Al doped ZnO (AZO) thin film was deposited by using Facing Target Sputtering (FTS) system. This work examined the properties of AZO thin film as a function of the substrate temperature. The sputtering targets were 4 inch diameter disks of AZO (ZnO : $Al_2O_3$ = 98 : 2 wt.% ). The properties of electrical, structural and optical were investigated by 4-point probe, Hall effect measurement, x-ray diffractometer (XRD), field-emitting scanning electron microscopy (FE-SEM), and UV/VIS spectrometer. The lowest resistivity of films was $5.67{\times}10^{-4}{\Omega}.cm$ and the average optical transmittance of the films was above 85% in the visible range.
In this paper, on-chip antennas applicable to ultra low power wireless transceiver are designed and evaluated. Using $0.18{\mu}m$ SiGe MMIC process, 4 types of antenna with $1{\times}1mm^2$ dimensions are fabricated. The on-wafer measurement in a microwave probe station is conducted to measure the input VSWR and antenna performance of the designed on-chip antenna. Performance evaluation results show that developed antennas can be easily integrated into one-chip RF transceiver for ubiquitous applications, including WPAN and human body communications.
A conductive PANI solution was successfully fabricated by doping with camphorsulfonic acid and the polymerization of aniline and the confirmation of doping were characterized by FTIR spectroscopy. In organic thin film transistors, PANI gate electrodes were spin-coated on a PES substrate and their conductivity variations were monitored by a 4-probe method with different annealing temperatures. The surface properties of PANI thin films were investigated by an AFM and an optical microscope, OTFTs with PANI gate electrode had characteristics of carrier mobility as large as 0.15 $cm^2$/Vs and on/off ratio of $2.4{\times}10^6$, Au gate OTFTs with the same configuration were fabricated to investigate the effect of polymer gate electrode for the comparison of device performances. We could obtain the comparable performances of PANI devices to those of Au gate devices, resulting in an excellent alternative as an electrode in flexible OTFTs instead of an expensive Au electrode.
The study was conducted surveying ultrasound room workers on hospital infection awareness in Daejeon and Choong-chunng region. The contamination of ultrasonic probes used in clinical trials was measured using ATP, and the results were verified after using 70% alcohol sterilization. It was measured on the group's general characteristics and the specific categories such as academic background, job type, having professional certificate and infection education. After the examination, the gel removal and method, disinfection status of the probe and variable correlation analysis were performed to analyze the recognition of the ultrasonic probe disinfection. After examination in ultrasound room, it was found that towels were used the most for cleaning, and the gel container was not replaced for more than three months. After 70% alcohol disinfection, ATP contamination was reduced from $1055.4{\pm}944.2$ to $133.5{\pm}93.2$ and the result was analyzed to be statistically significant.(${\rho}<0.01$) The found bacteria were CNS, Gram positive bacillus, and Micrococcus specs. In order to solve this problem, 70% alcohol sterilization was applied and the bacteria were not detected after the treatment. The research shows that regular training on infection control and efforts to prevent infection are necessary, and that 70% alcohol is effective in disinfect the bacteria. Therefore, the medical institution should provide active hospital infection control education to improve the awareness of hospital infection among workers and contribute to the prevention of patient infection. It is also understood that proper use of the results of this study will help prevent infection by means of ultrasonic probes.
Kim Jong-Ahn;Kim Jae Wan;Park Byong Chon;Eom Tae Bong;Kang Chu-Shik
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.22
no.4
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pp.84-91
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2005
We measured the pitch of one-dimensional (ID) grating specimens using a metrological atomic force microscope (M-AFM). The ID grating specimens a.e often used as a magnification standard in nano-metrology, such as scanning probe microscopy (SPM) and scanning electron microscopy (SEM). Thus, we need to certify the pitch of grating specimens fur the meter-traceability in nano-metrology. To this end, an M-AFM was setup at KRISS. The M-AFM consists of a commercial AFM head module, a two-axis flexure hinge type nanoscanner with built-in capacitive sensors, and a two-axis heterodyne interferometer to establish the meter-traceability directly. Two kinds of ID grating specimens, each with the nominal pitch of 288 nm and 700 nm, were measured. The uncertainty in pitch measurement was evaluated according to Guide to the Expression of Uncertainty in Measurement. The pitch was calculated from 9 line scan profiles obtained at different positions with 100 ㎛ scan range. The expanded uncertainties (k = 2) in pitch measurement were 0.10 nm and 0.30 nm for the specimens with the nominal pitch of 288 nm and 700 nm. The measured pitch values were compared with those obtained using an optical diffractometer, and agreed within the range of the expanded uncertainty of pitch measurement. We also discussed the effect of averaging in the measurement of mean pitch using M-AFM and main components of uncertainty.
