• 제목/요약/키워드: 홀소자

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굴(Crassostrea gigas)의 패각운동을 이용한 생물모니터링시스템 연구 -I. 홀 소자를 이용한 저염분하에서 비정상적인 패각운동 측정 (Bio-Monitoring System Using Shell Valve Movements of Pacific Oyster (Crassostrea gigas) -I. Detecting Abnormal Shell Valve Movements Under Low Salinity Using a Hall Element Sensor)

  • 오석진;이준호;김석윤
    • 한국해양환경ㆍ에너지학회지
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    • 제16권2호
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    • pp.138-142
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    • 2013
  • 저염분에 따른 양식생물의 피해를 줄이기 위한 조기경보 방안으로 염분에 따른 굴(Crassostrea gigas) 패각운동 특성을 홀 소자를 이용하여 측정하는 생물모니터링시스템의 적용 가능성을 조사하였다. 염분농도 27 psu에서 굴의 패각운동은 평균 10-15 mm 정도의 개각상태를 유지하다가, 비교적 빠른 폐각상태를 지시하는 큰 파형이 보였으며, 다시 개각상태로 돌아가나, 그 속도는 폐각상태로 진행되는 속도보다 느리게 나타났다. 20 psu까지 저염분의 농도에서는 27 psu의 패각 운동과 큰 변화가 없었다. 하지만 17 psu 이하의 염분농도부터 이상 패각운동이 지시되었으며, 10 psu에서는 패각운동이 없이 폐각상태를 유지하였다. 이와 같은 생물모니터링시스템을 패류 양식에 활용하여 해양환경의 이상변동을 신속히 감지할 수 있다면, 어업피해를 감소시킬 활동으로 연결될 것으로 기대된다.

MEMS 패키징에서 구리 Via 홀의 기계적 신뢰성에 관한 연구 (Mechanical Reliability Issues of Copper Via Hole in MEMS Packaging)

  • 좌성훈
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제15권2호
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    • pp.29-36
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    • 2008
  • 본 연구에서는 MEMS 소자의 직접화 및 소형화에 필수적인 through-wafer via interconnect의 신뢰성 문제를 연구하였다. 이를 위하여 Au-Sn eutectic 접합 기술을 이용하여 밀봉(hermetic) 접합을 한 웨이퍼 레벨 MEMS 패키지 소자를 개발하였으며, 전기도금법을 이용하여 수직 through-hole via 내부를 구리로 충전함으로써 전기적 연결을 시도하였다. 제작된 MEMS 패키지의 크기는 $1mm{\times}1mm{\times}700{\mu}m$이었다. 제작된 MEMS패키지의 신뢰성 수행 결과 비아 홀(via hole)주변의 크랙 발생으로 패키지의 파손이 발생하였다. 구리 through-via의 기계적 신뢰성에 영향을 줄 수 있는 여러 인자들에 대해서 수치적 해석 및 실험적인 연구를 수행하였다. 분석 결과 via hole의 크랙을 발생시킬 수 있는 파괴 인자로서 열팽창 계수의 차이, 비아 홀의 형상, 구리 확산 현상 등이 있었다. 궁극적으로 구리 확산을 방지하고, 전기도금 공정의 접합력을 향상시킬 수 있는 새로운 공정 방식을 적용함으로써 비아 홀 크랙으로 인한 패키지의 파괴를 개선할 수 있었다.

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박막의 두께가 비정질 InGaZnO 무접합 트랜지스터의 소자 불안정성에 미치는 영향 (Effects of thin-film thickness on device instability of amorphous InGaZnO junctionless transistors)

  • 전종석;조성호;최혜지;박종태
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제21권9호
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    • pp.1627-1634
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    • 2017
  • 비정질 InGaZnO 박막 두께가 다른 무접합 트랜지스터를 제작하고 두께에 따른 양과 음의 게이트 스트레스 전압 및 빛을 비춘 상태에서 소자 불안정성을 분석하였다. 채널 박막 두께가 얇을수록 게이트 스트레스 및 빛이 인가된 상태에서 문턱전압 및 드레인 전류 변화가 큰 것을 알 수 있었다. 그 원인을 stretched-exponential 모델과 소자 시뮬레이션을 수행하여 설명하였다. 박막이 얇을수록 캐리어 트랩핑 시간이 짧기 때문에 전자나 홀이 빨리 활성화되는 것과 채널 박막의 뒷부분에서 채널의 수직 전계가 증가하여 전자나 홀을 많이 축적할 수 있는 것으로 설명하였다. IGZO 무접합 트랜지스터 제작에서 채널 박막의 두께를 결정할 때 채널 박막 두께가 얇을수록 소자 불안정성이 큰 것을 고려해야 됨을 알 수 있다.

캐리어 주입효율 향상을 위한 유기 발광 다이오드 연구 (Study of OLEDs to Improve Carrier Injection Efficiency)

  • 박진우;임종태;오종식;김성희;염근영
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2012년도 춘계학술발표회 논문집
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    • pp.169-169
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    • 2012
  • Molybdeum oxide-doped 4,4',4"-tris(2-naphthyl(phenyl)amino)tri- phenylamine (2-TNATA) layer 의 도핑농도가 75%일 때 OLED 소자의 성능이 향상되었다. Hole transport layer (HTL) 로 사용된 MOOX-doped 2-TNATA layer는 hole-injection barrier height를 낮추어서 효율적인 홀주입특성을 보였다. 그러나 도핑농도가 75%이하일 때는 소자 특성이 나빠짐을 알 수 있었다.

