• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권4호
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• pp.13-20
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• 2003

반도체 소자이론에 근거한 집적회로용 BJT의 역포화 전류 모델을 제시한다. 공정 조건으로부터 베이스 영역의 불순물 분포를 구하는 방법과 원형 에미터 구조를 갖는 Lateral PNP BJT와 Vertical NPN BJT의 베이스 Gummel Number를 정교하게 계산하는 방법을 제시한다. 제안된 방법의 타당성을 검증하기 위해 20V와 30V 공정을 기반으로 제작한 NPN BJT와 PNP BJT의 역포화 전류를 실측치와 비교한 결과, NPN BJT는 6.7%의 평균상대오차를 보이고 있으며 PNP BJT는 6.0%의 평균 상태오차를 보인다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2007년도 춘계종합학술대회
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• pp.532-535
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• 2007

본 연구에서는 Sentaurus Process를 사용하여 NPN 바이폴라 트랜지스터(BJT)를 시뮬레이션 하였다. 많은 종류의 반도체 소자가 개발되고 있으나 가장 먼저 BJT가 개발되었으며 이후 계속적인 발전을 거듭하여 MOSFET와 함께 개발 발전되었다. BJT를 이용한 회로는 광범위하게 응용되고 있으며 BJT는 여전히 중요한 회로의 한 소자로 사용되고 있다. 뿐만 아니라 BJT는 MOSFET와 결합된 집적회로 기술의 응용분야에 사용되고 있다. 이는 BJT 특성들이 특별하게 설계된 많은 반도체 소자에서 자주 사용된다는 것을 의미한다. 본 연구에서는 그 중에서도 특성상 많이 사용되는 NPN BJT를 시뮬레이션 프로그램인 Sentaurus Process를 통하여 구조의 특성을 파악하고자 한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권6호
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• pp.384-392
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• 2003

집적회로용 NPN BJT의 베이스-컬렉터간 역방향 항복전압 추출 알고리즘을 제시한다. 모의실험 시간을 최소화할 수 있는 3차원 메쉬 생성 방법을 제시하고 포아송 방정식의 해를 이용하여 역방향 항복전압을 구하는 방법을 제시한다. 제시된 방법의 타당성을 검증하기 위해 20V 공정과 30V 공정을 기반으로 제작된 집적회로용 NPN BJT의 베이스-컬렉터간 역방향 항복전압을 실측치와 비교한 결과 20V 공정을 이용한 NPN BJT는 8.0%의 평균상대오차를 보였으며 30V 공정을 이용한 NPN BJT는 4.3%의 평균 상대오차를 보였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제49권5호
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• pp.16-21
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• 2012

본 논문에서는 CMOS 기반의 BJT 제작에 있어서 일반적인 BJT 구조에 비해 정합특성이 우수한 새로운 BJT 구조를 제안하고, 특성을 비교 분석하였다. 새로운 정합 구조가 기존의 정합 구조에 비해 콜렉터 전류 밀도 $J_C$는 0.361% 감소하였고, 전류이득 ${\beta}$는 0.166% 증가하여 큰 차이가 보이지 않았지만, 소자 면적이 10% 감소했으며, 콜렉터 전류($A_{Ic}$)와 전류이득($A_{\beta}$)의 정합 특성이 각각 45.74%, 38.73% 향상되었다. 이와 같이 정합특성이 개선된 주 이유는 쌍으로 형성된 BJT 소자들의 에미터 간의 거리가 감소한 것이라고 생각되며, deep n-well 저항의 표준편차 값이 다른 저항들에 비해 큰 것으로부터 간접적으로 증명이 된다고 여겨진다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제43권1호
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• pp.149-155
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• 2006

본 논문은 BJT 클랩 전압제어 발진기의 공진기에서 최대 발진전압 도출을 위한 기법에 관한 연구이다. 제시된 기법을 사용함으로써 주어진 바이어스 조건과 중심 주파수에서 공진기에 유도되는 발진 신호의 크기를 최대로 하는 최적 제환 커패시턴스 값을 찾아낼 수 있다. 이렇게 함으로써, BJT 클랩 전압제어 발진기의 위상잡음은 최소 값을 갖게 된다. 제작된 발진기의 측정 결과로부터 최적 커패시턴스 값을 갖는 발진기가 실제로 가장 낮은 위상잡음을 나타냄을 확인 할 수 있었다.

