ATO(antimony-doped tin oxide) 투명전도막을 sol-gel dip coating 방법에 의해 $SiO_2$/glass 기판 위에 성공적으로 제조하였다 ATO막의 결정상은 $SnO_2$상임을 확인하였고, 막의 두께는 withdrawal speed를 50 mm/minute로 코팅시 약 100 nm/layer였다. $SiO_2$/glass 기판 위에 코팅한 400 nm두께의 ATO 박막을 질소분위기에서 annealing한 후, 측정한 광 투과율과 전기 저항치는 각각 84%와 $5.0\times 10^{-3}\Omega \textrm{cm}$였다. 이러한 특성은 $SiO_2$막이 Na 이온의 확산을 제어하여 $Na_2SnO_3$ 및 SnO와 같은 불순물의 형성을 억제하고, 막 내부의 Sb의 농도와 $Sb^{3+}$에 대한 $Sb^{5+}$의 비를 증가시키는데 기여했기 때문으로 확인되었다. 또한, $N_2$ annealing은 $Sb^{5+}$뿐만 아니라 $Sn^{4+}$를 환원시킴으로써 전기전도도를 향상시킴을 확인하였다.
열가소성 고분자 물질인 PET[poly(ethylene terephthalate)]는 섬유 및 필름, 음료병 등에 널리 사용되는 대표적인 범용 소재이며, 전체 PET 제조업은 2013년 약 200억불에 달할 것으로 예상되는 큰 시장이다. 최근 급격한 산업화에 따른 전 세계적인 환경오염의 심각성이 부각되면서 기업들의 환경 친화적인 제조 활동 및 생산 프로세스의 개선이 요구되고 있다. 현재 폴리에스테르 수지를 제조하기 위해 국내외 업체에서 가장 널리 사용 되고 있는 중합촉매는 중금속 원소인 고순도 삼산화안티몬($Sb_2O_3$)이며 통상 중합공정 중에 150~300ppm의 촉매가 사용된다. 세계보건기구(WHO)의 국제암연구기관(IARC)에서는 안티몬을 인체 발암성이 있는 물질로 분류 하여 현재 유럽을 중심으로 안티몬 사용을 제한하는 환경 규제가 가속화 되고 있다. 폴리에스테르 수지 제조 공정중 안티몬 촉매를 사용할 경우 정련, 염색, 알칼리 감량시 중금속(안티몬)검출에 따른 수질 오염 및 폐수처리비용이 증가하게 되며 대량의 중합촉매 사용에 따른 이물 증가로 작업성 및 품질 문제가 상존하게 된다. 따라서 이러한 제조 공정중의 고위험성 물질을 대체할 친환경, 고부가가치 신규 무독성 PET 소재 및 제품이 각광을 받게 될 것이다. 이번 연구에서는 티타늄계(Ti-based) 무독성 촉매를 이용하여 PET 중합을 실시한 Sb-free PET원단의 염색특성을 알아보는 것으로 분산염료 3종 (Red, Yellow, Blue)으로 염색이 완료된 원단을 spectrophotometer 를 이용하여 L, a b값과 K/S값으로 측정하였다. 동일한 염색 조건을 위해 두 종류의 원단을 하나의 실린더에서 기존 PET 염색과 동일한 조건으로 염색을 실시하였으며 실험 결과 전반적으로 기존 PET와 유사한 염색 특성을 보였다. 염색견뢰도 평가에서도 Sb-free PET원단과 기존 PET원단의 세탁 견뢰도, 마찰 견뢰도, 일광 견뢰도를 비교 했을 시 두 원단 모두 4~5급으로 우수한 견뢰도를 나타내었다.
목적: 본 연구에서는 투명 전도막으로 사용할 안티몬주석산화물 박막의 특성변수인 RF 전력, T-S간 거리 등의 변화에 따른 박막의 광학적, 전기적, 구조적 특성을 알아보았다. 방법: 안티몬주석산화물 박막을 마그네트론 스퍼트링 방법으로 실온에서 $SnO_2:Sb_2O_5$= 95:5 wt%의 비율로 제작하였다. 결과: 안티몬주석산화물 박막은 RF 입력전력에 가장 민감한 특성변화를 보였는데, 30W의 RF 입력전력에서 광투과율이 78%, 표면거칠기가 0.56 nm, 면저항이 1007 $\Omega{\cdot}cm^{-2}$이었다. 결론: 안티몬주석산화물 박막은 T-S간 거리와 RF 전력에 따라 구조적, 광학적 및 전기적 특성이 크게 달라지는 것을 확인하였다.
