• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제9권1호
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• pp.9-15
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• 2004

본 논문에서는 드레인 부근의 채널 영역에서 접합 전계를 줄이는 WSW(Wrap Side Wall) 구조의 소자를 제안하였다. WSW구조의 소자 제작은 첫 번째 게이트를 식각한 후에 NM1(N-type Minor1) 이 온주입을 하고 다시 질화막을 덮어 식각함으로서 만들어진다. 새로운 WSW구조는 전계를 줄이기 위한 버퍼층으로 되어 있으며 WSW소자와 LDD구조의 소자 수명을 비교하였으며 핫-캐리어 열화 특성도 분석하였다. 또한 AC 핫-캐리어 열화를 칩 상에서 평가하기 위해 펄스 발생기, 레벨 시프터, 주파수 분배기를 포함한 테스트 패턴 회로를 설계하였다. 이러한 것은 AC와 DC 스트레스간의 핫-캐리어 열화 조건이 AC와 DC 스트레스 모두 동일한 물리적 메커니즘을 지닌다는 것을 알 수 있었다. 따라서 일반적으로 회로 동작 조건 하에서 DC 핫-캐리어 열화 특성을 토대로 AC 소자 수명도 예측할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.353-353
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• 2012

채널 도핑이 다른 비대칭 구조를 갖는 NMOSFET의 게이트 전압에 따른 Drain saturation current (IDSAT), maximum transconductance (GM) 및 threshold voltage (VT)와 같은 다양한 변수를 측정하였고 DAHC (Drain avalanche hot carriers) 스트레스에 따른 특성을 추출하였다. 전기적 특성은 반도체 파라미터 분석기를 사용하여 Probe system에서 진행되었다. 문턱전압은 Normal channel dopoing의 경우 0.67 V, High channel doping의 경우 0.74 V로 High channel doping된 소자가 상대적으로 높은 문턱전압을 보였다. Swing의 경우 Normal channel doping의 경우 87 mV/decade, high channel doping의 경우 92 mV/decade으로 High channel doping된 소자가 더 높은 Swing값을 보였다. 스트레스 인가 후 두 소자 모두 문턱전압이 증가하고 ON-current가 감소하였다. High channel doing된 소자의 경우 Normal channel doping된 소자보다 문턱전압의 증가율과 Current 감소율 측면 모두 스트레스에 더 민감하게 반응하였다. 문턱전압이 서로 다른 비대칭 NMOSFET의 핫 캐리어 특성을 비교, 분석결과 스트레스 인가에 따라 채널 도핑이 높아질수록 드레인과 게이트간의 더 높은 전계가 생겨 게이트 산화막과 Si/SiO2 계면의 손상이 더 발생하였다. 따라서 채널 도핑이 상대적으로 높은 트랜지스터가 핫 캐리어에 의한 계면 트랩 생성 비율이 더 높다는 것을 알 수 있다.

• 한국통신학회:학술대회논문집
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• 한국통신학회 1994년도 하계종합학술발표회 논문집
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• pp.404-408
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• 1994

• 한국통신학회:학술대회논문집
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• 한국통신학회 1995년도 하계종합학술발표회 논문집
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• pp.678-681
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• 1995

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2001년도 추계종합학술대회
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• pp.656-659
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• 2001

최근 반도체 기술의 발달로 소자의 크기가 줄어들면서 높은 에너지를 갖는 핫 캐리어 전송 해석이 매우 중요하게 되었다. Auger 과정과는 반대인 임팩트이온화현상은 핫 캐리어에 의한 산란에 의하여 전자-정공쌍을 생성하는 과정으로 소자의 전송특성 해석을 위한 시뮬레이션에 정확한 임팩트 이온화모델이 필수적이다. 본 연구에서는 Monte Carlo 시뮬레이터를 이용한 임팩트이온화 모델과 TCAD 그리고 Micro-Tec을 이용한 임팩트이온화 모델을 분석하여 보다 정확한 임팩트이온화 모델을 제시하고자 한다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제9권8호
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• pp.847-852
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• 2014

반도체 소자 제조에서 비용 절감을 위한 공정기술의 스케일링 가속화 경향에 따라 축소기술에 대한 요구가 증가되고 있다. 축소에 따른 또 다른 가장 큰 문제점의 하나는 Hot Carrier Injection (HCI) 특성의 열화이다. 이는 축소 과정에서 생기는 불가피한 가장 큰 이슈중의 하나이며, 특히 입출력 소자에 있어 극복하기 어려운 부분이다. 이의 개선을 위해 유효 채널 길이를 늘이고자 LDD 임플란트 공정 이전에 산화막이 추가되었고, 또한 I/O LDD 임플란트 공정의 이온 입사 각도를 최적화함으로써, LDD 영역에서 E-field 열화 없이 HCI 규격을 만족할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권9호
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• pp.683-686
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• 1998

Hot carrier effects as a function of bias stress time and bias stress consitions were syste-matically investigated in p-channel poly-Si TFT s fabricated on the quartz substrate. The device degradation was observed for the negative bias stress, while improvement of electrical characteristic except for subthreshold slope was observed for the positive bias stress. It was found that these results were related to the hot-carrier injection into the gate oxide and interface states at the poly-Si/$SiO_2$interface rather than defects states generation within the poly-Si active layer under bias stress.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.365-368
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• 2002

WSW(Wrap Side Wall) is proposed to decrease junction electric field in this paper. WSW process is fabricated after first gate etch, followed NMI ion implantation and deposition & etch nitride layer New WSW structure has buffer layer to decrease electric field. Also we compared the hot carrier characteristics of WSW and conventional. Also, we design a test pattern including pulse generator, level shifter and frequency divider, so that we can evaluate AC hot carrier degradation on-chip.

• 정보와 통신
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• 제32권7호
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• pp.17-26
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• 2015

최근 네트워크 기술 동향에 있어서 이른바 핫 이슈 중 하나인 소프트웨어 정의 네트워킹(SDN, Software-Defined Networking)은 바야흐로 데이터센터, 기업, 캠퍼스 등의 근거리 데이터 네트워크(LAN, Local Area Network) 환경을 넘어서 통신망 사업자(캐리어)와 서비스 제공자를 통해 원거리 데이터 네트워크 (WAN, Wide Area Network)로 진화하고 있다. 본고에서는 종단간 SDN 프로덕션 서비스를 위한 소프트웨어 정의 원거리 네트워크(SD-WAN, Software-Defined WAN)의 개요 및 적용 사례를 소개하고, SD-WAN의 핵심 서비스 기술로 인식되고 있는 네트워크 최적화, 가상화, 자동화, SDX(Software-Defined Exchange) 등의 요소 기술과 연구 동향을 알아본다.

• 전자공학회논문지D
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• 제34D권11호
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• pp.30-36
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• 1997

AlGaAs/GaAs HBTs are developed well enough to be commercialized as an active device in optical transmission system, but there remains the unanswered questions about reliability. In this paper we applied the reverse constant current stress at the high voltage in avalanche region for a long time to find out a new degradation mechanism of junctrion I-V. The unction off-set voltage at which the current vanishes to zero was shifted to the negative direction of applied bias due to the increment of leakage current as the stress time increases. It was identified that the degradation was induced by the hot carriers which were generated at space charge region and trapped at the interface between GaAs base and the passivation nitride enhancing the electric field across the nesa edge.