• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2004년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.371-374
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• 2004

In this paper, Ni Germane-silicide formed on undoped $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ as well as source/drain dopants doped $Si_{0.8}Ge_{0.2}$ was characterized by the four-point probe for sheet resistance. x-ray diffraction (XRD), x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and field emission scanning electron microscope (FESEM). Low resistive NiSiGe is formed by one step RTP (Rapid thermal processing) with temperature range at $500{\~}700^{\circ}C$. To enhance the thermal stability of Ni Germane-silicide, Ni/Co/TiN structure with different Co concentration were studied in this work. Low sheet resistance was obtained by Ni/Co/TiN structure with high Co concentration using 2-step RTP and it almost keeps the same low sheet resistance even after furnace annealing at $650^{\circ}C$ for 30 min.

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권4호
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• pp.48-56
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• 1999

본 논문에서는 초기 산소 농도가 고에너지 이온 주입시 결정 격자 손상에 의해 발생하는 산소 축적(pileup) 현상 및 주입된 불순물의 확산에 미치는 영향을 실험적으로 고찰하였다. 초기 산소 농도가 11.5, 15.5 ppma인 p-type (100)실리콘 웨이퍼에 \sup 11\B\sup +\ \sup 31\P\sup +\ 이온을 각각 1.2 MeV, 2.2 MeV 의 에너지로 1×10\sup 15\cm\sup 2\ 주입하고, 700℃(20시간)+1000℃(10시간)의 2단계 열처리를 거치 후 주입된 불순물 및 산소 농도의 분포를 이차이온질량분석기 (Secondary Ion Mass Spectrometry, SIMS)로 관찰하였으며 잔류 2차 결함의 분포는 투과전자현미경(Transmission Electron Microscopy, TEM)으로 관찰하였다. SIMS 측정 결과 산소의 축적이 {{{{ { R}_{ } }}}}\sub p\(projected range) 부근에서 관찰되었으며 열처리 후에도 상당한 양의 2차 결합 띠가 {{{{ { R}_{ } }}}}\sub p\부근에서 관찰되는 것으로 보아 2차 결함에 의해 산소가 포획되었음을 알 수 있다. 또한 붕소와 인의 확산은 웨이퍼의 초기 산소 농도가 클수록 벌크 방향으로의 확산이 증대되는 현상을 볼 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.150-150
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• 2010

질화물 기반의 LED의 경우 c-plane 사파이어에 GaN을 성장 하는 방법이 많이 연구되어 왔다. 그러나 c-plane 위에 성장시킨 LED는 분극현상이 발생하여 양자효율의 저하와 발광파장의 적색 편이를 야기한다[1]. 이런 문제를 해결하기 위하여 a-plane (11-20), m-plane (10-10) 등의 비극성면을 갖는 GaN을 성장을 통해 분극문제를 해결하고자 하는 방법이 제안되었다 [2] 하지만, 현재 비극성 면을 갖는 고품질의 박막을 성장시키기 어렵다는 단점이 존재한다. 고품질의 박막을 성장시키는 방법으로는 ELO와 다중 버퍼층의 사용처럼 여러가지 방법이 연구되고 있다. 하지만 사파이어의 tilt와 열처리에 따른 표면 개질에 대한 연구는 많이 진행되어지고 있지 않다. 본 연구에서는 사파이어에 열처리를 통하여 표면의 특성 변화를 관찰하고 이를 이용하여 고품위 GaN 박막의 품질을 높이려 하였다. r-plane 사파이어에 유기금속화학증착법(MOCVD)을 이용하여 a-plane GaN을 성장하였다. 이 공정에서 사용한 pre-treatment는off-axis angle을 가진 기판의 표면 열처리이다A-plane GaN 성장전에 m-direction으로 off-axis angle을 가진 r-plane 사파이어 기판을 1300도로 가열한 후 각각의 다른 시간에서 열처리를 진행하였다. Off-axis angle을 가진 사파이어는 표면에 step구조를 가지고 있으며, 이 step의 width를 비롯한 표면의 morphology는 off-axis angle에 따라 달라진다. Off-axis angle을 변화시킨 사파이어를 1300도에서 1시간, 3시간, 5시간 annealing하여 표면을 AFM을 사용하여 관측한 결과 step width가 증가하고 step의 형태가 뚜렷해지며 rms-roughness가 변화한 것을 관찰할 수 있었다. 그리고 이 각각의 기판을 동일한 조건으로 a-plane GaN을 성장하여 박막의 특성을 측정하였다. 본 발표에서는 사파이어 기판의 표면 처리에 따른 비극성 GaN의 특성 변화에 대한 분석 결과를 논의할 것이다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제34권7호
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• pp.2067-2072
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• 2013

