• 대한전자공학회논문지
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• 제22권1호
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• pp.68-74
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• 1985

이 논문에서는 standard cell의 layout을 위한 doglegging을 하지 않는 channel 배선 시스템에 대하여 서술할 것이다. 이 시스템은 주어진 net list specification을 만족시키기 위하여, 각각 standard cell 의 직선 배열 결합인 두 row 사이의 구평 track에서 이층의 최종 배선 패턴을 만들어 준다. 이 논문에서 사용한 CMOS cell library는 9개의 기본 cell을 가지고 있으며, Mead-Cogway 방식에서의 A-2micron을 사용하여 CIF(Caltech Intermediate From) 형태로 표현되었다. Component library에는 각 cell 내의 pin들의 이름. 위치 및 layer type 등의 입출력 port 특성이 저장되어서, CROUT라는 channel routing program에서 입력 자료로 사용된다. 또 다른 program NETPLOT은 routing 결과를 개략적으로 도시하여 주며, NETCIF에서는 최종의 자세한 layout을 CIF file로 만들어 주고 있다. 기본 cell을 이온하여 set/reset이 있는 dynamic Raster-slave형 D flip-flop에 대한 channel routing의 경우 VAX l1/780 에서 4초의 CPU 시간이 소요되었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제15권12호
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• pp.1184-1189
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• 2004

본 논문에서는 직교신호를 발생할 수 있는 새로운 구조의 전압제어 발진기를 설계 제작하였다. 정확한 직교 신호 특성과 낮은 위상잡음 특성을 동시에 얻기 위하여 결합 증폭기의 source단자에 저항 궤환을 이용하여 차동 발진기를 결합시켰다. 발진기는 0.18 um 표준 CMOS 공정을 이용하여 제작하였다. 제작한 발질기의 위상잡음 특성은 -120 dBc/Hz @ 1 MHz 0$\~$1.8 V 전압을 가변하였을 때, 2.34 GHz$\~$2.55 GHz의 210 MHz 주파수 가변을 얻었다. 또한 낮은 IF 주파수 혼합기와 결합하여 측정한 결과 직교신호의 위상 오차는 0.5도, 진폭 오차는 0.2 dB 이하를 보였다. 바이어스 전류는 1.8 V 공급전압에 대해 전압제어발진기의 Core 부분 5 mA를 포함하여 전체적으로는 19 mA를 요구한다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2007년도 추계종합학술대회
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• pp.187-191
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• 2007

본 논문은 상위 7비트와 하위3비트의 binary-thermal decoding 방식과 segmented 전류원 구조로서 전력소모, 선형성 및 글리치 에너지등 주요 사양을 고려하여, 3.3V 10비트 CMOS D/A 변환기를 제안한다. 동적 성능을 향상 시키기위해 출력단에 return-to-zero 회로를 사용하였고, segmented 전류원 구조와 최적화 된 binary-thermal decoding 방식으로 D/A변환기가 가질 수 있는 장점은 디코딩 논리회로의 복잡성을 단순화 함으로 칩면적을 줄일 수 있다. 제안된 변환기는 $0.35{\mu}m$ CMOS n-well 표준공정을 이용한다. 설계된 회로의 상승/하강시간, 정착시간, 및 INL/DNL은 각각 1.90/2.0ns, 12.79ns, ${\pm}2.5/{\pm}0.7$ LSB로 나타난다. 또한 설계된 D/A 변환기는 3.3V의 공급전원에서는 250mW의 전력소모가 측정 된다.

• 한국통신학회논문지
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• 제35권5A호
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• pp.496-503
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• 2010

본 논문은 IEEE802.22 표준을 바탕으로 하는 무선인지(Cognitive Radio) 기반의 WRAN (Wireless Regional Area Network) 시스템의 RF 송 수신기 구현에 관한 것이다. 본 시스템 단말 구현에 있어 VHF/UHF (54~862MHz)의 광대역에서 동작하는 CMOS RF 송 수신기 IC는 이중경로 직접변환 구조를 가지고 광대역 특성에 따른 대역내 고조파를 효과적으로 억압하였다. 64QAM(3/4 coding rate) OFDM신호에 대해 -31.4dB(2.7%) 이하의 EVM 특성을 얻었으며 전체 칩의 사이즈는 12.95mm2 이다. 그리고 제안된 CMOS RF 송 수신기 IC는 TDD(Time Division Duplex) 모드의 WRAN 시스템 적용에 만족하는 우수한 성능을 얻었다.

• 전자공학회논문지SC
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• 제37권3호
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• pp.44-54
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• 2000

본 논문에서는 표준 메모리 공정에 구현 가능한 주파수 적응성을 갖는 부지연 회로의 설계기법에 대해 제안한다. 제안하는 설계기법은 기본적으로 아날로그 SMD (synchronous mirror delay) 형태의 부지연 회로로서 입력클록의 주기와 구현하고자 하는 부의 지연 시간의 차이에 해당하는 시간을 아날로그 회로의 개념으로 측정하고 다음 번 주기에서 반복한다. 출력클록의 발생과 관련되는 부수적인 지연을 측정단의 앞 단인 지연모델 단에서 상쇄하는 기존의 SMB 기법과는 달리, 반복단에서 상쇄하는 새로운 기법을 통하여 넓은 부지연 범위를 구현하여 특히 고속동작에서의 부지연 특성을 원할하게 한다. 또한 넓은 범위의 주파수 동작범위를 구현하기 위해 해당하는 주파수 범위에서 아날로그 회로가 최적의 동작 조건을 갖추도록 하기 위한 새로운 주파수 감지기 및 최적조건 설정기법을 제안한다. 제안된 회로의 응용으로서 초고속 DRAM인 DDR SDRAM에 적용하는 예를 보였으며, 0.6㎛ n-well double-poly double-metal CMOS 공정을 사용하여 모의실험 함으로써 그 유용성을 입증한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제49권5호
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• pp.16-21
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• 2012

