• International Journal of Highway Engineering
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• v.3 no.1 s.7
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• pp.185-197
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• 2001

This paper dealt with modification of effective crack length model (ECM) by adding Poisson's ratio term to evaluate fracture toughness of asphalt concrete which varies its material property by temperature. The original ECM model was developed for solid materials, such as cement concrete, and Poisson's ratio of materials was not considered. However, since asphalt concrete is sensitive to temperature variation and changes its Poisson's ratio by temperature, it should be taken into consideration to know exact fracture property under various temperatures. Four binders, including 3 polymer-modified asphalt (PMA) binders, were used to make a dense-grade asphalt mixture and 3-point bending test was peformed on notched beam at low temperatures, from -5oC to 35oC. Elastic modulus, flexural strength and fracture toughness were obtained from the test. The results showed that, since Poisson's ratio was considered, the more accurate test values could be obtained using modified ECM equation than original ECM. PMA mixture showed higher stiffness and fracture toughness than normal asphalt mixture under very low temperatures.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1995.05b
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• pp.973-979
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• 1995

콘크리트의 물리적 특성치인 크리이프, 건조수축, 탄성계수 및 포아슨비등은 배차조건, 부재의 크기, 양생 및 재하조건 등 많은 요소들의 영향을 받고있다. 특히 크리이프와 건조수축은 복잡한 시간의존성 특성(time-dependent properties)으로 인해 아직까지도 이 분야에 대한 연구가 계속되고 있다. 따라서 본 연구에서는 불확실성이 많은 콘크리트의 장기거동에 따른 물리적 특성규명을 위하여 재하재령을 변화(7, 28, 90, 180, 365일) 시키면서 크리이프, 탄성계수, 포아슨비등을 측정, 분석함으로써 콘크리트 장기거동 예측식을 제시하였으며, 이는 프리스트레스트 콘크리트 구조물에서의 시간에 따른 응력손실을 고려한 유효 프리스트레스 응력 산정 및 구조물의 건전성 평가에 실질적 도움을 줄 수 있을 것으로 판단된다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.12 no.3
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• pp.541-546
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• 2008

In this paper, conduction phenomena have been considered for nano structure double gate MOSFET, using the analytical model. The Possion equation is used to analytical model. The conduction mechanisms to have an influence on current conduction are thermionic emission and tunneling current, and subthreshold swings of this paper are compared with those of two dimensional simulation to verify this model. The deviation of current path and the influence of current path on subthreshold swing have been considered according to the dimensional parameters of double gate MOSFET, i.e. gate length, gate oxide thickness, channel thickness. The optimum channel doping concentration is determined as the deviation of conduction path is considered according doping concentration.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.12 no.10
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• pp.1840-1844
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• 2008

In this paper, the influence of channel doping concentration, which the most important factor is as double gate MOSFET is fabricated, on transport characteristics has been analyzed in the subthreshold region. The analytical model is used to derive transport model based on Poisson equation. The thermionic omission and tunneling current to have an influence on subthreshold current conduction are analyzed, and the relationship of doping concentration and subthreshold swings of this paper are compared with those of Medici two dimensional simulation, to verify this model. As a result, transport model presented in this paper is good agreement with two dimensional simulation model, and the transport characteristics have been considered according to the dimensional parameters of double gate MOSFET.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.12 no.9
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• pp.1599-1604
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• 2008

In this paper, it has been analyzed how transport characteristics is influenced on gate oxide properties in the subthreshold region as nano structure FinFET is fabricated. The analytical model is used to derive transport model, and Possion equation is used to obtain analytical model. The thermionic emission and tunneling current to have an influence on subthreshold current conduction are analyzed for nano-structure FinFET, and subthreshold swings of this paper are compared with those of two dimensional simulation to verify this model. As a result, transport model presented in this paper is good agreement with two dimensional simulation model, and this study shows that the transport characteristics have been changed by gate oxide properties. As gate length becomes smaller, funneling characteristics, one of the most important transport mechanism, have been analyzed.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.25 no.11A
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• pp.1620-1629
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• 2000

