• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.637-640
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• 1998

A 35 ㎓ GaAs MMIC power amplifier was designed using a monolithic technology with AlGaAs/InGaAs/GaAs power PM-HEMTs, rectangualr spiral inductors and Si3N4 MIM capacitors. The GaAs power MESFETs in the input and output stages have total gate widths of 120 um and 320 um, respectively. Total S21 gain of 10.82dB and S11 of -16.26 dB were obtained from the designed MMIC power amplifier at 35 ㎓. And the chip size of the MMIC amplifier was 1.4$\times$0.8 $\textrm{mm}^2$

• BMB Reports
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• 제32권1호
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• pp.51-59
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• 1999

The Korean radish cationic peroxidase (KRCP) promoter, comprising nucleotides -471 to +704 relative to the transcriptional initiation site, was fused to the GUS gene and transformed to tobacco BY-2 cells. We examined how auxin (2,4-dichlorophenoxyacetic acid, 2,4-D), cytokinin (6-benzylaminopurine, BAP), gibberellic acid ($GA_3$), abscisic acid (ABA), methyl jasmonate (MeJA), and phosphatidic acid (PA) affect the GUS expression in the presence or absence of 2,4-D in a modified LS medium. Exogenous 2,4-D or BAP greatly decreased the GUS expression regulated by the KRCP promoter in a modified LS medium containing 0.2 mg/l 2,4-D. $GA_3$ increased the GUS expression and ABA completely reduced the inductive effect of $GA_3$. The GUS expression was also increased dose-dependently by plant defense regulators, MeJA and PA. In contrast to the above results, auxin deprivation from the modified LS medium increased the GUS expression after treatment with exogenous 2,4-D whereas BAP still greatly decreased the GUS expression dose-dependently. $GA_3$ or MeJA slightly decreased the GUS expression. The data suggest that auxin deprivation changes the sensitivity of the suspension cells to exogenous chemicals and that the regulation of the KRCP promoter by 2,4-D, $GA_3$, and MeJA is dependent on auxin, whereas the regulation by BAP is not. This study will be valuable for understanding the function and expression mode of the Korean radish cationic peroxidase in Korean radish.

• Journal of Magnetics
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• 제20권4호
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• pp.331-335
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• 2015

The ferromagnetic and electronic structure for the $Al_xGa_{1-x}P$ and Mn-doped $AlGaP_2$ was studied by using the self-consistent full-potential linear muffin-tin orbital method. The lattice parameters of un-doped $Al_xGa_{1-x}P$ (x = 0.25, 0.5, and 0.75) were optimized. The band-structure and the density of states of Mn-doped $AlGaP_2$ with or without the vacancy were investigated in detail. The P-3p states at the Fermi level dominate rather than the other states. Thus a strong interaction between the Mn-3d and P-3p states is formed. The ferromagnetic ordering of dopant Mn with high magnetic moment is induced due to the (Mn-3d)-(P-3p)-(Mn-3d) hybridization, which is attributed by the partially filled P-3p bands. The holes are mediated with keeping their 3d-characters, therefore the ferromagnetic state is stabilized by this double-exchange mechanism.

• 한국전자파학회논문지
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• 제26권7호
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• pp.620-626
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• 2015

본 논문에서는 2차 전역통과 필터를 이용하여 입력정합을 수행하고, LC 병렬공진 회로를 이용하여 트랜지스터의 출력 리액턴스를 최소화하는 기법을 적용함으로써 2~6 GHz에서 동작하는 광대역 GaN 전력증폭기 MMIC를 설계 및 제작하였다. 광대역 손실정합을 위해 사용된 2차 전역통과 필터는 트랜지스터의 채널 저항 효과를 보상하기 위해 비대칭적 구조를 사용하였다. Win Semiconductors사의 $0.25{\mu}m$ GaN HEMT 파운드리 공정으로 제작된 MMIC 칩은 크기가 $2.6mm{\times}1.3mm$이며, 주파수 대역 내에서 약 13 dB의 평탄한 이득 특성과 10 dB 이상의 우수한 입력정합 특성을 보였다. 포화출력 조건에서 측정된 출력전력은 2~6 GHz에서 38.6~39.8 dBm의 값을 보였고, 전력부가효율은 31.3~43.4 %을 나타내었다.

• 한국약용작물학회지
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• 제5권1호
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• pp.43-48
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• 1997

천연향신료와 식용 및 약용 겸용으로 재배가치가 매우 높은 초피나무종자의 발아율 향상을 위하여 $GA_3$, Kinetin 및 물리적인 처리를 하여 수행한 실험 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 초피 나무종자 종피파상후 $GA_3$ 50 ppm 24시간 침지에서 발아율 8.9%로 저조하였다. 2. 수온 $18^{\circ}C\;1{\sim}5$일 및 $40{\sim}70^{\circ}C$에서 10분처리 후 각각 $GA_3$ 50 ppm에 24시간 침지에서 초피종자 발아율 6.8, 4.4%로 매우 낮았다. 3. 화학적인 방법으로 $H_2SO_4,\;NaOH$ 및 $HNO_3$ 침지에서 초피나무종자 발아율 7,5, 2.7, 14.3%로서 저조하였다. 4. 초피나무종자에 대한 $GA_3$처리의 경우 $GA_3$ 100 ppm에서 48시간 침지가 91.1%의 가장 높은 발아율을 나타내었고 침지시간이 길어질수록 농도가 높을수록 발아율이 높아지는 경향이었다. 5. Kinetin은 50 ppm 12시간 침지에서 초피종자의 발아율은 31.7%로 양호하였으나 전반적으로 낮은 발아율을 나타내어 실용적인 방법으로는 미흡하였다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.943-948
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• 2018