Antimony (6 wt%) doped tin oxide (ATO) films to improve conductivity were deposited on 7059 coming glass by RF magnetron sputtering method for application to transparent electrodes. The ATO film was deposited at a working pressure of 5 mTorr and RF power of 175 W. We investigated the effects of the post-annealing temperature on structural, electrical and optical properties of the ATO films. The films were annealed at temperatures ranging from $300^{\circ}C$ to $600^{\circ}C$ in step of $100^{\circ}C$ using RTA equipment in vacuum ambient. X-ray diffraction (XRD) measurements showed the ATO films to be crystallized with a strong (101) preferred orientation as the annealing temperature increased. Electrical resistivity decreased significantly with annealing temperatures up to $600^{\circ}C$. ATO film annealed at temperature of $600^{\circ}C$ showed the lowest resistivity of $5.6\times10^{-3}\Omega$-cm. Optical transmittance increased significantly with annealing temperatures up to $600^{\circ}C$. The highest transmittance was 90.8 % in the visible range from 400 to 800 nm.
Bismuth-antimony-telluride based thermoelectric thin film materials were prepared by metal organic vapor phase deposition using trimethylbismuth, triethylantimony and diisopropyltelluride as metal organic sources. A planar type thermoelectric device has been fabricated using p-type $Bi_{0.4}Sb_{1.6}Te_3$ and n-type $Bi_2Te_3$ thin films. Firstly, the p-type thermoelectric element was patterned after growth of $4{\mu}m$ thickness of $Bi_{0.4}Sb_{1.6}Te_3$ layer. Again n-type $Bi_2Te_3$ film was grown onto the patterned p-type thermoelectric film and n-type strips are formed by using selective chemical etchant for $Bi_2Te_3$. The top electrical connector was formed by thermally deposited metal film. The generator consists of 20 pairs of p- and n-type legs. We demonstrate complex structures of different conduction types of thermoelectric element on same substrate by two separate runs of MOCVD with etch-stop layer and selective etchant for n-type thermoelectric material. Device performance was evaluated on a number of thermoelectric devices. To demonstrate power generation, one side of the device was heated by heating block and the voltage output was measured. The highest estimated power of 1.3mW is obtained at the temperature difference of 45K. We provide a promising approach for fabricating thin film thermoelectric generators by using MOCVD grown thermoelectric materials which can employ nanostructures for high thermoelectric properties.
CFC-11$(CFCl_3)$의 대체품인 HCFC-123$(CF_3CHCl_2)$의 합성을 위하여 Pentachloroethane($CHCl_2CCl_3$)을 제조하고, 이것을 antimony pentahalide 촉매의 존재하에서 불화수소와 반응시켰다. $CHCl_2CCl_3$의 불소화 반응은 촉매와 반응물간의 Cl-F교환 mechanism에 의해 진행되었으며 $CHCl_2CCl_3$의 불화도는 반응온도가 높을수록 증가하는 경향을 보여 주었다. 촉매농도 또한 생성물의 불화도에 영향을 미치나 반응온도에 비해 상대적으로 낮았다. $CCl_3CFCl_2$, $CFCl_2CFCl_2$, $CF_2ClCFCl_2$와 같은 부산물의 생성원인을 규명하기 위한 실험을 실시하여 부산물 생성 mechanism을 제안하였다.