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SIMOX SOI 홀 센서의 제조 및 온도특성 (Fabrication and Temperature Characteristics of a SIMOX SOI Hall Sensor)

  • 김항규;신장규;정우철;남태철
    • 센서학회지
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    • 제3권1호
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    • pp.26-31
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    • 1994
  • SIMOX SOI 홀 센서를 제조하여 $20^{\circ}C{\sim}260^{\circ}C$ 사이의 온도에서 그 특성을 측정하였다. 출력 홀 전압은 인가 전류의 변화에 따라 선형적으로 변하였으며 좋은 선형성을 나타내었다. 홀 전압과 오프셋 전압은 온도변화에 따라 처음에는 약간 증가하다가 그 다음 감소하는 경향을 보이고 있는데 이는 온도에 따른 전자의 이동도의 변화 때문이라 생각된다. 측정온도 범위내에서 소자의 적감도는 거의 일정하게 유지되었으며 이를 이용하여 고온에서의 응용이 기대된다.

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홀로그래픽 메모리를 위한 유-무기 하이브리드형 포토 폴리머의 특성 (The characteristics of the orgnic-inorganic hybrid photopolymer film for holographic memory)

  • 신창원;안준원;김정회;김남;박지영;김은경
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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    • pp.56-57
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    • 2003
  • 포토 폴리머를 광 소자 재료로 이용할 경우 경제성 및 다른 수동 광 소자와의 집적이 가능하므로 최근 들어 많은 관심의 대상이 되고 있다. 특히, 포토 폴리머는 광 소자로서 가격 경쟁력을 높일 수 있으므로 차세대 광 소자 매질로서의 가능성이 매우 높다. 또한, 포토 폴리머는 고감도, 간단한 실시간 처리, 저렴한 가격 등의 이점 때문에 광굴절 결정보다 홀로 그래픽 저장기술 응용에 손쉽게 적용할 수 있다. (중략)

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CdSe/ZnS 양자점 전계발광소자에서 전하수송층인 Zinc Tin Oxide의 비저항이 소자의 발광 특성에 미치는 영향

  • 윤성룡;전민현;이전국
    • 한국재료학회:학술대회논문집
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    • 한국재료학회 2011년도 추계학술발표대회
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    • pp.44-44
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    • 2011
  • Unipolar 구조의 양자점 발광소자는 소자에 주입되는 전자로 구동 가능하게 설계되어 bipolar 구조와 달리 직류뿐만 아니라 교류로도 구동이 가능하다. 소자의 구조는 패턴된 ITO 유리기판 위에 Radio frequency magnetron sputter로 성장시킨 투명한 금속산화층 사이에 콜로이드로 분산된 양자점이 포함되어 있다. 본 연구에서는, 전하 수송층으로 사용되는 Zinc Tin Oxide (ZTO)가 전압 인가 시 발생하는 과부하로 인해 낮은 전계발광(electroluminescence, EL)특성이 나타나는 문제점이 있다. 이를 해결하고자 ZTO층의 비저항과 EL특성 사이의 관계를 알아보고, ZTO의 비저항 값을 변화시키기 위해 sputter 공정 중 인가 전력과 작업압력, 산소 분압 등의 성장 조건을 변화시켰다. ZTO의 조성비에 따른 비저항 및 전기적 특성을 홀 측정 장비로 측정하였다. 인가전력이 낮고 작업압력이 낮을수록 비저항 값이 낮았으며, 그에 따라 소자의 동작전압이 낮아지고 EL특성 또한 우수하게 나타났다.

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Sb 계면활성제에 의한 p-GaN 박막의 홀농도 향상 (Enhanced Hole Concentration of p-GaN by Sb Surfactant)

  • 김자연;박성주;문영부;권민기
    • 한국진공학회지
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    • 제20권4호
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    • pp.271-275
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    • 2011
  • 본 논문은 고휘도 발광소자의 특성을 높이기 위한 p-GaN 박의 홀농도 향상을 연구하였다. 우리는 metal organic chemical vapor deposition 법을 이용하여 Antimony (Sb)가 p-GaN의 홀농도 향상에 도움을 주는 것을 확인하였다. Atomic force microscope 측정을 통해 Sb가 계면활성제처럼 역할을 함으로써 p-GaN의 2차원 성장이 촉진됨을 알 수 있었다. 또한 X-ray diffraction 결과 [002] 면과 [102] 면의 반폭치가 Sb 도핑과 함께 줄어드는 것을 통해 Edge과 Screw 전위의 감소와 photoluminescence 결과에서 450~500 nm 청색 파장 영역에서 발광의 세기가 현저히 줄어드는 것으로 보아 질소 공극이 감소되는 것이 홀농도 향상의 주된 원임임을 알 수 있었다. Trimethylantimony가 10 ${\mu}mol/min$일 때 홀농도는 최대가 되었고 그때 홀농도는 $5.4{\times}10^{17}cm^{-3}$이었다.