Park, Si-Jun;Seo, Seong-Moon;Yoo, Young-Soo;Jeong, Hi-Won;Jang, HeeJin
Corrosion Science and Technology
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v.15
no.3
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pp.129-134
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2016
The effects of Ti on the high temperature oxidation of Ni-based superalloys were investigated by cyclic oxidation at $850^{\circ}C$ and $1000^{\circ}C$. The oxide scale formed at $850^{\circ}C$ consists of $Cr_2O_3$, $Al_2O_3$, and $NiCr_2O_4$ layers, while a continuous $Al_2O_3$ layer was formed at $1000^{\circ}C$. The oxidation rate of the alloy with higher Ti content was higher than the alloy with less Ti content at $850^{\circ}C$, possibly due to the increase in the metal vacancy concentration in the $Cr_2O_3$ layer involved by incorporation of $Ti^{4+}$. However, Ti improved the oxidation resistance of the superalloy at $1000^{\circ}C$ by reducing oxygen vacancy concentration in $Al_2O_3$ layer.
Flexible $TiO_2$ films were deposited as dielectric materials for high-energy-density capacitors on polyethylene terephthalate (PET) substrates using a roll-to-roll sputtering method. Both the growth behavior and electrical properties of the flexible $TiO_2$ films were dependent on the sputtering pressure and $O_2$/Ar gas ratio during the sputtering process. All $TiO_2$ films had an amorphous structure regardless of the sputtering conditions due to the low substrate temperature. Microstructural characteristics such as the surface morphology and roughness of the films degraded with an increase in the sputtering pressure and $O_2$ gas concentration. The $TiO_2$ films deposited at a low pressure showed better electrical properties than those of films deposited at a high pressure. The $TiO_2$ films prepared at 10 mTorr exhibited a dielectric constant of approximately 90 at 1 kHz and a leakage current density of $5{\sim}6{\times}10^{-7}A/cm^2$ at 3 MV/cm.
Kim, Min Gyu;Lee, Chan Soo;Kim, Tae Gyu;Kim, Hye Sung
Journal of the Korean Society for Heat Treatment
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v.31
no.1
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pp.12-17
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2018
We investigated the corrosion behavior of commercially pure cold working processed (CP)-Ti with coarse-grained (CG) microstructure heat-treated at $400^{\circ}C$ and $600^{\circ}C$, respectively. It is observed that corrosion resistance of as-received CP-Ti heat-treated at $400^{\circ}C$, at which recrystallization proceeds, is largely improved. Interestingly, the mechanical property of CP-Ti sample at $400^{\circ}C$ was scarcely deteriorated. It is attributed to the decrease of the defects such as strain variance and dislocation density. On the other hand, the annealing treatment at $600^{\circ}C$ of CP-Ti plate causes to grain growth with the noticeable reduction of mechanical property. Hence, it is considered that defect density such as strain and dislocation density is important microstructural parameter for the improvement of corrosion resistance. The introduction of proper annealing treatment can help to improve corrosion resistance without scarifying mechanical property of CP-Ti.
A new Ti-10Ta-10Nb alloy has designed and examined some possibility of forming more passive oxide film by oxidation treatment which is closely related to corrosion resistance and biocompatibility. Ti-6Al-4V and Ti-10Ta-10Nb alloys were prepared by consumable vacuum arc melting and homogenized at 1050$^{\circ}C$ for 24hours. Alloy specimens were oxidized at the temperature range of 400 to 750$^{\circ}C$ for 30minutes, and the oxide films on Ti alloys were analysed by optical microscope, SEM, XPS and TGA. Cytotoxicity test was performed in MTT assay treated L929 fibroblast cell culture by indirect method. It is found out that the oxide film on Ti-10Ta-10Nb alloy is denser and thinner compared to Ti-6Al-4V alloy. The weight gain during the oxidation was increased rapidly at the temperature above 650$^{\circ}C$ for Ti-6Al-4V alloy and above 700$^{\circ}C$ for Ti-10Ta-10Nb alloy respectively. It was analysed that the passive film of the Ti alloys consisted of TiO2 through X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis. It is found out by cytotoxicity test that moderate oxidation treatment lowers cell toxicity, and Ti-10Ta-10Nb alloy showed better result compared to Ti-6Al-4V alloy.