Nickel mono-silicide(NiSi) shows no increase of resistivity as the line width decreases below 0.15$\mu\textrm{m}$. Furthermore, thin silicide can be made easily and restrain the redistribution of dopants, because NiSi in created through the reaction of one nickel atom and one silicon atom. Therefore, we investigated the deposition condition of Ni films, heat treatment condition and basic properties of NiSi films which are expected to be employed for sub-0.15$\mu\textrm{m}$ class devices. The nickel silicide film was deposited on the Si wafer by using a dc-magnetron sputter, then annealed at the temperature range of $150~1000^{\circ}C$. Surface roughness of each specimen was measured by using a SPM (scanning probe microscope). Microstructure and qualitative composition analysis were executed by a TEM-EDS(transmission electron microscope-energy dispersive x-ray spectroscope). Electrical properties of the materials at each annealing temperature were measured by a four-point probe. As the results of our study, we may conclude that; 1. SPM can be employed as a non-destructive process to monitor NiSi/NiSi$_2$ transformation. 2. For annealing temperature over $800^{\circ}C$, oxygen pressure $Po_2$ should be kept below $1.5{\times}10^{-11}torr$ to avoid oxidation of residual Ni. 3. NiSi to $NiSi_2$ transformation temperature in our study was $700^{\circ}C$ from the four-point probe measurement.
Kim, Taeho;Kim, Jonghyeon;Kim, Sungjun;Kim, Kwangho;Pu, Bo;Nah, Wansoo
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.25
no.5
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pp.559-575
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2014
In this paper, we propose a horizontal/vertical calibration kit for calibrating a vector network analyzer(VNA) to measure the vertical connector pin. If the conventional calibration kit is used, we should change the arm for a probe or need an assistant device and it takes a long time. In addition there is a risk of precision degradation caused by the position change of the probe tip sensitive to the surroundings. We suggest a 4-port vertical calibration kit to make up for the aforementioned shortcomings. The calibration kit was manufactured for the SOLT calibration method. 'Short', 'Open', and 'Load' are available in the horizontal plane, 'Thru' is available not only in the horizontal plane on the two planes of a PCB, but in the vertical plane between the two planes according to the positions of the probes. We complemented the conventional calibration kit to make a vertical calibration kit to be used for the vertical measurement method. We compared and analysed their reflection/transfer characteristics of the SOLT calibration standards of the proposed calibration kit and conventional one, we get a ${\pm}0.1$ dB differences of transfer characteristics in the range from 300 kHz to 8.5 GHz. In order to demonstrate usefulness, and we performed a case study for horizontal and vertical cases, and compared the results of the proposed calibration kit and conventional one.
The electrical properties of the mixed conducting yttria(8 mol%) stabilized zirconia(YSZ)-nickel oxide(NiO) composites were examined by a.c. impedance, 4-probe d.c. conductivity between 400 and $1000^{\circ}C$. The oxygen partial pressure dependence of conductivity, and electromotive force measurement of galvanic cell enabled to determine the electronic contribution to the conduction. Up to 6 vol% NiO addition, the conductivity decreased since the electronic NiO acted as an insulator in ionic matrix. However the ionic transport was dominant until NiO content reaches 26 vol%. Mixed conduction was observed between 26 and 68 vol% of NiO. The effect of composition on the electrical property was explained by the microstructure and thus by the distribution of two phases.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.31
no.4
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pp.483-489
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2007
We have investigated quantitative measurement techniques of the degree of dispersion of single-walled carbon nanotubes (SWNTs). SWNTs were suspended in aqueous media using a sodium dodecyl sulfate (SDS) surfactant. SWNTs with different dispersion states were prepared by controlling the intensity and time of sonication and centrifugation. The laser spectroscopic techniques were employed to characterize the dispersion state; i.e., raman fluorescence and absorption spectroscopic techniques. Raman spectroscopy has been used to probe the dispersion and aggregation state of SWNTs in solution. Individually suspended SWNTs show increased fluorescence peaks and decreased roping peaks at a raman shift 267 $cm^{-1}$ compared with the samples containing bundles of SWNTs. The ultraviolet-visible-near infrared (UV-vis-NIR) absorption spectrum of decanted supernatant samples show sharp van Hove singularity peaks
A case of course-embedded assesment in electronic engineering was studied. In particular, a realistic evaluation system was developed in consideration of characteristics of the major field and university realities. 10 program outcomes were mapped with all courses in the program. 5 probe courses were selected and their course learning objectives were defined. Measurements of the course learning objective were made by term project and written course test. With using course-embedded assesment, the measurement system of the program outcomes should be changed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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