Cu pillar 범프를 사용한 플립칩 접속부는 솔더범프 접속부에 비해 칩과 기판사이의 거리를 감소시키지 않으면서 미세피치 접속이 가능하기 때문에, 특히 기생 캐패시턴스를 억제하기 위해 칩과 기판사이의 큰 거리가 요구되는 RF 패키지에서 유용한 칩 접속공정이다. 본 논문에서는 칩에는 Cu pillar 범프, 기판에는 Sn 범프를 전기도금하고 이들을 플립칩 본딩하여 Cu pillar 범프 접속부를 형성 한 후, Sn 전기도금 범프의 높이에 따른 Cu pillar 범프 접속부의 접속저항과 칩 전단하중을 측정하였다. 전기도금한 Sn 범프의 높이를 5 ${\mu}m$에서 30 ${\mu}m$로 증가시킴에 따라 Cu pillar 범프 접속부의 접속저항이 31.7 $m{\Omega}$에서 13.8 $m{\Omega}$로 향상되었으며, 칩 전단하중이 3.8N에서 6.8N으로 증가하였다. 반면에 접속부의 종횡비는 1.3에서 0.9로 저하하였으며, 접속부의 종횡비, 접속저항 및 칩 전단하중의 변화거동으로부터 Sn 전기도금 범프의 최적 높이는 20 ${\mu}m$로 판단되었다.
Cu pillar 범프와 Sn 패드로 구성된 플립칩 접속부를 형성한 후, Sn 패드의 높이에 따른 Cu pillar 플립칩 접속부의 열 싸이클링 및 고온유지 신뢰성을 분석하였다. Cu pillar 플립칩 접속부를 구성하는 Sn 패드의 높이가 5 ${\mu}m$에서 30 ${\mu}m$로 증가함에 따라 접속저항이 31.7 $m{\Omega}$에서 13.8 $m{\Omega}$로 감소하였다. $-45^{\circ}C{\sim}125^{\circ}C$ 범위의 열 싸이클을 1000회 인가한 후에도 Cu pillar 플립칩 접속부의 접속저항의 증가가 12% 이하로 유지되었으며, 열 싸이클링 시험전과 거의 유사한 파괴 전단력을 나타내었다. $125^{\circ}C$에서 1000 시간 유지시에도 Cu pillar 플립칩 접속부의 접속저항의 증가가 20% 이하로 유지되었다.
본 논문에서는 ISDN 망에서 통신 단말용으로 구현된 시스템-온-칩과 이 칩을 활용하여 설계 제작된 ISDN 단말에 관해 기술한다. ISDN 단말의 여러 가지 기능이 통합되어 구현된 본 논문의 ISDN 시스템-온-칩은 32비트 ARM7TDMI RISC 코아 프로세서부, 네트워크 인터페이스를 위해 ISDN S/T-정합부, 각종 톤 발생과 음성 신호를 PCM 데이터로 변환하기 위한 음성 코덱부 및 user와 인터페이스를 위한 PC 정합부로 구성되어 있다. 또한 이 칩을 활용하여 ISDN 통신단말을 구성하기 위한 소프트웨어 구조와 및 서비스절차 에 대해 기술하며, 끝으로 구현된 통신단말의 구조에 관해 살펴본다.
본 논문에서는 RESO(REcomputation with Shifted Operands)와 같은 시간 결함허용 기법을 이용한 단일칩 컴퓨터의 결함허용성을 평가하기 위한 분석 및 시뮬레이션 모델을 제안한다. 단일칩으로 들어오는 모든 작업은 이중화 처리된다고 가정하고 1차 작업과 2차 작업의 효율적인 처리를 위한 세가지 스케쥴링 방법들을 제안하고 분석한다. 고안된 스케쥴링 방법들은 결함과 결함허용으로 인한 응답시간 지연이 시스템의 비용에 미치는 영향을 단일칩의 부하와 결함발생율에 따라서 평가한다. 제안된 모델을 사용하면 비용, 단일칩의 부하 및 결함발생율과 같은 실험 파라미터에 기초한 최적 지연($\kappa$)를 가지는 결함허용 스케쥴을 구할 수 있다.