W-10 wt% Ti alloys that have a homogeneous microstructure are prepared by thermal decomposition of $WO_3-TiH_2$ powder mixtures and spark plasma sintering. The reduction and dehydrogenation behavior of $WO_3$ and $TiH_2$ are analyzed by temperature programmed reduction and a thermogravimetric method, respectively. The X-ray diffraction analysis of the powder mixture, heat-treated in an argon atmosphere, shows W- oxides and $TiO_2$ peaks. Conversely, the powder mixtures heated in a hydrogen atmosphere are composed of W, $WO_2$ and $TiO_2$ phases at $600^{\circ}C$ and W and W-rich ${\beta}$ phases at $800^{\circ}C$. The densified specimen by spark plasma sintering at $1500^{\circ}C$ in a vacuum using hydrogen-reduced $WO_3-TiH_2$ powder mixtures shows a Vickers hardness value of 4.6 GPa and a homogeneous microstructure with pure W, ${\beta}$ and Ti phases. The phase evolution dependent on the atmosphere and temperature is explained by the thermal decomposition and reaction behavior of $WO_3$ and $TiH_2$.
Kothari, Kunal;Radhakrishnan, Ramachandran;Sudarshan, Tirumalai S.;Wereley, Norman M.
Advances in materials Research
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v.1
no.1
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pp.51-74
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2012
A powder metallurgy-based rapid consolidation technique, Plasma Pressure Compaction ($P^2C^{(R)}$), was utilized to produce near-net shape parts of gamma titanium aluminides (${\gamma}$-TiAl). Micron-sized ${\gamma}$-TiAl powders, composed of Ti-50%Al and Ti-48%Al-2%Cr-2%Nb (at%), were rapidly consolidated to form near-net shape ${\gamma}$-TiAl parts in the form of 1.0" (25.4 mm) diameter discs, as well as $3"{\times}2.25"$ ($76.2mm{\times}57.2mm$) tiles, having a thickness of 0.25" (6.35 mm). The ${\gamma}$-TiAl parts were consolidated to near theoretical density. The microstructural morphology of the consolidated parts was found to vary with consolidation conditions. Mechanical properties exhibited a strong dependence on microstructural morphology and grain size. Because of the rapid consolidation process used here, grain growth during consolidation was minimal, which in turn led to enhanced mechanical properties. Consolidated ${\gamma}$-TiAl samples corresponding to Ti-48%Al-2%Cr-2%Nb composition with a duplex microstructure (with an average grain size of $5{\mu}m$) exhibited superior mechanical properties. Flexural strength, ductility, elastic modulus and fracture toughness for these samples were as high as 1238 MPa, 2.3%, 154.58 GPa and 17.95 MPa $m^{1/2}$, respectively. The high temperature mechanical properties of the consolidated ${\gamma}$-TiAl samples were characterized in air and vacuum and were found to retain flexural strength and elastic modulus for temperatures up to $700^{\circ}C$. At high temperatures, the flexural strength of ${\gamma}$-TiAl samples with Ti-50%Al composition deteriorated in air by 10% as compared to that in vacuum. ${\gamma}$-TiAl samples with Ti-48%Al-2%Nb-2%Cr composition exhibited better if not equal flexural strength in air than in vacuum at high temperatures.
Park, Kyoung-Woo;Hur, Sung-Gi;Nguyen, Duy Cuong;Ahn, Jun-Ku;Yoon, Soon-Gil
Korean Journal of Metals and Materials
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v.47
no.9
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pp.591-596
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2009
$TiN_xO_y/TiN_x$ multi-layer thin films with a high resistance(${\sim}k{\Omega}$) were deposited on $SiO_2/Si$ substrates at room temperature by sputtering. The $TiN_x$ thin films show island and smooth surface morphology in samples prepared by ${\alpha}$ and RF magnetron sputtering, respectively. $TiN_xO_y/TiN_x$ multi-layer in has been developed to control temperature coefficient of resistance(TCR) by the incorporation of $TiN_x$ layer(positive TCR) inserted into $TiN_xO_y$ layers(negative TCR). Electrical and structural properties of sputtered $TiN_xO_y/TiN_x$ multi-layer films were investigated as a function of annealing temperature. In order to achieve a stable high resistivity, multi-layer films were annealed at various temperatures in oxygen ambient. Samples annealed at $700^{\circ}C$ for 1 min exhibited good TCR value of approximately $-54 ppm/^{\circ}C$ and a stable high resistivity around $20k{\Omega}/sq$. with good reversibility.