• 전기학회논문지
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• 제58권9호
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• pp.1769-1774
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• 2009

An algorithm for extracting the BJT DC model parameter values for SPICE model is proposed. The nonlinear optimization method for analyzing the device I-V data using the Levenberg-Marquardt algorithm is proposed and the method for calculating initial conditions of model parameters to improve the convergence characteristics is proposed. The base current and collector current obtained from the proposed method shows the root mean square error of 6.04% compared with the measured data of the PNP BJT named 2SA1980.

• 대한한의학회지
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• 제34권3호
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• pp.126-142
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• 2013

Objectives: Previous reports have shown that Bogijetong-Tang (BJT) is effective in peripheral neuropathy induced by taxol and crush injury. In this study, we researched the effects of BJT on diabetic neuropathy induced by STZ in the mouse. Methods: We performed both in vitro and in vivo experiments to verify the effects of BJT on diabetic neuropathy induced by STZ in mice. Changes in axonal recovery were observed with immunofluorescence staining using NF-200, Hoechst33258, $S100{\beta}$, caspase 3 and anti-cdc2. Proliferation and degeneration of Schwann cells were investigated by immunofluorescence staining and western blot analyses. Results: BJT showed considerable effects on neurite outgrowth and axonal regeneration in diabetic neuropathy. BJT contributed to the creation of NF-200, GAP-43, Cdc2, phospho-vimentin, ${\beta}1$, active ${\beta}1$, ${\beta}3$ integrin, phospho-Erk1/2 protein. Conclusions: Through this study, we found that BJT is effective for enhanced axonal regeneration via dynamic regulation of regeneration-associated proteins. Therefore, BJT had a pharmaceutical property enhancing recovery of peripheral nerves induced by diabetic neuropathy and could be a candidate for drug development after more research.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제13권1호
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• pp.1-7
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• 2013

In this paper, a biosensor based on a gated lateral bipolar junction transistor (BJT) is proposed. The gated lateral BJT can function as both a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) and a BJT. By using the self-assembled monolayer (SAM) method, the C-reactive protein antibodies were immobilized on the floating gate of the device as the sensing membrane. Through the experiments, the characteristics of the biosensor were analyzed in this study. According to the results, it is indicated that the gated lateral BJT device can be successfully applied as a biosensor. Additionally, we found that the sensitivity of the gated lateral BJT can be varied by adjusting the emitter (source) bias.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.151-151
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• 2008

바이폴러 트랜지스터(이하 BJT)의 고온 콜렉터-베이스 역전압 수명시험을 실시하였고, 수영시험 전후의 특성평가를 통해 BJT의 고장모드를 분석하였다. 시험조건은 주위온도 $150^{\circ}C$에서 콜렉터-베이스 정격 역전압의 80%를 인가한 상태에서 실시하였으며, 시료수는 57개이고 최종 목표 시험시간은 2,000시간이다. 중간측정을 통해 BJT의 특성열화를 관찰하였으며, 1,500시간 경과 후 1개 시료에서 제품규격을 벗어나는 데이터가 측정되었다. 해당 시료를 분석한 결과 콜렉터-베이스 누설전류 및 전류이득($\beta$)이 증가하였고, 저주파에서의 junction capacitance 가 정상품 대비 크게 관찰되었다. 측정결과를 통해 누설전류 증가 및 이득이 증가한 원인을 추정하였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제15권1호
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• pp.37-42
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• 2011

본 논문에서는 0.35 um BCD 공정을 통한 고내압 BCD 소자와 새로운 구조의 BCD 소자를 제작하여 전기적 특성을 분석하였다. 20 V급 BJT 소자, 30/60 V급 HV-CMOS, 40/60 V급 LDMOS 소자의 전기적 특성을 분석하고, 동일 공정을 통해 높은 전류 이득을 갖는 수직/수평형 NPN BJT와 고내압 특성의 LIGBT 소자를 제안하였다. 제안된 수직/수평형 NPN BJT의 항복전압은 15 V, 전류이득은 100으로 측정되었으며, 고내압 특성의 LIGBT의 항복전압은 195 V, 문턱전압은 1.5 V, Vce,sat은 1.65 V로 측정 되었다.