Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

Improved Electrical Properties of Indium Gallium Zinc Oxide Thin-film Transistors by AZO/Ag/AZO Multilayer Transparent Electrode

  • 노영수 (한국과학기술연구원 한국과학기술연구원 미래융합기술연구본부장실) ;
  • 양정도 (한국과학기술연구원 한국과학기술연구원 미래융합기술연구본부장실) ;
  • 박동희 (한국과학기술연구원 한국과학기술연구원 미래융합기술연구본부장실) ;
  • 위창환 (한국과학기술연구원 한국과학기술연구원 미래융합기술연구본부장실) ;
  • 조세희 (한국과학기술연구원 한국과학기술연구원 미래융합기술연구본부장실) ;
  • 김태환 (한양대학교 전기전자 컴퓨터공학부) ;
  • 최원국 (한국과학기술연구원 한국과학기술연구원 미래융합기술연구본부장실)
  • Published : 2012.02.08
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Abstract

We fabricated a-IGZO TFT with AZO/Ag/AZO transparent multilayer source/drain contacts by rf magnetron sputtering. Enhanced electrical device performance of a-IGZO TFT with AZO/Ag/AZO multilayer S/D electrodes (W/L = = 400/50 mm) was achieved with a subs-threshold swing of 3.78 V/dec, a minimum off-current of 10-12 A, a threshold voltage of 1.80 V, a field effect mobility of 10.86 cm2/Vs, and an on/off ration of 9x109. It demonstrated the potential application of the AZO/Ag/AZO film as a promising S/D contact material for the fabrication of the high performance TFTs.

Keywords