To compare the photocatalytic performances of titania for purification of waste water according to applied voltages and doping, $TiO_2$ films were prepared in a 1.0 M $H_2SO_4$ solution containing $NH_4F$ at different anodic voltages. Chemical bonding states of F-N-codoped $TiO_2$ were analyzed using surface X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The photocatalytic activity of the co-doped $TiO_2$ films was analyzed by the degradation of aniline blue solution. Nanotubes were formed with thicknesses of 200-300 nm for the films anodized at 30 V, but porous morphology was generated with pores of 1-2 ${\mu}m$ for the $TiO_2$ anodized at 180 V. The phenomenon of spark discharge was initiated at about 98 V due to the breakdown of the oxide films in both solutions. XPS analysis revealed the spectra of F1s at 684.3 eV and N1s at 399.8 eV for the $TiO_2$ anodized in the $H_2SO_4-NH_4F$ solution at 180 V, suggesting the incorporation of F and N species during anodization. Dye removal rates for the pure $TiO_2$ anodized at 30 V and 180 V were found to be 14.0% and 38.9%, respectively, in the photocatalytic degradation test of the aniline blue solution for 200 min irradiation; the rates for the F-N-codoped $TiO_2$ anodized at 30 V and 180 V were found to be 21.2% and 65.6%, respectively. From the results of diffuse reflectance absorption spectroscopy (DRS), it was found that the absorption edge of the F-N-codoped $TiO_2$ films shifted toward the visible light region up to 412 nm, indicating that the photocatalytic activity of $TiO_2$ is improved by appropriate doping of F and N by the addition of $NH_4F$.
Microstructure and mechanical properties of $(Ti_{1-x}Alx)N$ films, Produced by the the Ion Beam Sputtering(IBS) method, were studied by changing the Ti, Al contents. The compositions of films determined by RBS were $(Ti_{0.75}Al_{0.25})N$, $(Ti_{0.61}Al_{0.39})N$ and $(Ti_{0.5}Al_{0.5})N$, and XPS binding energies of Ti2P, A12p and N1s shifted to higher energies than those of pure Ti, Al and N, which indicated that nitrides were formed. XRD results indicated that the NaCl structure for $$x{\leq_-}0.39$$ changed into amorphous structure at x=0.5. For films with $$x{\leq_-}0.39$$, the lattice parameter decreased in proportion to the Al content. Nanoindentation hardness value were above HV=3300 at Al content up to x=0.39. However, the hardness of films with x=0.5 abruptly decreased to HV=1800, and this lower hardness values were attributed to different crystal structure. Critical load(Lc) in scratch test showed 23N at x=0.25, 22N at x=0.39 and 22N at x=0.5, which indicated that films with different Al contents showed similar adhesion behavior.
Septiadi, Arifin;Fitriani, Pipit;Sharma, Amit Siddharth;Yoon, Dang-Hyok
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.54
no.4
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pp.340-348
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2017
$SiC_f/SiC$ composites were joined using a $60{\mu}m-thick$$Ti_3AlC_2$ or $Ti_3SiC_2$ MAX phase tape. The filler tape was inserted between the $SiC_f/SiC$ composites containing a 12 wt.% $Al_2O_3-Y_2O_3$ sintering additive. The joining was performed to a butt-joint configuration at $1600^{\circ}C$ or $1750^{\circ}C$ in an Ar atmosphere by applying 3.5 MPa using a hot press. Microstructural and phase analyses at the joining interface confirmed the decomposition of $Ti_3AlC_2$ and $Ti_3SiC_2$, indicating the joining by solid-state diffusion. The results showed sound joining interface without the presence of cracks. Joining strengths higher than 150 MPa could be obtained for the joints using $Ti_3AlC_2$ or $Ti_3SiC_2$ at $1750^{\circ}C$, while those for joined at $1600^{\circ}C$ decreased to 100 MPa approximately without the deformation of the joining bodies. The thickness of initial filler tape was reduced significantly after joining because of the decomposition and migration of MAX phase owing to the plasticity at high temperatures.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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