본 실험은 폐타이어칩이 심비디움 Pine Clash 'Moon Venus'의 생장 및 양분함량에 미치는 영향에 대해서 조사하였다. 잎, 줄기의 지상부 생장은폐타이어칩과 바크를 혼용한 경우에는 관행구인 바크와 차이가 없었다. 그러나 폐타이칩 단용구에서는 지상부의 생장이 현저하게 감소하였다. 총근수, 신근수, 근장 등 지하부의 생장도 지상부의 생장과 유사한 경향을 나타내었다. 부패근수는 폐타이어칩 중립과 대립의 단용구에서 증가하였다. 전당, 전분, 엽록소와 N, P, K 등 무기양분의 함량도 폐타이어칩과 바크를 혼용한 경우에는 관행구인 바크와 차이가 없었으나, 폐타이칩 단용구에서는 감소하였다.
LCD 디스플레이 등에 사용되는 글래스 패널 위에 bare si die를 직접 실장하는 COG 플립칩 패키지의 경우 Au 범프와 ITO 패드 간의 전기적 접속 및 접합부 신뢰성 확보를 위해 접속소재로서 ACF (anisotropic conductive film)가 사용되고 있다. 그러나 ACF는 고가이고 접속피치 미세화에 따라 브릿지 형상에 의한 쇼트 등의 문제가 발행할 수 있어 NCP (non-conductive paste)의 상용화가 요구되고 있다. 본 연구에서는 NCP를 적용한 COG 패키지에 있어서 온도, 압력 등의 열압착 본딩 조건과 NCP 물성이 Au-ITO 접합부의 전기적 및 기계적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. NCP는 에폭시 레진과 경화제, 촉매제를 사용하여 다양하게 포뮬레이션을 하였고 DSC (Differential Scanning Calorimeter), TGA (Thermogravimetric Analysis), DEA (Dielectric Analysis) 등의 열분석장비를 이용하여 NCP의 물성과 경화 거동을 확인하였다. 테스트 베드는 면적 $5.2{\times}7.2\;mm^2$, 두께 650 ${\mu}m$, 접속피치 200 ${\mu}m$의 Au범프가 형성된 플립칩 실리콘 다이와 접속패드가 ITO로 finish된 글래스 기판을 사용하였다. 글래스 기판과 실리콘 칩은 본딩 전 PVA Tepla사의 Microwave 플라즈마 장비로 Ar, $O_2$ 플라즈마 처리를 하였으며, Panasonic FCB-3 플립칩 본더를 사용하여 본딩하였다. 본딩 후 접합면의 보이드를 평가하고 die 전단강도로 접합강도를 측정하였다.
본 논문에서는 Atmel사의 AVR 칩인 ATmega128을 이용한 AC 파워서플라이의 제어를 제안한다. 제안한 AC 파워서플라이는 풀브리지 구조를 이용하며, 그 부하로는 냉음극형 형광램프(램프)를 적용하였다. 특별히 램프는 부성저항 특성을 가진 부하이기 때문에 제안한 파워서플라이는 안정기 기능을 포함하며, AVR 칩을 이용하여 구조가 간단한 장점을 가진다. 제안한 파워서플라이의 동작특성은 실험결과로 보인다.
본 논문에서는 무선 LAN의 MAC 계층 프로토콜을 고속으로 처리하는 MAC 기능 칩을 개발하였다. 개발된 MAC 칩은 CPU와의 인터페이스를 위한 제어 레지스터들과 인터럽트 체계를 가지고 있으며, 프레임 단위로 송수신 데이터를 처리한다. 또한 PFDM 방식 물리계층 모뎀을 위한 직렬전송 인터페이스를 가지고 있다. 개발된 MAC 칩은 크게 프로토콜제어기능 블록, 송신기능 블록 및 수신기능 블록 등으로 구성되었으며, IEEE 802.11 규격에 제시된 대부분의 DCF 기능을 지원한다. 구현된 MAC 칩의 동작을 검증하기 위해 RTS-CTS 절차 기능, IFS(Inter Frame Space) 기능, 액세스 절차, 백오프 절차, 재전송 기능, 분할된(fragmented) 프레임 송수신 기능, 중복수신 프레임 검출 기능, 가상 캐리어 검출기능(NAV 기능), 수신에러 발생 경우 처리 기능, Broadcast 프레임 송수신 기능, Beacon 프레임 송수신 기능, 송수신 FIFO 동작 기능 등을 시뮬레이션을 통해 시험하였으며, 시험 결과 모두 정상적으로 동작함을 확인하였다. 본 논문을 통해 개발된 MAC 기능 칩을 이용할 경우 고속 무선 LAN 시스템의 CPU 부하(load)와 펌웨어의 크기를 크게 줄일 수 있을 것으로 기대된다.