Hydrogen ($H_2$) treatment using a two-step $TiO_2$ nanotube (TONT) film was performed under various annealing temperatures from $350^{\circ}C$ to $550^{\circ}C$ and significantly influenced the extent of hydrogen treatment in the film. Compared with pure TONT films, the hydrogen-treated TONT (H:TONT) film showed substantial improvement of material features from structural, optical and electronic aspects. In particular, the extent of enhancement was remarkable with increasing annealing temperature. Light absorption by the H:TONT film extended toward the visible region, which was attributable to the formation of sub-band-gap states between the conduction and valence bands, resulting from oxygen vacancies due to the $H_2$ treatment. This increased donor concentration about 1.5 times higher and improved electrical conductivity of the TONT films. Based on these analyses and results, photoelectrochemical (PEC) performance was evaluated and showed that the H:TONT film prepared at $550^{\circ}C$ exhibited optimal PEC performance. Approximately twice higher photocurrent density of 0.967 $mA/cm^2$ at 0.32 V vs. NHE was achieved for the H:TONT film ($550^{\circ}C$) versus 0.43 $mA/cm^2$ for the pure TONT film. Moreover, the solar-to-hydrogen efficiency (STH, ${\eta}$) of the H:TONT film was 0.95%, whereas a 0.52% STH efficiency was acquired for the TONT film. These results demonstrate that hydrogen treatment of TONT film is a simple and effective tool to enhance PEC performance with modifying the properties of the original material.

• Journal of Magnetics
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• 제9권4호
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• pp.101-104
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• 2004

The crystallization behaviours of nanocomposite made by a function of quenching rate (roller speed) were studied. The results showed that there was one step c$\mathbb{r}$ystallization process for the alloy quenched at roller speed of 32 m/s, which could be shown as, Am (amorphouse) + ${\alpha}-Fe/Nd_2Fe_{14}B$ ${\rightarrow}$ ${\alpha}-Fe/Nd_2Fe_{14}B$ . For the alloy quenched at roller speed of 40 m/s, there was steps crystallization process taking place at different temperatures, which could be shown as, Am ${\rightarrow}$ ${\alpha}-Fe/Nd_2Fe_{23}B_3+Nd_2Fe_{14}B+Am`$ ${\rightarrow}$ ${\alpha}-Fe/Nd_2Fe_{14}B$. The presence of transition phase ($Nd_2Fe_{23}B_3$) was harmful to get fine and uniform grain size during crystallization process. Uniform microstructures and high magnetic properties could be attained for the as-quenched alloy containing less amorphous phase and no presence of transition phase during annealing treatment. For the alloy prepared at roller speed of 32 m/s, the following properties were obtained, $B_r= 0.904 T,_iH_c = 801 kA/m, (BH)_{max} = 122 kJ/m^3 and M_r/M_s = 0.6$.

• 자원리싸이클링
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• 제9권2호
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• pp.46-52
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• 2000

사용한 알루미늄 캔을 다시 캔으로 재활용 하는 단계는 폐캔의 수집, 폐쇄, 선별, 도료제거, 용해 및 2차지금을 제작하는 단계와 이 2차지금을 이용하여 열처리, 열간 및 냉간압연, 중간소둔처리 등을 거쳐 다시 캔을 성형하는 단계로 나눌수 있다. 본 연구에서는 2차지금에서 켄성형까지의 과정에서 중요한 요소인 미세조직 및 열간압연후의 집합조직에 미치는 합금원소의 영향을 조사하였다. 폐캔을 이용하여 다시 캔을 제조하기 위한 판재가공에서는 주조시 형성된 공석상들의 구형화와 $\alpha$상 ($Al_{12}(Fe, Mn)_3Si)$)으로의 상변화 제어가 필요한데, 열처리에 의한 석출거동을 조사하여 $615^{\circ}C$, 5시간 균질화 처리조건에서 최적의 미세조직을 얻을 수 있었다. 2차자금을 이용하여 캔소재를 제조한 결과, Mn량이 증가할수록 고용효과에 의해 전기전도도는 감소하고 집합조직의 발달이 억제되었다. Si 과 Fe는 금속간화합물 형태로 존재하며, 함량이 증가할수록 석출효과에 의해 전기전도도가 증가하고 변형집합조직의 발달이 촉진되었다. 캔은 냉간압연후 다른처리 없이 바로 제조되기 때문에 집합조직의 제어는 열간압연 및 소둔처리 단계에서 제어되어야 한다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제8권3호
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• pp.19-23
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• 2009

