• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2000.01a
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• pp.171-174
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• 2000

This study uses neon and xenon gas mixture discharges to determine the effects of the neon plasma emission on the characteristics of visible emission from the stimulation of the red, green, blue(RGB) phosphor layers in a surface-type alternate current plasma display panel(AC PDP). With a mixture of less than 2% xenon to neon, it is found that the luminance changes in the visible emission of the phosphor layers are similar to those of the neon plasma emission. In the range of xenon mix ratio from 2 to 5%, the luminance of the red, green, blue(RGB) phosphor layers decreases with a decrease in the neon plasma emission intensity. However, with a mixture of above 5% xenon to neon, the luminance of the red, green, blue(RGB) phosphor layers increases regardless of a decrease in the neon plasma emission intensity. Furthermore, the color purity of the red, green, blue(RGB) phosphor layers improve as the neon plasma emission intensity decreases. Accordingly, it is concluded that the optical properties of the phosphor layers, including color purity and luminance, depend on the neon plasma discharge emission as well as the visible emission from the stimulation of the phosphor layers.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1999.07e
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• pp.2236-2238
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• 1999

This paper deals with the surface glow discharge characteristics and some physical properties of MgO thin films prepared by RF unbalanced magnetron sputtering(UBMS) in surface discharge type AC PDP. The minimum discharge voltage is obtained for the sample of substrate holder bias voltage -10V. The main factors that improves the discharge characteristics by applied bias voltage is considered to be due to the morphology changes or crystal structure of the MgO thin film by ion bombardment during deposition process Moreover, the anti-sputtering characteristics of MgO thin film by UBMS is more excellent than that of balanced magnetron sputtering(BMS) and E-beam evaporation method.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1998.07e
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• pp.1761-1763
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• 1998

ITO(Iridium-Tin Oxide) thin film, as discharge electrodes in AC PDP, should have low resistivity and high transparency. Regarded as a high deposition rate method, the ITO thin film fabricated by the facing target sputtering system has been studied in this paper. The electrical property of the ITO film deposited below $150^{\circ}C$ is not satisfied. The SEM pictures show that the ITO films deposited below $150^{\circ}C$ are amorphous. After being annealed the amorphous ITO films become crystalline, and for this reason, the electrical property of amorphous ITO films can be effectively improved by annealing process. An ITO film with the resistivity as low as $1.99{\times}10^{-4}$ and transparency above 85% has be gotten after vacuum annealing at $300^{\circ}C$ for 2 hours while deposited at $75^{\circ}C$. The corresponding deposition rate is $220{\AA}/min$.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2007.08a
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• pp.29-32
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• 2007

We analyzed the effect of cell resolution on the luminous efficacy through three-dimensional numerical simulation to understand the inherent discharge mechanism change in the plasma display panel. As the resolution increases from VGA to Full HD, the luminous efficacy decreases. With higher Xe content, VUV generation efficacy of Full HD becomes much lower than those of VGA or XGA cells, due to the increased plasma loss and lower electron heating. However a long electrode gap $140{\mu}m$ in Full HD cell with Ne-Xe [20%] results in the high luminous efficacy comparable to that of the XGA cell with $60{\mu}m$ gap. When comparing the effects of Xe content variation on the luminous efficacy of two different subpixel types, i. e., SDE (Segmented electrode in Delta color arrayed, Enclosed subpixel) [1] and conventional stripe barrier type in the XGA and Full HD cells, the luminous efficacy of SDE structure shows higher improvement in Full HD resolution compared with that of conventional type XGA cell, whose cause is identified as the reduced plasma loss.