본 논문에서는 켑춰를 갖는 슬랏 ALOHA 방식을 이용한 패킷 무선망의 성능을 분석하였다. 접속을 획득하기 위해서 켑춰효과를 이용하고 트래픽은 포아슨 랜덤프로세서로 가정하였을며 공간트래픽밀도는 실제적인 이동통신환경을 나타내는 puncturing 종형분포로 가정하였다. 패킷은 접속을 획득하는 헤더부분과 데이터 정보가 들어있는 데이터 부분으로 나눈다헤더부분은 공통확산부호를 갖는 DS에 의해 확산되고 데이터부분은 간섭전력과재밍에 강하고 고속의 데이터 전송시 성능향상을 기대할 수 있는 MC DS/FH에 의해 확산된다. 이동통신채널은 도심 전파의 다중경로 채널에 대한 다양한 헤이딩 환경을 제공해 주는 나카가미 페이딩 채널을 가정하였다. 동일한 지연시간에 반송주파수수를 증가시킴에 따라 높은 co널 처리 용량을 얻었으며 FH를 MC/DS/CDMA에 사용함으로서 간섭전력의 변화가 심한 환경에서 시스템의 성능을 일정하게 유지시켰다. 또한 Hard-limiting 상관수신기를 사용함으로써 페이딩이 심한 환경에서 패킷 무선망의 성능을 개선시켰다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.10 no.10
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• pp.1000-1004
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• 1997

In this paper the current-voltage characteristics of a submicron GaAs MESFET is simulated by using the self-consistent ensemble Monte Carlo method. The numerical algorithm employed in solving the two-dimensional Poisson equation is the successive over-relaxation(SOR) method. The total number of employed superparticles is about 1000 and the field adjusting time is 10fs. To obtain the steady-state results the simulation is performed for 10ps at each bias condition. The simulation results show the average electron velocity is modified by the gate voltage.

• The Korean Journal of Applied Statistics
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• v.5 no.2
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• pp.271-282
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• 1992

A statistical method to investigate the relationship between the occurrence of Langerahans cells and neoplastic transformation of uterine cerivx. The best fitting submodel which satisfies the selection criterion similar in type to AIC is selected among the possible submodels based on Poisson probability models. A bootstrap method is used to approximate the sampling distribution of the selection criterion and the usual normal approximation is used to find the asymptotic distribution of the estimated rates.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2008.05a
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• pp.709-712
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• 2008

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET 제작시 가장 중요한 요소인 채널도핑농도가 전송특성에 미치는 영향을 분석하고자 한다. 이를 위하여 분석학적 전송모델을 사용하였으며 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아슨방정식을 이용하였다. 나노구조 이중게이트 MOSFET에서 문턱전압이하의 전류전도에 영향을 미치는 열 방사전류와 터널링전류에 대하여 분석하였으며 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 서브문턱스윙값과 채널도핑농도의 관계를 이차원 시뮬레이션 값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 전송특성모델이 이차원 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 이중게이트 MOSFET의 구조적 파라미터에 따라 전송특성을 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2008.05a
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• pp.751-754
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• 2008

본 연구에서는 나노구조 FinFET 제작시 게이트산화막 특성이 서브문턱영역에서 전송특성에 미치는 영향을 분석하고자 한다. 이를 위하여 분석학적 전송모델을 사용하였으며 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아슨방정식을 이용하였다. 나노구조 FinFET에서 문턱전압이하의 전류전도에 영향을 미치는 열방사전류와 터널링전류에 대하여 분석하였으며 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 서브문턱스윙값을 이차원 시뮬레이션값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 전송특성모델이 이차원 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 FinFET의 전송특성이 게이트산화막의 특성에 따라 매우 큰 변화를 보이는 것을 알 수 있었다. 특히 게이트길이가 작아지면서 전송특성에 커다란 영향을 미치는 터널링특성에 대하여 집중적으로 분석하였다.