We have studied dielectric characteristics of low-k interlayer dielectric materials was fabricated by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). BTMSM precursor was introduced with the flow rates from 24 sccm to 32 sccm by 2 sccm step in the constant flow rate of 60 sccm $O_2$. Then, SiOCH thin film deposited at room temperature was annealed at temperature of $400^{\circ}C$ and $500^{\circ}C$ for 30 minutes in vacuum. The vibrational groups of SiOCH thin films were analyzed by FT/IR absorption lines, and the dielectric constant of the low-k SiOCH thin films were obtained by measuring C-V characteristic curves. With the result that FTIR analysis, as BTMSM flow rate increase, relative carbon content of SiOCH thin film increased from 29.5% to 32.2%, and increased by 32.8% in 26 sccm specimen after $500^{\circ}C$ annealing. Dielectric constant was lowest by 2.32 in 26 sccm specimen, and decreased more by 2.05 after $500^{\circ}C$ annealing. Also, leakage current is lowest by $8.7{\times}10^{-9}A/cm^2$ in this specimen. In the result, shift phenomenon of chemical bond appeared in SiOCH thin film that BTMSM flow rate is deposited by 26 sccms, and relative carbon content was highest in this specimen and dielectric constant also was lowest value

• Progress in Superconductivity
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• 제3권2호
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• pp.247-251
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• 2002

In general, the bubbling, generated during the fabrication of the tapes, breaks the superconducting filament, and critical current of the tapes will be decreased. Heat-treatment schemes of Bi-2223/Ag HTS tapes were modified, such as pre-annealing of multi-stacked billet, 2-step main sintering and ramp rate etc. The generation of bubbling was drastically decreased from 20 bubbles/m to 0 ~ 1 bubble/m by the modified heat-treatment. Therefore, the value of critical current of the tapes without bubbling was increased almost twice higher than that of already existing tapes. Critical current up to 42 A in 40 m length Bi-22231Ag tapes have been measured at 77K, self-field, 1$mutextrm{V}$/cm criterion. It could be confirmed that elimination of bubbling is effective to maintain the superconducting property along the tape length.

• 미생물학회지
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• 제43권4호
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• pp.264-272
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• 2007

인간면역결핍바이러스(Human Immunodeficiency Virus; HIV) 진단을 위한 초고속 실시간 PCR법을 개발하였다. 검출 대상의 DNA 염기서열은 495염기 HIV-1 특이 env 유전자(gi_l184090)및 294염기 HIV-2 특이 env 유전자(gi_1332355)를 사용하였다. 초고속 실시간 PCR은 microchip에 $6\;{\mu}l$의 PCR 용액을 탑재하는 $Genspector^{TM}$ (Samsung, Korea)을 사용하였으며, PCR의 각 회전 중 단지 두 단계(denaturation, annealing/extension)를 극단적으로 짧은 시간을 주어 수행하게 하였다. 융점분석을 포함한 30회전의 PCR 검색 시간은 총7분30초 이내에 완료되었으며, HIV-1 특이 117염기와 HIV-2 특이 119염기의 PCR산물은 최소 $2.3{\times}10^3$개의 각 env 유전자로부터 30회전의 2단계 초고속 PCR에 의해 성공적으로 증폭시킬 수 있었다. 이러한 초고속 실시간 PCR법은 HIV의 빠른검색뿐 아니라, 다른 병원채의 빠른 검색에도 유용하계 적용될 수 있을 것이다.

• Journal of Magnetics
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• 제11권2호
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• pp.70-73
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• 2006

The magnetization angle and thickness dependence of magnetic anisotropy in the exchange-biased [Pd/Co]${\times}$5/FeMn multilayers with an out-of-plane anisotropy were investigated to determine the origin of perpendicular exchange biasing. As the Co thickness increased to 1.5 nm in the [Pd(0.8 nm)/Co(t)]${\times}$5/FeMn(120 nm) films, the hysteresis loops were converted from square loops at a thin Co (<0.4 nm) to complicated round ones at a thick Co. The irregularly asymmetric step (IAS) at the left top of the loop appeared in the loop of the 0.6-nm Co film due to an inhomogeneity in the exchange anisotropy. As the Pd thickness increased to 1.6 nm, the step disappeared, and the perpendicular magnetic anisotropy was maximized in the Co thickness between 0.6 and 0.9 nm. The conversion of the magnetization loop along the magnetization angle coincided with the equation $H_{(eff)}=H_o\;cos{\theta}$. The IAS of the 0.8-nm Pd film disappeared after thermal annealing up to $200^{\circ}C$ under an external magnetic field.