• The Bulletin of The Korean Astronomical Society
• /
• v.37 no.1
• /
• pp.68.2-68.2
• /
• 2012

한국우주전파관측망(KVN)을 이루는 각 망원경에 22GHz, 43GHz, 86GHz, 129GHz의 4개의 주파수 대역을 동시에 관측할 수 있는 전파 수신시스템을 구축하고 있다. 현재, 22GHz와 43GHz의 수신기가 설치되어 있고, 86GHz와 129GHz 수신기가 2012년 상반기에 설치 완료할 예정이다. 이들 중, 129GHz 수신기의 핵심인 초전도 전파수신소자에 공급하는 바이어스 전원의 공급 시스템을 2년에 걸쳐 설계 및 제작 완료하였다. 개발된 Bias Supply System은 주 보드, User Interface, 전용 정전압 모듈, Protection 모듈 등이 한 Sub-Rack에 결합되어 있다. 먼저, Bias Supply System 시제품 1set를 우선 제작하여 연세전파천문대의 129GHz수신기 초전도 전파수신소자 제어에 설제 적용하였다. 이를 바탕으로, 수정과 보완 및 Remote M&C 기능을 추가하여 새로 설계하고 제작한 최종 Bias Supply System 3set를 개발 완료하였고, 129GHz 수신기 3기의 초전도 전파수신소자 구동에 운용하고 있다. 본 발표에서는 그 개발 내용을 소개하고자 한다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
• /
• v.25 no.1
• /
• pp.47-52
• /
• 2014

A simple RC circuit model of large-scale touch screen panels is developed and the frequency range of the RC model is analyzed. 2D EM simulation results of a single touch cell are cascaded for a 23 inch touch panel using a circuit simulator, and the shortest and longest channels of the full panel are modeled with a 5-element RC circuit. The 5-element RC circuit can model the touch screen panel upto 130 kHz with the channel phase error of $10^{\circ}$. 7-element RC circuit model is also proposed and the frequency range for the channel phase error of $10^{\circ}$ is extended to 200 kHz.

• Journal of Satellite, Information and Communications
• /
• v.8 no.2
• /
• pp.36-43
• /
• 2013

In this study, the high current behaviors and double snapback mechanism of gate grounded_extended drain n-type MOSFET(GG_EDNMOS) device were analyzed in order to realize the robust electrostatic discharge(ESD) protection performances of high voltage operating display driver IC(DDIC) chips. Both the transmission line pulse(TLP) data and the thermal incorporated 2-dimensional simulation analysis as a function of ion implant conditions demonstrate a characteristic double snapback phenomenon after triggering of bipolar junction transistor(BJT) operation. Also, the background carrier density is proven to be a critical factor to affect the high current behavior of the GG_EDNMOS devices.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
• /
• v.6 no.1
• /
• pp.109-114
• /
• 2002

In this paper, we have presented the simulation results ah)ut threshold voltage for Si-based MOSFETs with channel length of nano scale. We simulated the Si-based n channel MOSFETs with gate lengths from 180 to 30 nm in accordance to the constant voltage scaling theory and the lateral scaling. These MOSFETs had the lightly doped drain(LDD) structure, which is used for the reduction of electric field magnitude and short channel effects at the drain region. The stronger electric field at this region is due to scaling down. We investigated and analyzed the threshold voltage of these devices. This analysis will provide insight into some applicable limitations at the ICs and used for basis data at VLSI.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.02a
• /
• pp.113-113
• /
• 2010

유비쿼터스 시대를 맞이하여 현재의 전자제품은 초고주파 환경에서의 소형화된 마이크로파 소자를 요구하고 있다. 마이크로파 대역에서 세라믹 소재는 대부분의 폴리머 소재에 비해 낮은 유전손실 값을 보이고 있어 향후 확대되는 고주파화에 적합한 소재로 평가되고 있다. 하지만 세라믹 재료는 깨지기 쉬운 특성을 가지고 있어 공정 및 취급이 어려우며 높은 소결온도를 가지고 있어 융점이 낮은 재료와의 집적화에 있어서 난점을 가지고 있다. 이를 위해 본 연구실에서는 실온에서 세라믹을 비롯한 금속 및 폴리머 재료의 치밀한 코팅막의 성막 및 이종 접합이 가능한 Aerosol Deposition (AD 법)에 주목하였고 마이크로파 소자 제작 공정으로서 AD 법의 응용 가능성을 연구하였다. 마이크로파 소자의 기판으로서는 AD 법을 이용하여 유전손실이 낮고 플렉서블한 $Al_2O_3$-PTFE 혼합 기판을 제작하고 적용하였다. 금속 선로 패터닝 제작 공정으로는 도금법이 대표적이지만 고비용 및 복잡한 공정 절차, 폐화학용액으로 인한 환경문제 등의 단점을 지니고 있어 이를 대체하는 금속 선로 패터닝 공정이 절실히 요구되고 있다. 이를 위해 본 연구에서는 AD 법을 이용하여 금속 필름을 제작하고 대체 공정으로서의 가능성을 확인하였다. 하지만 AD 법을 이용한 세라믹 필름 제작에 관한 연구는 크게 활성화되어 있는 반면에 금속 필름의 제작, 특성 측정 및 개선에 관한 연구는 그에 비해 미비한 수준이다. 이를 위해 이번 연구에서는 AD 법을 이용하여 금속 필름을 성막 시에 영향을 미치는 요인을 고찰하였으며 또한 마이크로파 소자의 도체 손실에 크게 관계되는 금속 필름의 비저항 특성의 측정 및 개선에 관한 연구를 수행하였다. 이를 위해 본 연구에서는 정전장 시뮬레이션을 활용하여 AD 법으로 성막된 금속 필름의 정밀한 비저항 측정에 관한 연구방법을 마련하고 후열처리를 통한 비저항 특성을 개선시키는 연구를 진행하였다.

