• 한국도로학회논문집
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• 제3권1호
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• pp.185-197
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• 2001

본 연구는 온도에 따라 특성이 변하는 아스팔트 콘크리트의 파괴인성을 규명하기 위하여 기존의 유효균열 모델을 수정하는 연구를 다루고 있다. 본래의 ECM모델은 콘크리트와 같은 고체에 적용되도록 개발되어 재료의 포아슨 비를 고려하지 않는다. 하지만 아스팔트 콘크리트는 온도변화에 민감하여 온도에 따라 포아슨 비가 변화하므로 다양한 온도하에서 정확한 파괴 특성을 알기 위해서는 포아슨 비가 고려되어져야 한다. 3개의 개질아스팔트 결합재를 포함한 4가지 결합재를 사용하여 밀입도 아스팔트 혼합물을 제조하여 초기균열 보에 대한 3점 휨 시험을 $-5^{\circ}C$부터 $-35^{\circ}C$까지에서 수행하였다. 탄성계수, 휨강도 및 파괴인성을 시험을 통하여 구하였다. 시험결과 포아슨비가 고려되는 수정 ECM 공식을 사용하므로서 보다 정확한 값들을 얻을 수 있었다. 폴리머 개질 아스팔트 혼합물이 일반아스팔트 혼합물에 비하여 더 낮은 저온하에서 더 높은 강성과 파괴인성을 유지함을 알 수 있었다.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
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• 한국원자력학회 1995년도 춘계학술발표회논문집(2)
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• pp.973-979
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• 1995

콘크리트의 물리적 특성치인 크리이프, 건조수축, 탄성계수 및 포아슨비등은 배차조건, 부재의 크기, 양생 및 재하조건 등 많은 요소들의 영향을 받고있다. 특히 크리이프와 건조수축은 복잡한 시간의존성 특성(time-dependent properties)으로 인해 아직까지도 이 분야에 대한 연구가 계속되고 있다. 따라서 본 연구에서는 불확실성이 많은 콘크리트의 장기거동에 따른 물리적 특성규명을 위하여 재하재령을 변화(7, 28, 90, 180, 365일) 시키면서 크리이프, 탄성계수, 포아슨비등을 측정, 분석함으로써 콘크리트 장기거동 예측식을 제시하였으며, 이는 프리스트레스트 콘크리트 구조물에서의 시간에 따른 응력손실을 고려한 유효 프리스트레스 응력 산정 및 구조물의 건전성 평가에 실질적 도움을 줄 수 있을 것으로 판단된다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제12권3호
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• pp.541-546
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• 2008

본 연구에서는 분석학적 모델을 이용하여 나노구조 이중게이트 MOSFET의 전도현상을 고찰하고자 한다. 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아슨방정식을 이용하였다. 전류전도에 영향을 미치는 전도메카니즘은 열방사전류와 터널링전류를 사용하였으며 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 서브문턱스윙값에 대하여 이차원 시뮬레이션 값과 비교하였다. 이중게이트 MOSFET의 구조적 파라미터인 게이트길이, 게이트 산화막 두께, 채널두께에 따라 전도중심의 변화와 전도중심이 서브문턱스윙에 미치는 영향을 고찰하였다. 또한 채널 도핑농도에 따른 전도중심의 변화를 고찰함으로써 이중게이트 MOSFET의 타당한 채널도핑농도를 결정하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제12권10호
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• pp.1840-1844
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• 2008

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET 제작시 가장 중요한 요소인 채널도핑농도가 문턱전압이하 영역에서 전송 특성에 미치는 영향을 분석하고자 한다. 포아슨방정식을 이용한 분석학적 전송모델을 사용하였다. 문턱전압이하의 전류전도에 영향을 미치는 열방사전류와 터널링전류에 대하여 분석하였으며 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 서브문턱스윙 값과 채널도핑 농도의 관계를 Medici 이차원 시뮬레이션값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 전송특성 모델이 이차원 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 이중게이트MOSFET의 구조적 파라미터에 따라 전송특성을 분석하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제12권9호
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• pp.1599-1604
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• 2008

