• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.223-223
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• 2010

본 연구에서는 Al-doped ZnO (AZO) 박막을 linear facing target sputter (LFTS) 시스템을 이용하여 성막 하였고 박막의 특성을 분석하였다. LFTS 시스템은 마주보는 두 AZO 타겟 사이에 고밀도의 플라즈마를 구속시켜 플라즈마 데미지 없이 산화물 박막을 성막 시킬 수 있는 장치이다. LFTS로 성막된 AZO 박막의 인가된 DC 파워에 따른 전기적 특성을 분석하기 위해 four-point probe와 Hall measurement 장비를 이용하여 분석을 진행 하였으며, 광학적 특성 분석을 위해 UV/Vis spectrometer 장비를 이용하여 분석하였다. AZO 박막의 구조적, 표면적 특성을 분석하기 위해 X-ray diffraction(XRD) 및 scanning electron microscope(SEM)을 사용하여 상온에서 성막된 AZO 박막의 특성을 관찰 하였다. 또한 AZO 박막의 PET 기판과의 접합성 및 구부림 시의 안정성을 평가하기 위해 bending test를 진행 하였다. 최적화된 AZO 박막으로부터 기판에 성막 중 열처리공정이나 후 열처리 공정의 진행 없이 35 ohm/square의 낮은 면저항과 약 80 % 이상의 투과율을 얻을 수 있었다. LFTS 시스템을 이용하여 낮은 공정온도에서 AZO 박막을 성막 하였음에도 불구하고 낮은 저항과 높은 투과도 특성을 나타내고 있어 기존의 투명 박막을 대체 할 수 있는 가능성을 제시하였다

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.320.2-320.2
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• 2013

본 연구는 RF 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용하여 AZO 박막을 증착하였다. 증착되어진 AZO 박막은 플라즈마 화학기상증착장치를 이용하여 플라즈마 처리를 하였다. 플라즈마 가스로는 산소가스를 사용하였으며, AZO 박막을 산소플라즈마 처리 시간과 플라즈마 파워에 따라 박막의 특성이 변화되는 것을 관찰하였다. RF 마그네트론 스퍼터링 장치로 증착되어진 AZO 박막의 비저항값과 투과율을 측정한 결과 각각 $5.6{\times}10-4\;{\Omega}{\cdot}cm$과 80%를 나타내었다. 증착되어진 AZO 박막을 플라즈마 처리 시간과 플라즈마 파워에 따라 산소플라즈마 처리를 실시하였고, 플라즈마 처리가 되어진 AZO 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성등을 고찰하였으며, 태양전지 응용을 위하여 AZO 박막의 기계적인 특성들을 고찰하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제31권2호
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• pp.85-89
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• 2018

In this study, functional transparent conducting layers were investigated for Si-based photoelectric applications. Double transparent conductive oxide (TCO) films were deposited on a Si substrate in the sequence of indium tin oxide (ITO) followed by aluminum-doped zinc oxide (AZO). First, we observed that the conductivity and transparency of AZO dominate the overall performance of the double TCO layers. Secondly, the double layered TCO film (consisting of AZO/ITO) deposited by sputtering was compared to a AZO-only film in terms of their optical and electrical properties. We prepared three different AZO films: ITO:3min/AZO:10min, ITO:5min/AZO:7min, and ITO:7min/AZO:4min. The results show that the optical properties (transmittance, absorbance, and reflection) can be controlled by the film composition. This may provide a significant pathway for the manipulation of the optical and electrical properties of photoelectric devices.

• 센서학회지
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• 제22권2호
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• pp.105-110
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• 2013

We fabricated an a-IGZO thin film transistor (TFT) with AZO/Ag/AZO transparent multilayer source/drain contacts by rf magnetron sputtering. a-IGZO TFT with AZO/Ag/AZO multilayer S/D electrodes (W/L = 400/50 ${\mu}m$) showed a subs-threshold swing of 3.78 V/dec, a minimum off-current of $10^{-12}$ A, a threshold voltage of 0.41 V, a field effect mobility of $10.86cm^2/Vs$, and an on/off ratio of $9{\times}10^9$. From the ultraviolet photoemission spectroscopy, it was revealed that the enhanced electrical performance resulted from the lowering of the Schottky barrier between a-IGZO and Ag due to the insertion of an AZO layer and thus the AZO/Ag/AZO multilayer would be very appropriate for a promising S/D contact material for the fabrication of high performance TFTs.

• 한국식품위생안전성학회지
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• 제2권1호
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• pp.9-14
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• 1987

식품의 상품화에 따라 식품 첨가물의 사용이 증가되고 있다. 식품 첨가물로서 색소는 고유의 색소를 보존하기 어려운 식품에 따라 사용되며 tar 색소, 식물성 색소 및 광물성 색소로 나눌 수 있는데 tar 색소는 독성이 강한 것이 많으므로 현재 15종만이 법적으로 허용되어 있다. 이중 azo 화합물인 amaranth, tartrazine, sunset yellow, allura red에 대하여 흰 주위 hepatic azo reductase의 활성을 측정 비교하였고 이에 대한 flavin의 효과를 보았다. 1. Amaranth를 기질로 사용하여 kinetic constants $Km=645\;\mu\textrm{M}$, Vmax=50 n mol/min/mg protein의 값을 얻었다. 2. Amaranth의 농도를 일정하게 하고 FAD의 농도를 증가시켰을 때 hepatic azo reductase의 활성은 현저히 증가하였으나 NADPH-generating system에 의한 환원은 작은 증가를 나타냈다. 3. 기타 식용 azo 색소 tartrazine, sunset yellow, allura red를 기지로 azo reductase activity를 측정한 결과 sunset yellow는 amaranth와 비슷한 환원활성은 나타냈고, tartrazine은 보다 낮은 환원활성을 allura red는 보다 높은 환원활성을 나타냈으며, $300\;\mu\textrm{M}-FAD$에 의해 기질 모두에서 환원활성이 증가함을 알 수 있었다.

