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Effects of the ESD Protection Performance on GPNS(Gate to Primary N+ diffusion Space) Variation in the NSCR_PPS Device  

Yang, Jun-Won (세한대학교 소방행정학과/나노정보소재연구소)
Seo, Yong-Jin (세한대학교 정보물류학과)
Publication Information
Journal of Satellite, Information and Communications / v.10, no.4, 2015 , pp. 6-11 More about this Journal
Abstract
The ESD(electrostatic discharge) protection performance of PPS(PMOS pass structure) embedded N-type silicon controlled rectifier(NSCR_PPS) device with different GPNS(Gate to Primary $N^+$ Diffusion Space) structure was discussed for high voltage I/O applications. A conventional NSCR_PPS standard device with FPW(Full P-Well) structure and non-CPS(Counter Pocket Source) implant shows typical SCR-like characteristics with low on-resistance(Ron), low snapback holding voltage(Vh) and low thermal breakdown voltage(Vtb), which may cause latch-up problem during normal operation. However, our proposed NSCR_PPS devices with modified PPW(Partial P-Well) structure and optimal CPS implant demonstrate the improved ESD protection performance as a function of GPNS variation. GPNS was a important parameter, which is satisfied design window of ESD protection device.
Keywords
ESD(Electrostatic Discharge); NSCR(N-type Silicon Controlled Rectifier); PPS(P-type MOSFET Pass Structure); FPW(Full P-Well); PPW(Partial P-Well); CPS(Counter Pocket Source); GPNS(Gate to Primary $N^+$ Diffusion Space);
Citations & Related Records
Times Cited By KSCI : 8  (Citation Analysis)
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