• Journal of Information Display
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• v.8 no.3
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• pp.29-33
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• 2007

The temporal dark image sticking phenomena are examined and compared for the two different electrode structures such as the face-to-face and coplanar sustain electrode structure. To compare the temporal dark image sticking phenomena for both structures, the differences in the infrared emission profile, luminance, and perceived luminance of the image sticking cells and the non image sticking cells were measured. It is observed that the temporal dark image sticking is mitigated for the face-to-face structure. The mitigation of the temporal dark image sticking for the face-to-face structure is due to the slight increase in the panel temperature induced by the ITO-less electrode structure.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2002.05a
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• pp.153-157
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• 2002

This paper deals with the relationships between MgO manufacturing condition and misfiring at low temperature. The characteristics of MgO are affected by substrate temperature and MgO deposition current. In this study. the. substrate temperature was varied from $100^{\circ}C$ to $200^{\circ}C$. And the MgO deposition current was varied from 5mA to 20mA. As a result. the misfiring at low temperature was decreased in the panels with substrate temperature $200^{\circ}C$ and MgO deposition current 5mA. These results may be explained that the higher substrate temperature and lower MgO deposition current makes the denser film formation.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.420-420
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• 2010

AC PDP에서 유전체 보호막으로 사용되는 MgO 박막은 높은 이차전자방출계수($\gamma$)로 인해 방전전압을 낮춰주는 중요한 역할을 하고 있다. 이러한 MgO 보호막의 이차전자방출계수를 증가시키기 위해 MgO 의 Energy Band Structure 규명이 중요한 연구 주제가 되고 있다. MgO의 이차전자방출계수($\gamma$)는 Auger 중화 이론에 의해 방출 메커니즘이 설명이 되고, 그 원리는 다음과 같다. 고유의 이온화 에너지를 가진 이온이 MgO 표면에 입사 되면, Tunneling Effect에 의해 전자와 이온 사이에 중화가 일어나고, 중화가 되고 남은 에너지가 MgO Valance Band 내의 전자에게 전달되면 이때 남은 에너지(${\Delta}E$)가 MgO의 일함수(Work function) 보다 크게 되면 이차전자로 방출된다. 본 실험 에서는 $\gamma$-FIB System을 이용하여 결정 방향이 (100), (110), (111)을 갖는 Single Crystal MgO에 이온화 에너지가 24.58eV인 He Ion source를 주사 하였을 때 Auger self-convolution을 통해 이차전자의 운동 에너지 분포를 구하고, 이를 통해 MgO 내의 Energy Band Structure를 실험적으로 측정하였다. 이를 통해 MgO Single Crystal의 일함수 및 Defect Level의 분포를 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.229-229
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• 1999