• 전기전자학회논문지
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• 제21권4호
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• pp.404-407
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• 2017

에어로졸 증착 공정을 이용하여 ZnO, AZO 및 ITO 막을 증착하고 코팅막의 미세구조, 광학적 및 전기적 특성을 연구하였다. 상온에서 PET 기판 위에 약 400 nm의 두께를 가지는 ZnO, AZO 및 ITO 막을 성공적으로 제조할 수 있었으며 캐리어 가스 유량이 증가하면서 ZnO, AZO 및 ITO 막의 광학적 특성 및 전기적 특성이 향상되었다. 기계적인 유연 내구성 시험에 있어 ZnO 막은 5,000회의 굽힘에도 파괴가 발생하지 않은 반면 AZO 및 ITO 막은 5000회 굽힘 시험 후 막의 파괴가 발생하고 투과도 및 저항의 성능이 저하되었다. 결론적으로 AZO 및 ITO 막의 성능은 ZnO 막에 비하여 약간 열세이나, 입자크기 제어 및 공정 최적화를 통해 성능을 향상시킬 수 있을 것으로 판단된다.

• 약학회지
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• 제31권6호
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• pp.361-369
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• 1987

The four azo dyes such as Amaranth (FD & C Red No. 2), Tartrazine (FD & C Yellow No. 4), sunset Yellow (FD & C Yellow No. 5) and Allura red (FD & C Red No. 40) are currently employed as a food additives in Korea. In this study, the effects of these azo dyes on the hepatic microsomal mixed function oxidase systems in Rats. (i.e., Cyt. P-450, Cyt. b$_5$, NADPH cyt. c-reductase and azo reductase) were investigated. Furthermore, to determine the relationship among the electron transport systems, each level of azo reductase, Cyt. P-450 and NADPH cyt. c-reductase was measured upon the administration of phenobarbital (known as an inducer of Cyt. P-450), 3-methylcholanthrene (Known as an inducer of Cyt. P-448), CoCl$_2$ (inhibitor on Cyt. P-450) or $CCl_4$ (inhibitor on Cyt. P-450). The results of these studies are as follows; (1) The levels of Cyt. P-450 and Cyt. b$_5$ were decreased upon the administration of these azo dyes. (2) When the level of Cyt. P-450 was decreased, the azo reductase activity was also decreased. (3) These azo dyes did not show any significant effect on the level of NADPH cyt. c-reductase. (4) The administration of 3-methylcholanthrene resulted in the elevation of azo reductase activity. The 3-methylcholanthrene may be responsible for the induction of CO-insensitive electron transport system.

• 산업진흥연구
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• 제1권1호
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• pp.1-6
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• 2016

산화물반도체의 결정질특성과 비정질특성을 이해하기 이하여 AZO 박막과 IGZO 박막을 증착하고 열처리하여 물리적 화학적인 특성을 비교하였다. AZO 박막은 열처리온도가 올라갈수록 결정성이 높아졌으나 IGZO 박막은 열처리온도가 높을수록 비정질특성이 우수하였다. AZO 박막은 열처리에 따라서 PL, XPS 분석에서 화학적 이동이 나타났으나 IGZO 박막은 화학적 이동이 나타나지 않았다. AZO의 O 1s 결합 에너지는 531.5 eV였으며, IGZO 박막은 530 eV으로 낮았다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제8권1호
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• pp.33-38
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• 2009

We have investigated the effect of the ambient gases on the characteristics of AZO thin films for the OLED (organic light emitting diodes) devices. These AZO thin films are deposited by rf-magnetron sputtering under different ambient gases (Ar, Ar+$O_2$, and Ar+$H_2$) at 300. In order to investigate the influences of the oxygen and hydrogen, the flow rate of oxygen and hydrogen in argon mixing gas has been changed from 0.2sccm to 1sccm and from 0.5sccm to 5sccm, respectively. The AZO thin films were preferred oriented to (002) direction regardless of ambient gases. The electrical resistivity of AZO film increased with increasing flow rate of $O_2$ under Ar+$O_2$ while under Ar+$H_2$ atmosphere the electrical resistivity showed minimum value near 1sccm of $H_2$. All the films showed the average transmittance over 80% in the visible range. The OLED device was fabricated with different AZO substrates made by configuration of AZO/$\acute{a}$-NPD/DPVB/$Alq_3$/LiF/Al to elucidate the performance of AZO substrate.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.443-443
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• 2012

We fabricated a-IGZO TFT with AZO/Ag/AZO transparent multilayer source/drain contacts by rf magnetron sputtering. Enhanced electrical device performance of a-IGZO TFT with AZO/Ag/AZO multilayer S/D electrodes (W/L = = 400/50 mm) was achieved with a subs-threshold swing of 3.78 V/dec, a minimum off-current of 10-12 A, a threshold voltage of 1.80 V, a field effect mobility of 10.86 cm2/Vs, and an on/off ration of 9x109. It demonstrated the potential application of the AZO/Ag/AZO film as a promising S/D contact material for the fabrication of the high performance TFTs.