• Journal of Satellite, Information and Communications
• /
• v.10 no.4
• /
• pp.6-11
• /
• 2015

The ESD(electrostatic discharge) protection performance of PPS(PMOS pass structure) embedded N-type silicon controlled rectifier(NSCR_PPS) device with different GPNS(Gate to Primary $N^+$ Diffusion Space) structure was discussed for high voltage I/O applications. A conventional NSCR_PPS standard device with FPW(Full P-Well) structure and non-CPS(Counter Pocket Source) implant shows typical SCR-like characteristics with low on-resistance(Ron), low snapback holding voltage(Vh) and low thermal breakdown voltage(Vtb), which may cause latch-up problem during normal operation. However, our proposed NSCR_PPS devices with modified PPW(Partial P-Well) structure and optimal CPS implant demonstrate the improved ESD protection performance as a function of GPNS variation. GPNS was a important parameter, which is satisfied design window of ESD protection device.

• Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
• /
• 2003.05a
• /
• pp.167-172
• /
• 2003

액정판넬(LCD) 및 반도체 제조공정에 있어서 정전기 발생으로 인하여 미세한 먼지가 LCD 및 반도체 웨이퍼에 부착되거나, 정전기 방전에 의해 반도체소자 및 LCD 유리기판상의 패헌의 파괴를 야기하여 제품의 수율을 저하시키고 제조원가를 상승시키는 주요한 요인이 된다. 현재 이러한 제조공정에서 정전기를 위한 대책으로 코로나방전에 의한 이온바(Ion Bar) 및 이온브로어(Ion Blower)를 제전설비로 사용하고 있으나, 이 장치는 코로나 방전에 의한 이온을 발생시키고 이온화된 공기를 불어 내기 위하여 팬을 사용하여 공기를 대류 시킨다.(중략)

• Proceedings of the KIPE Conference
• /
• 2008.06a
• /
• pp.262-264
• /
• 2008

DC 전력을 AC 전력으로 변환시키는 인버터의 직류단 캐패시터는 직류단의 안정화, 정전시 필요한 에너지의 저장 등의 목적을 가지고 있다. 큰 사이즈의 직류단 캐패시터는 주로 전해 캐패시터를 사용하는데, 전해 캐패시터는 그 부피가 클 뿐 아니라 수명 또한 여타 반도체 소자에 비하여 짧아 전체 전력변환 시스템의 수명을 단축시킨다. 따라서, 직류단 캐패시터의 크기를 줄이기 위하여 많은 연구가 진행되어왔다. 이 논문에서는 직류단의 전압 안정도를 해치지 않는 최소한의 캐패시터의 크기에 대하여 살펴보고, 그 이하 크기의 캐패시터를 사용할 수 있도록 하는 제어 방법을 제안한다.

• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 1998.11c
• /
• pp.1004-1006
• /
• 1998

Mo-tip FED of 1 inch diagonal was vacuum sealed using sodalime-to-sodalime glass electrostatic bonding under $10^{-7}torr$. The bonding properties of the bonded sodalime-to sodalime structure were investigated and emission characteristic of packaged FED panel was measured.

• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.6 no.4
• /
• pp.302-310
• /
• 1993

일렉트렛트이란 자석과 대칭한 호칭으로 영구전기분극을 갖는 절연체를 말한다. 일랙트렛트는 1919년 강구에 의해 창제되었는데 이것은 왁스와 송지를 등량으로 혼합하여 만든것이었으나 최근에는 테프론이나 마이러, 폴리프로필렌등의 고분자 필름으로 만들게 되었다. 많은 고분자 재료는 절연성이 좋고 가공 성형도 용이하기 때문에 일랙트렛트로 하기에 편리하다. 그중에서도 합성고분자 필름에 의한 일랙트렛트는 마이크로폰이나 카트리지 등의 음향소자에 쓰이는 외에 정전모우터, 릴레이스위치, 에어필터나 의용재료에 널리 이용될 가능성이 나오고 있다.