본 논문에서는 GaN MMIC를 활용하여 X-band 레이더용 SSPA모듈을 설계 및 제작하였다. SSPA의 구동 증폭기 단은 Gain Loss를 감안하여 GaN MMIC를 2단으로 구성하였다. 그리고 고출력 SSPA 모듈 구성을 위해 전력증폭단을 4단으로 설계함에 따라 전력분배기와 전력합성기는 4way 방식으로 설계하였다. 제작된 전력 분배기는 -3.0dB 이상의 손실을 나타내었으며, 전력합성기는 -0.2dB의 입출력 손실과 각 포트 간 위상차는 평균 $2^{\circ}$로 양호한 특성을 보이고 있다. 제작한 SSPA모듈 실험 측정 결과 9~10GHz 주파수 대역에서의 Gain은 48.0dB 이상인 것을 확인하였으며, P(sat)=88.3W (49.46dBm) 이상, PAE=30.3% 이상임을 확인하였다. 본 논문에서 제작된 X-Band SSPA 모듈 성능 확인과 전력분배기/합성기 개선을 통해 향후 SSPA모듈에 대한 RF성능 개선에 많이 활용될 수 있을 것이다.

• 한국작물학회지
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• 제30권4호
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• pp.368-374
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• 1985

생장조절물질인 GA, Kinetin 및 2,4-D를 농도별로 처리하여 출아 및 생육특성을 조사하므로서 출아에 필요한 장기 저온기간의 단축 가능성을 탐색하였던 바 그 결과를 요약하면 다음과 같다. 1. 신아의 출아는 처리물질중 GA효과가 가장 컸으며 처리농도가 증가할수록 조기출아되어 출아기간이 단축되었고 출아율도 높았다. 2. GA처리는 지상부 생육을 크게 신장시켰으며 특히 경장 엽병장의 신장을 촉진시켰다. 3. GA 50ppm, 100ppm처리구는 근중을 크게 증가시켰다. 4. GA처리농도가 높을수록 조기에 지상부 생육이 완료되었다. 5. 뇌포제거구는 무제거구에 비하여 출아가 다소 빠른 경향이나 생육은 대체로 비슷하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제22권2호
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• pp.162-172
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• 2011

본 논문에서는 WiMAX 주파수 대역(2.3~2.7 GHz)에서 동작하는 4 W급 소형 전력증폭기 모듈을 설계, 제작하였다. 본 연구에 사용된 능동소자는 최근 발표된 Triquint사의 GaN HEMT 소자(Bare-chip)이다. 본 논문에서는 전력증폭기를 설계하기 위하여, 먼저 자체 제작한 조정용 지그(jig)를 사용하여 상용 칩의 최적 임피던스를 실험을 통해 추출하였으며, 추출한 임피던스를 적용한 EM-simulation으로 F급 설계를 행하였다. 소형의 패키지(모듈)에 집적하고 정합하기 위하여 인덕터와 커패시터는 각각 spiral inductor, interdigital capacitor로 구현하였다. 소형으로($4.4{\times}4.4\;mm^2$) 패키지된 전력증폭기 모듈의 경우, 출력은 36 dBm, 효율은 50 % 그리고 2차 및 3차 고조파에 대한 고조파 억제는 40 dBc 이상의 특성을 보였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제24권11호
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• pp.1081-1090
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• 2013

본 논문에서는 C-대역에서 입출력 정합 회로가 패키지에 내장된 10 W급 내부 정합 증폭기 설계 및 제작을 하였다. 전력증폭기 설계에 사용한 트랜지스터로 GaAs pHEMT bare-chip을 사용하였다. 트랜지스터 패드 위치와 커패시터 크기를 고려한 와이어 본딩 해석으로 정확도 높은 설계를 하였다. 패키지와 정합 회로를 함께 EM simulation하여 패키지가 정합 회로에 미치는 영향을 해석하였다. 2-tone 측정 시 memory effect로 인해 발생되는 IMD3의 비대칭성을 줄이기 위한 memory effect 감쇄 바이어스 회로를 제안 및 설계하였다. 측정 결과, 7.1~7.8 GHz 대역에서 $P_{1dB}$는 39.8~40.4 dBm, 전력 이득은 9.7~10.4 dB, 효율은 33.4~38.0 %을 얻었고, 제안된 memory effect 감쇄 바이어스 회로로 IMD3(Upper)와 IMD3(Lower)차는 0.76 dB 이하를 얻었다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.12-15
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• 2000

In this paper, we have fabricated the PHEMT's with AlGaAs/InGaAs/GaAs and measured characteristics of DC and frequencies. The PHEMT's has a 0.35$\mu\textrm{m}$ gate length, gate width of 60$\mu\textrm{m}$ and 80$\mu\textrm{m}$, and fingers of 2 and 4. From the measurements results for the 60$\mu\textrm{m}$ ${\times}$ 2 PHEMT's, we obtained 1.2V of Vk, -3.5V of Vp, 46mA of Idss, 221mS/mmof gm, and 3.6dB of S$\sub$21/ gain, 45GHz of f$\sub$T,/ 100GHz of fmax. And, in case of 80$\mu\textrm{m}$ ${\times}$ 4 PHEMT's, we obtained 1.2V of Vk, -4.5V of Vp, 125mA of Idss, 198mS/mm of gm, and 2.0dB of S$\sub$21/ gain. 44GHz of f$\sub$T/, 70GHz of fmax at 35GHz frequency. Also, MAG are decreased as a number of finger are Increased.