교류형 플라즈마 방전 표시기(AC Plasma Display Panel, AC PDP)의 구동에서의 방전 현상은 기입방전, 유지방전, 소거 방전이 있다. 이중 유지 방전은 표시장치로서의 휘도와 계조의 표현을 위한 방전으로 표시기로서의 효율을 결정하게 된다. 본 연구에서는 유지 방전 전압의 상승 시간의 변화에 따른 방전현상과 휘도, 효율의 변화를 살펴 보았다. 방전 현상에서의 가장 큰 변화는 교류형 플라즈마 방전 표시기의 방전 개시 전압과 방전 유지 전압의 변화이다. 유지 전압의 상승시간이 증가할수록 방전 개시 전압과 방전 유지 전압의 변화이다. 유지 전압의 상승 시간이 증가할수록 방전 개시 전압과 방전 유지 전압의 차(sustain margin)는 감소하여 상승 시간이 1$\mu$s/100V 이상의 영역에서는 방전 개시 전압과 방전 유지 전압이 차이가 없어지게 된다. 이는 방전 유지 전극 위의 유전체에 쌓이게 되는 벽전하(wall charge) 양의 감소에 의한 방전 약화의 영향을 보여질 수 있다. 그러나 방전 유지 전압의 형태와 전류의 시간적인 변화를 살펴보면 이러한 약한 방전은 벽전하의 감소에 의한 방전 시의 전계 감소보다는 방전 전류의 발생 시간이 방전 전압이 증가하여 최고점에 이르지 못한 시간에 위치하여 방전이 형성될 때의 전계가 강하지 못하기 때문인 것을 알 수 있다. 방전 전류를 측정한 결과에 의하면 방전 전류의 시작은 변위 전류가 흐르고 난 후부터 시작되며 그 결과 방전 전류가 최고점에 도달하는 시간은 방전 전압 상승 시간이 길어질수록 낮은 전압에서 형성되게 된다. 또한 방전 유지 전압의 상승 시간이 길어질수록 플라즈마 방전표시기의 휘도와 효율은 낮아지고 이 결과 또한 약한 전계에서의 방전에 의한 결과로 생각되어진다.플라즈마의 강도값을 입력하여 플라즈마의 radiation을 검출하고, 스퍼터링 공정중 실질적인 in-situ 정보로 이용하였다. PEM을 통하여 In/Sn의 플라즈마 강도변화를 조사하였다. 초기 In/Sn의 플라즈마 강도(intensity)는 강도를 100하여, 산소를 주입한 결과, plasma intensity가 35 줄어들었고, 이때 우수한 ITO 박막을 얻을 수 있었다. Pulsed DC power를 사용하여 아크 현상을 방지하였다. PET 상에 coating 된 ITO 박막의 표면저항과 광투과도는 4-point prove와 spectrophotometer를 이용하여 분석하였고, AES로 박막의 두께에 따른 성분비를 확인하였다. ITO 박막의 광투과도는 산소의 유량과 sputter 된 In/Sn ion의 plasma emission peak에 따라 72%-92%까지 변화하였으며, 저항은 37$\Omega$/$\square$ 이상을 나타내었다. 박막의 Sn/In atomic ratio는 0.12, O/In의 비율은 In2O3의 화학양론적 비율인 1.5보다 작은 1.3을 나타내었다.로 보인다.하면 수평축과 수직축의 분산 장벽의 비에 따라 cluster의 두께비가 달라지는 성장을 볼 수 있었고, 한 축 방향으로의 팔 넓이는 fcc(100) 표면의 경우 동일한 Ed+Ep값에 대응하는 팔 넓이와 거의 동일한 결과가 나타나는 것을 볼 수 있다. 따라서 이러한 비대칭적인 모양을 가지는 성장의 경우도 cluster 밀도, cluster 모양, cluster의 양 축 방향 길이 비, 양 축 방향의 평균 팔 넓이로부터 각 축 방향의 분산 장벽을 얻어낼 수 있을 것으로 보인다. 기대할 수 있는 여러 장점들을 보고하고자 한다.성이 우수한 시

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.15 no.1
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• pp.13-21
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• 2001

The discharge characteristics of 3 electrcdes AC surface discharge plasma display were analyzed. For an unstable state of the discharge which appeared at the maximum discharge voltage, it is found that a parbal erase of the wall charge by the second discharge is a cause. Based on the second discharge, new operation margin considering the interrelation between the address discharge and the display discharge was defined and the validity of it was verified by the experiments. It is necessary to decrease the acklress pulse width for high-speed addressing. However, the operation margin of the ackIress pulse decreases as the pulse width of it becomes narrower. If the address pulse width is wider than l[ps], the operation margin of the display discharge is not related to the address pulse width. From the experimental result, image or 8bit 253 gray level was displayed on PDP with the cell structure of the HDTV class by using the high-speed address ADS drive methcd with pulse width of $1[{\mu}s]$ and the brightness of $560[cd/m^2]$ was obtained. ained.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.15 no.3
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• pp.259-265
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• 2006

We measured sputtering yield of RF $O_2-plasma$ treated MgO protective layer for AC-PDP(plasma display panel) using a Focused ion Beam System(FIB). A 10 kV acceleration voltage was applied. The sputtering yield of the untreated sample and the treated sample were 0.33 atoms/ion and 0.20 atoms/ion, respectively. The influence of the plasma-treatment of MgO thin film was characterized by XPS and AFM analysis. We observed that the binding energy of the O 1s spectra, the FWHM of O 1s spectra and the RMS(root-mean-square) of surface roughness decreased to 2.36 eV, 0.6167 eV and 0.32 nm, respectively.