NFC의 능동동작 모드, 수동동작 모드 및 RFID 동작 모드에 필요한 13.56MHz 트랜스미터와 리시버 및 RFID 태그 동작을 모두 지원하는 단일 칩 NFC 트랜시버를 설계 및 제작하고 동작을 검증하였다. 제안된 NFC 트랜시버는 외부전원 공급이 없어도 RFID 태그가 동작할 수 있도록 이니시에이터와 타겟의 2중 안테나 구조를 가지고 있다. 타겟 안테나는 이니시에이터 안테나의 접지 차폐층을 사용함으로써 이중 안테나의 유효면적이 단일 안테나에 비교해서 동일한 면적을 갖도록 안테나 구조를 제안하였고, 안테나의 선택 동작에 필요한 회로를 제안하였다. 제안된 NFC 단일 칩 트랜시버의 아날로그 전단부 회로는 능동모드와 RFID 리더를 위한 Reader/writer 블록의 트랜스미터와 리시버 회로부, 수동 모드와 태그 모드를 위한 태그 회로부로 구성된다. 태그 회로부는 정류기 및 부하 변조를 위한 수동소자가 포함되어 있으며, 정류기에서 생성되는 전압을 사용하여 외부 전원 없이도 태그 동작이 가능하도록 설계하였다. 제안된 트랜시버는 UART 직렬 인터페이스 회로를 통하여 호스트와 최대 212Kbps로 통신할 수 있다. 제안된 회로는 매그나칩의 0.35um 2-Poly 4-Metal CMOS공정으로 제작되었고, 칩의 유효면적은 $2200um{\times}360um$이다.
표면실장 공법을 통해 CSP 패키지를 보드에 실장 하는데 있어 무연솔더 접합부의 신뢰성에 영향을 미치는 인자 중 가장 중요한 것은 접합부에 형성되는 IMC (Intermetallic compound, 금속간화합물)인 것으로 알려져 있다. 접합부의 칩 부분에는 솔더와 칩의 UBM (Under bump metalization)이 접합하여 IMC가 형성되나, 보드 부분에는 솔더와 보드의 UBM 뿐만 아니라 그 사이에 솔더 페이스트가 함께 접합되어 IMC가 형성된다. 본 연구에서는 패키지의 신뢰성 연구를 위해 솔더 페이스트의 유무 및 두께에 따른 무연 솔더 접합부의 미세조직의 변화를 분석하였다. 본 실험에서는 Sn-3.0(Wt.%)Ag-0.5Cu 조성과 본 연구진에 의해 개발된 Sn-Ag-Cu-In 조성의 직경 $450{\mu}m$ 솔더 볼을 사용하였으며, 솔더 페이스트는 상용 Sn-3.0Ag-0.5Cu (ALPHA OM-325)를 사용하였다. 칩은 ENIG (Electroless nickel immersion gold) finish pad가 형성된 CSP (Chip scale package)를, 보드는 OSP (Organic solderability preservative)/Cu finish pad가 형성된 것을 사용하였다. 실험 방법은 보드를 솔더 페이스트 없이 플라즈마 처리 한 것, 솔더 페이스트를 $30{\mu}m$ 두께로 인쇄한 것, $120{\mu}m$의 두께로 인쇄한 것, 이렇게 3가지 조건으로 준비한 후, 솔더 볼이 bumping된 칩을 mounting하여, $242^{\circ}C$의 peak 온도 조건의 oven(1809UL, Heller)에서 reflow를 실시하여 패키지를 형성하였다. 이후 시편은 정밀 연마한 후, OM(Optical Microscopic)과 SEM(scanning electron microscope) 및 EDS(energy dispersive spectroscope)를 사용하여 솔더 접합부 IMC의 미세조직을 관찰, 분석하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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