본 논문에서는 CMOS 기반의 BJT 제작에 있어서 일반적인 BJT 구조에 비해 정합특성이 우수한 새로운 BJT 구조를 제안하고, 특성을 비교 분석하였다. 새로운 정합 구조가 기존의 정합 구조에 비해 콜렉터 전류 밀도 $J_C$는 0.361% 감소하였고, 전류이득 ${\beta}$는 0.166% 증가하여 큰 차이가 보이지 않았지만, 소자 면적이 10% 감소했으며, 콜렉터 전류($A_{Ic}$)와 전류이득($A_{\beta}$)의 정합 특성이 각각 45.74%, 38.73% 향상되었다. 이와 같이 정합특성이 개선된 주 이유는 쌍으로 형성된 BJT 소자들의 에미터 간의 거리가 감소한 것이라고 생각되며, deep n-well 저항의 표준편차 값이 다른 저항들에 비해 큰 것으로부터 간접적으로 증명이 된다고 여겨진다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제12권4호
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• pp.691-698
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• 2008

본 논문은 상위 7-비트와 하위3-비트의 binary-thermal decoding 방식과 segmented 전류원 구조로서 전력소모, 선형성 및 글리치 에너지 등 주요 사양을 고려하여, 3.3V 10비트 CMOS D/A 변환기를 제안한다. 동적 성능을 향상 시키기위해 출력단에 return-to-zero 회로를 사용하였고, segmented 전류원 구조와 최적화 된 binary-thermal decoding 방식으로 D/A 변환기가 가질 수 있는 장점은 디코딩 논리 회로의 복잡성을 단순화함으로 칩면적을 줄일 수 있다. 제안된 변환기는 $0.35{\mu}m$ CMOS n-well 표준공정을 이용한다. 설계된 회로의 상승/하강시간, 정착시간, 및 INL/DNL은 각각 1.90/2.0ns, 12.79ns, ${\pm}2.5/{\pm}0.7\;LSB$로 나타난다. 또한 설계된 D/A 변환기는 3.3V의 공급전원에서는 250mW의 전력소모가 측정된다.

• 한국지능시스템학회:학술대회논문집
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• 한국퍼지및지능시스템학회 2000년도 춘계학술대회 학술발표 논문집
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• pp.118-121
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• 2000

본 논문에서는 FNNs(feedforwad neural networks)구현을 위한 새로운 학습 방안을 제안하였다. 제안된 방식은 온 칩 학습이 가능하도록 FNNs와 학습회로 사이에 스위칭 회로를 추가하여 단일패턴과 다중패턴 학습이 가능하도록 구현하였다. 학습 회로는 MEBP(modified error back-propagation) 학습 규칙을 적용하였고 간단한 비선형 시냅스 회로를 이용하여 구현하였다. 제안된 방식은 표준 CMOS 공정으로 구현되었고, MOSIS AMI $1.5\mu\textrm{m}$공정 HSPICE 파라메터를 이용하여 그 동작을 검증하였다. 제안된 학습방안 및 비선형 회로는 향후 학습 기능을 가진 대규모의 FNNs 구현에 매우 적합하리라 예상된다.

• 한국지능시스템학회:학술대회논문집
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• 한국퍼지및지능시스템학회 2000년도 춘계학술대회 학술발표 논문집
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• pp.17-20
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• 2000

본 논문에서는 간단한 비선형 시냅스 회로를 이용하여 온 칩 학습기능을 포함한 모듈 칩을 구현하였다. 학습 회로는 MEBP(modified error back-propagation) 학습 규칙을 적용하여 구현하였으며, 제안된 회로는 표준 CMOS 공정으로 구현되었고, MOSIS AMI $1.5\mu\textrm{m}$공정 HSPICE 파라메터를 이용하여 그 동작을 검증하였다. 구현된 모듈 칩은 온 칩 학습기능을 가진 확장 가능한 신경회로망 칩으로 대규모의 FNNs(feedforwad neural networks) 구현에 매우 적합하리라 예상된다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제42권5호
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• pp.31-38
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• 2005

본 논문에서는, UTMI호환 USB2.0 PHY 칩의 구조와 세부 설계 내용 전반에 대하여 기술하였다. 노이즈 채널 환경에서, 수신데이터의 유효성을 판단하기 위한 방법으로 squelch 상태 검출 회로 및 전류모드 슈미트-트리거 회로를 설계하였으며, 레플리카 바이어스 회로를 사용한 온칩 종단(ODT) 회로와, 480Mbps 데이터 송신을 위한 전류모드 차동 출력 구동회로를 설계하였다. 또한, 플레시오크로너스 클럭킹 방식을 사용하는 USB 시스템에서, 송수신단 사이의 주파수 차이를 보상하기 위하여, 클럭데이터 복원회로와 FIFO를 사용한 동기화 회로를 설계하였다. 네트웍 분석기를 이용한 손실전송선(W-model) 모델 파라미터를 측정을 통해 추출하였으며, 설계를 위한 시뮬레이션 과정에 활용하였다. 설계된 칩은 0.25um CMOS 공정으로 제작하였으며, 이에 대한 측정 결과를 제시하였다. IO패드를 제외한 칩의 코어 면적은 $0.91{\times}1.82mm^2$ 이었고, 2.5V 전원전압에서 전체 전력소모량은, 480MHz 동작 시 245mW, 12MHz 동작 시 150mW로 시뮬레이션 되었다.