Analysis of Impact ionization Model for Nano structure Silicon device

나노구조 실리콘 소자의 임팩트이온화 모델 분석

Recently, as device techniques are advancing and its size become smaller, the hot carriers transport analysis has more important. Impact ionization(I.I.) effect is electron-hole pair generation process by the dispersion of hot carrier in the contrast with Auger process. Complete I.I. model is essential to simulate and analysis the device transport characteristics. In the study, we will try to analysis I.I. models using Monte Carlo simulator, TCAD and Micro-Tec and present more accurate I.I. model.

최근 반도체 기술의 발달로 소자의 크기가 줄어들면서 높은 에너지를 갖는 핫 캐리어 전송 해석이 매우 중요하게 되었다. Auger 과정과는 반대인 임팩트이온화현상은 핫 캐리어에 의한 산란에 의하여 전자-정공쌍을 생성하는 과정으로 소자의 전송특성 해석을 위한 시뮬레이션에 정확한 임팩트 이온화모델이 필수적이다. 본 연구에서는 Monte Carlo 시뮬레이터를 이용한 임팩트이온화 모델과 TCAD 그리고 Micro-Tec을 이용한 임팩트이온화 모델을 분석하여 보다 정확한 임팩트이온화 모델을 제시하고자 한다.