (denoted as A and B) in Korea. According to their chemical composition, many distinctive particle types were identified. In A fly ash, the major chemical species are carbon-rich, aluminosilicates and many particles are composed of as a mixture of $ CaCO_3$ and other chemical species such as $CaSO_4$ or $CaCl_2$. For B fly ash, Fe, iron oxide, NaCl and NaCl-containing particles are the most abundant. In bottom ash, A and B were composed of similar chemical species such as carbon-rich, Fe, iron oxide, $CaCO_3$, and aluminosilicates. It was demonstrated that the single-particle characterization using this low-Z particle EPMA technique provided detailed information on various types of chemical species in the MSW ash samples. In addition, the technique has advantage over conventional analytical techniques in the point that both crystalline and glass-like ash particles can be analyzed at the same time.