본 연구에서 나노구조 FinFET 제작시 게이트산화막 특성이 서브문턱영역에서 전송특성에 미치는 영향을 분석하고자 한다. 이를 위하여 분석학적 전송모델을 사용하였으며 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아슨방정식을 이용하였다. 나노구조 FinFET에서 문턱전압이하의 전류전도에 영향을 미치는 열방사전류와 터널링전류에 대하여 분석하였으며 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 서브문턱스윙값을 이차원 시뮬레이션값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 전송특성모델이 이차원 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 FinFET의 전송특성이 게이트산화막의 특성에 따라 매우 큰 변화를 보이는 것을 알 수 있었다. 특히 게이트길이가 작아지면서 전송특성에 커다란 영향을 미치는 터널링특성에 대하여 집중적으로 분석하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제25권11A호
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• pp.1620-1629
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• 2000

본 논문에서는 켑춰를 갖는 슬랏 ALOHA 방식을 이용한 패킷 무선망의 성능을 분석하였다. 접속을 획득하기 위해서 켑춰효과를 이용하고 트래픽은 포아슨 랜덤프로세서로 가정하였을며 공간트래픽밀도는 실제적인 이동통신환경을 나타내는 puncturing 종형분포로 가정하였다. 패킷은 접속을 획득하는 헤더부분과 데이터 정보가 들어있는 데이터 부분으로 나눈다헤더부분은 공통확산부호를 갖는 DS에 의해 확산되고 데이터부분은 간섭전력과재밍에 강하고 고속의 데이터 전송시 성능향상을 기대할 수 있는 MC DS/FH에 의해 확산된다. 이동통신채널은 도심 전파의 다중경로 채널에 대한 다양한 헤이딩 환경을 제공해 주는 나카가미 페이딩 채널을 가정하였다. 동일한 지연시간에 반송주파수수를 증가시킴에 따라 높은 co널 처리 용량을 얻었으며 FH를 MC/DS/CDMA에 사용함으로서 간섭전력의 변화가 심한 환경에서 시스템의 성능을 일정하게 유지시켰다. 또한 Hard-limiting 상관수신기를 사용함으로써 페이딩이 심한 환경에서 패킷 무선망의 성능을 개선시켰다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권10호
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• pp.1000-1004
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• 1997

In this paper the current-voltage characteristics of a submicron GaAs MESFET is simulated by using the self-consistent ensemble Monte Carlo method. The numerical algorithm employed in solving the two-dimensional Poisson equation is the successive over-relaxation(SOR) method. The total number of employed superparticles is about 1000 and the field adjusting time is 10fs. To obtain the steady-state results the simulation is performed for 10ps at each bias condition. The simulation results show the average electron velocity is modified by the gate voltage.

• 응용통계연구
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• 제5권2호
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• pp.271-282
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• 1992

자궁경부암을 대상으로 란게르한스 세포와 악성변화의 연관성을 연구할 때 사용할 수 있는 통계적 방법을 제시하였다. 포아슨 확률모형에 바탕을 두어 설정된 여러 가능한 부모형 가운데 관찰치에 가장 적합한 모형을 AIC유형의 모형선택 기준에 의하여 선택하였다. 모형선택 기준의 표본분포는 불스트？을 이용하여 근사시키고 추정량의 표본분포는 정규근사를 이용하여 구하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2008년도 춘계종합학술대회 A
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• pp.709-712
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• 2008

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET 제작시 가장 중요한 요소인 채널도핑농도가 전송특성에 미치는 영향을 분석하고자 한다. 이를 위하여 분석학적 전송모델을 사용하였으며 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아슨방정식을 이용하였다. 나노구조 이중게이트 MOSFET에서 문턱전압이하의 전류전도에 영향을 미치는 열 방사전류와 터널링전류에 대하여 분석하였으며 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 서브문턱스윙값과 채널도핑농도의 관계를 이차원 시뮬레이션 값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 전송특성모델이 이차원 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 이중게이트 MOSFET의 구조적 파라미터에 따라 전송특성을 분석하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2008년도 춘계종합학술대회 A
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• pp.751-754
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• 2008

본 연구에서는 나노구조 FinFET 제작시 게이트산화막 특성이 서브문턱영역에서 전송특성에 미치는 영향을 분석하고자 한다. 이를 위하여 분석학적 전송모델을 사용하였으며 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아슨방정식을 이용하였다. 나노구조 FinFET에서 문턱전압이하의 전류전도에 영향을 미치는 열방사전류와 터널링전류에 대하여 분석하였으며 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 서브문턱스윙값을 이차원 시뮬레이션값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 전송특성모델이 이차원 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 FinFET의 전송특성이 게이트산화막의 특성에 따라 매우 큰 변화를 보이는 것을 알 수 있었다. 특히 게이트길이가 작아지면서 전송특성에 커다란 영향을 미치는 터널링특성에 대하여 집중적으로 분석하였다.