Gold and/or silver mineralization in the southeast province, Korea, occurred in hydrothermal quartz vein that fills fracture zones in Cretaceous volcanic and sedimentary rocks of the Gyeongsang basin or granites and Precambrian gneiss. Most of the gold-silver-bearing veins in the province occur in Hapcheon, Suncheon and Haman-Gunbuk area where they are associated with Cretaceous Bulgugsa granites. On the basis of the Ag/Au ratio on amounts produced and ore grades, mode of occurrence, and associated mineral assemblages, hydrothermal Au-Ag deposits in southeast province, Korea, can be classified as follows: pyrite-type gold deposit (Group IIB, Samjeong and Sangchon deposits), antimony-type gold-silver deposit (Group IV, Gisan and Geochang deposits), and antimony-type silver deposit (Group V, Sanggo, Seweon, Seongju and Gahoe deposits). All of the gold-silver deposits in the province are generally characteristics of the gold-silver or silver-dominant type deposit which contains more silver-bearing minerals than those deposits in central Korea. The gold-silver mineralization in the deposits consist of two generation; the early characterized by gold precipitation and the late represented by silver-rich (as silver-bearing sulfosalts minerals) mineralization. All but one deposit (Samjeong deposit) having relatively lower Au content in electrum values between ${\approx}20$ and ${\approx}50$ atomic %. The mineralogical data on electrum-sphalerite and/or arsenopyrite geothermometry and fluid inclusion data indicate that the gold and silver mineralizations were occurred at temperatures of $190{\sim}280^{\circ}C$ and $150{\sim}180^{\circ}C$, respectively. These suggest that the gold-silver mineralization in the province occurred in the lower temperature and pressure conditions as epithermal-type hydrothermal vein deposit.
본 연구는 국내 유통 중인 프라이팬, 냄비, 주전자, 불판 등 금속제 주방기구 총 71품목을 대상으로 안전성 및 오염 정도에 대한 기초 자료를 제공하고자 실시되었다. 현행 식품공전 금속제의 재질 규격은 Pb 10%, Sb 5%이하이며 용출 규격은 Pb 1.0 mg/L이하이다. 알루미늄, 스테인리스 및 주철 총 71품목의 금속제 주방기구에 대한 재질시험 결과 Pb은 0.06% 이하로 검출되었으나 기준이하였으며 Sb은 모든 제품에서 검출되지 않았다. 또한 이들 주방기구의 용출시험 결과에서도 기준치이하인 0.41mg/L의 Pb이 검출되어 국내 유통 중인 금속제 주방기구는 기준규격에 적합한 것으로 나타났다.
Antimony trioxide 촉매를 사용하여 241 - $260^{\circ}C$ 범위에서 bishydroxyethyl naphthalate (BHEN)의 축중합 반응에 관한 속도론적 연구를 수행하였다. 반응은 회분식 반응기에서 진행되었고 반응물의 농도는 high performance liquid chromatography (HPLC)를 사용하여 측정하였다. 분자종 모델을 적용하여 구한 반응속도상수의 정반응 및 역반응 활성화 에너지 값은 각각 19.7과 31.4 kcal/mole 이었으며, 평형상수는 1.4-2.0으로 PET 축중합 반응의 경우보다 큰 값을 가지며 온도에 따라 어느 정도 변하였다. 말단기인 hydroxyethyl기의 반응속도는 분자의 크기에 관계없이 일정함을 Flory, 모델식으로부터 확인할 수 있었다. 관능기 모델을 적용한 결과 정반응과 역반응 활성화 에너지 길기 큰 차이가 없었으며, 평형상수는 1.4정도의 값을 가졌다. 관능기 모델로부터 구한 속도상수 값은 분자종 모델로부터 구한 값의 3-4배로서 두 모델이 모두 반응계를 잘 설명하였다. 제안된 분자종 모델이 10개의 분자종을 모두 예측해야 하는 어려움에도 불구하고 실험 결과와 잘 맞음을 알 수 있었다.
$CoSb_3$ with its high electrical conductivity, Seebeck coefficient and rather low thermal conductivity is quite a promising material for thermoelectric conversion applications. A potentially high figure of merit (ZT) can be achieved by a nanostructure evolution of thermoelectric materials. In this work, $CoSb_3$ nanoparticles were synthesized through a thermal decomposition method in cooperation with a hot injection technique. Nano-sized $CoSb_3$ particles were obtained through the thermal decomposition reaction between the pre-heated cobalt-oleate at $320^{\circ}C$ and the injected antimony oleate with room temperature. The results showed that the particle size was increased with increasing synthesis temperature and the crystallinity of particles was improved with temperature but the decomposition of $CoSb_3$ was observed at $320^{\circ}C$. The $CoSb_3$ particles synthesized at $300^{\circ}C$ showed a high purity and an homogeneous shape with average particle size of 26 nm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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