본 논문에서는 고속 통신 시스템 응용을 위한 12b 100 MS/s CMOS D/A 변환기(DAC) 회로를 제안한다. 제안하는 DAC는 전력소모, 면적, 선형성 및 글리치 에너지 등을 고려하여, 상위 8b는 단위 전류셀 매트릭스 (unit current-cell matrix)로 나머지 하위 4b는 이진 전류열 (binary-weighted array)로 구성하였다. 제안하는 DAC는 동적 성능을 향상시키기 위해 새로운 구조의 스위치 구동 회로를 사용하였다. 시제품 DAC회로 레이아웃을 위해서는 캐스코드 전류원을 단위 전류셀 스위치 매트릭스와 분리하였으며, 제안하는 칩은 0.35 um single-poly quad-metal CMOS 공정을 사용하여 제작되었다. 측정된 시제품의 DNL 및 INL은 12b 해상도에서 각각 ±0.75 LSB와 ±1.73 LSB이내의 수준이며, 100 MS/s 동작 주파수와 10 MHz 입력 주파수에서 64 dB의 SFDR을 보여준다. 전력 소모는 3 V의 전원 전압에서 91 mW이며, 칩 전체 크기는 2.2 mm × 2.0 mm 이다.
EFG Si 태양전지를 전류-전압, 표면광전압, 전자빔유도_전류, 전자미세프로브, 전자역산란의 여러 가지 기술을 이용하여 분석하였다. 전류-전압 그래프를 여러 온도에서 측정한 결과 EFG-Si 태양전지는 전압에 따라 변하는 shunt 저항을 가진 것이 밝혀졌다. 이러한 shunt 저항은 precipitate와 grain boundary에 의해 생긴 것으로 공간전하영역 내의 불순물 에너지 준위로 tunneling에 의해 이동한 캐리어의 재결합으로 일어난 결과이다. 전류-전압 과 표면광전압 기술을 결합하면 태양전지의 pn접합과 기판 (substrate)을 동시에 분석할 수 있다. Diode ideality factor와 표면 광전압은 Pn접합의 특성을, 소수캐리어 확산거리는 substrate특성을 표시한다. EFG 태양 전지를 분석한 결과, 전압에 따라 변하는 shunt 저항은 효율에 따라 정도 차이는 있지만 모든 시편에서 발견되며, 태양전지의 성능을 저하시키는 중요한 원인 중의 하나가 된다.
대전 관내에서 송전계통 및 배전계통의 고장발생이 없었음에도 불구하고 고압 수용가의 2차측에서 플리커(형광등 깜박거림), 엘리베이터 정지 등의 문제가 수차례 발생하였다. 순간 전압변동의 원인을 해당 변전소 캐패시터 소손, 캐패시터 투입과 OLTC 조작으로 인한 전압변동, 고조파 공진 등을 원인으로 추정하고 같은 전압변동 원인 분석을 실시하였다. 분석 개소는 정전이 발생된 변전소 모선 전압과 전류, 캐패시터 뱅크의 전압과 전류, 덕진과 항공 D/L의 전류, 세종아파트의 MOF와 엘리베이터 전용의 변압기 2차측의 전압과 전류이다. 분석결과 변전소의 캐패시터 뱅크의 콘덴서, 리액터, 방전코일의 조사 결과 열화 및 소손이 없었으며, 4차 고조파에 공진이 되도록 설정된 것도 측정을 통해 이상 없음을 확인하였다. 사고재현을 위해 이전과 동일하게 변전소 캐패시터 조작을 수행했으나 엘리베이터가 중단되는 현상이 재현되지 않았지만 고압측의 콘덴서를 투입하였을 때 수용가측의 저압변압기 2차측에서 15[%] 이상 전압이 확대됨을 확인하였다. 다양한 분석과 시뮬레이션 결과 공진에 의해 전압이 확대되었음을 규명하였다.
본 논문에서는 배터리 팩을 구성하는데 있어 높은 전압의 직렬 연결된 배터리 모듈의 병렬 연결에서 발생할 수 있는 순환 전류를 제거하는 방법을 제시하였다. 제거 방법은 배터리 팩의 구성상에 있어서 양방향 DCDC 컨버터와 슈퍼 캐패시터를 이용한 VVSM(Variable Voltage Variable Module)이라고 명명한 모듈을 직렬 연결된 배터리 셀들 중 하나 대신에 삽입하는 방식인데 VVSM은 이 모듈에서 마치 우리가 원하는 전압으로 제어할 수 있는 배터리 셀처럼 동작한다. 전압을 가변할 수 있는 배터리 셀(VVSM)을 이용하여 직렬 연결된 배터리 모듈의 전압을 아주 손쉽게 일치시킬 수 있었다. 제시한 방법을 증명하기 위해 배터리를 모형화한 모델을 이용하여 모의 실험을 시행 하였다. 또한 직렬 연결된 배터리 셀 만으로 된 모듈과 제안한 VVSM이 적용된 모듈을 실제 제작하여 두 모듈을 병렬 연결하여 둘 사이에 순환 전류를 측정하여 비교함으로써 제안된 방법이 효과적으로 순환 전류을 억제할 수 있음을 검증하였다.
Journal of the Korean Data and Information Science Society
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제21권1호
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pp.139-146
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2010
비파괴검사방법 중 직류전위차법은 표면균열 측정에 유효한 수단으로 알려져 있다. 이차원 표면 균열을 가진 시험편에서 전류입출력점사이의 거리가 직류전위차에 미치는 영향을 알아보는 실험을 실시하여 자료를 얻었다. 이 자료로부터 전위차 값은 일정 전위차계측점사이의 거리에 있어 전류입출력점사이의 거리가 증가함에 따라 반비례적으로 감소하고, 노치의 길이에 비례하고 있었다. 이 실험에서 관찰된 자료를 통계적 모형에 적합시키고, 적합된 모형에서 전위차에 영향을 주는 유의한 변수를 알아보는 것은 비파괴검사에서 중요하다고 할 수 있다. 본 연구에서는 관찰된 자료를 적절하게 설명할 수 있는 통계적 모형을 제안하고, 제안된 모형에서 유의한 독립변수를 찾아보는 것이 목적이다.
본 연구에서는 과학 영재와 일반아의 창의적 추리과정시 나타나는 두뇌사고 패턴을 sLORETA 분석 기법을 통해 분석하고, 신경생리적 특성을 파악하여 과학 영재아 판별의 기초와 활용 가능성을 알아보는 것이다. 본 연구를 위한 대상자는 과학영재아 6명과 동일 학군 및 학년에 속한 일반아 6명으로 총 12명의 오른손잡이로 하였다. 창의적 추리과정을 위해 사용된 과제는 레이븐 도형점진행렬검사를 사용하였고, 안정상태와 과제 수행간 뇌파를 측정하였다. 뇌파는 19개의 전극을 통해 수집된 16초간의 데이터를 통해 분석하였으며, sLORETA 분석 기법을 통해 8개의 주파수 대역(Delta, Theta, Alpha-1/2, Beta-1/2, Gamma, Omega)에 대한 평균 전류밀도값을 그룹별로 비교하였다. 그룹간 두뇌 활성 주파수 대역을 비교한 결과 눈감고 안정 상태에서 과학영재아가 일반아에 비해 알파-2 대역에서, 레이븐 과제 수행시 과학 영재아가 일반아에 비해 알파-1과 감마 대역에서 강한 활성이 관찰되었다. 연구 결과 나타난 알파 및 감마 대역 활성과 우반구로의 기능적 편측화(Lateralization)는 창의적 문제 해결시 영재아에게 나타나는 대표적 특성 중 하나이며, 배외측전전두피질(DLPFC)의 활성은 과학영재아의 높은 유동지능을 반영하는 결과라 볼 수 있다.
최근 사물인터넷 기반의 재해예방 기술이 개발되고 있다. 본 논문에서는 사물인터넷기반의 공동주택용 자율전기안전관리 기술 개발을 위하여 부하 전류 파형을 FFT와 MFCC를 이용하여 신호변환 후 신경회로망 모델에 적용하여 정확도가 개선된 전기 부하 패턴분류 시스템을 제안한다. 오실로스코프와 CT를 이용하여 측정한 전기 부하의 전류 파형을 FFT 알고리즘을 적용한 후 신경회로망을 이용하여 단일부하패턴 분류 실험을 하였다. 본 연구를 통하여 부하의 특성을 파악함으로서 고장에 대해 보다 신속하고 정확하게 대처할 수 있을 것으로 예측된다.
생산성 향상을 위하여 정렬된 마이크로칼럼을 이용하여 멀티-전자빔 리소그라피 장치를 개발하였다. 마이크로칼럼은 매우 작은 크기를 가지고 있어 병렬구조로 정렬하여 작동시킬 수 있다. Single Column Module(SCM) 구조의 멀티 전자빔 리소그라피 시스템과 전자칼럼을 제작하여 250 eV에서 300 eV 에너지 범위에서의 저에너지 마이크로칼럼 리소그라피를 성공적으로 수행하였다. 전자방출원에서 방출되는 전자빔의 총 전류가 $0.5\;{\mu}A$일 때, 샘플에서의 전류는 >1 nA으로 측정되었으며 리소그라피 패텅닝에서 사용된 working distance은 $\~1\;mm$였다.
Co/Ti 이중막을 급속열처리하여 형성한 $CoSi_{2}$에 $As^+$을 이온주입한 후, 500~$1000^{\circ}C$에서 drive-in 열처리하여 매우얇은 $n_{+}$ p접합의 다이오드를 제작하고 I-V 특성을 측정하였다. $500^{\circ}C$에서 280초 drive-in 열처리하였을 때, 50nm정도의 매우 얇은접합이 형성되었고, 누설전류가 매우 낮아 가장 우수한 다이오드 특성을 나타내었다. 특히, Co 단일막을 사용한 다이오드에 비해 누설전류는 2order 이상 낮았으며, 이는 $CoSi_{2}$Si의 계면이 균일하였기 때문이다.
전기절연재로서의 성능이 우수하며, 다른 물질과의 결합 및 성형의 편리성 및 경량화에 부합할 수 있는 실리콘 고무의 사용이 급증하고 있다. 이에 본 논문에서는 현수애자에 사용중인 실리콘 고무를 선택하여 제조시에 발생할 수 있는 내부보이드에 대한 전기적특성을 알아보기 위해 실리콘 고무를 3층으로 적층하여 중간층 중심에 비슷한 체적으로 인공보이드를 원통 및 삼각기등형의 보이드를 제작하여 보이드형상 변화에 따른 부분방전전하량을 측정하였다. 위상(${\Phi}$)-전하량(q)-빈도(n)에 대한 데이터를 3차원그래프로 나타냈으며, 또한 평균방전전류 및 방전전력 변화를 통한 보이드 결함 특성을 파악하였다. 그 결과, 전압인가 시간에 따라 원통보이드의 경우 초기에는 방전전류 및 방전전력이 증가 하다가 일정시간이 경과하면 감소하는 형태를 나타냈으며, 삼각기둥보이드의 경우 계속적으로 증가하는 모습을 보여주었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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