비탄성적 산란에 의한 빛의 방출 현상을 이용한 라만 분광법 기술은 무표지 방식으로 분자를 식별하는 기술로 바이오 의학 및 재료 산업에 이르기까지 다양한 분야에서 연구되고 있다. 광프로브 기반 라만 분광기는 국소 부위의 화학 분석을 최소 침습 방식으로 측정할 수 있어 수술 중 실시간 진단 기술로 적용할 수 있는 가능성을 내포하고 있다. 본 연구에서는 화학 물질의 농도별 변화에 따른 라만 신호의 변화를 살펴보아 라만 실험 장치의 캘리브레이션을 진행하였으며, 정상 쥐와 아밀로이드 베타 플라크가 축적된 5xFAD 치매성 돌연변이 모델의 대뇌 조직을 대상으로 라만 신호 특성을 측정 및 비교 분석하여 알츠하이머씨 병의 진단을 위한 가능성을 탐구하였다. 또한 대표적인 치매 원인 물질인 아밀로이드 베타에 대한 라만 신호 측정을 병행하여 치매 진단에 대한 적용을 교차 검증하였다. 본 라만 분광법 연구를 통해 치매 진단에 있어 기존문진 검사 및 뇌 영상 진단을 대체하여 정밀하게 판별할 수 있는 하나의 진단 지표로서의 가능성을 보았으며, 추후 뇌신경계뿐만 아니라 인체의 다양한 장기 및 질병에 적용시켜 물리·공학·화학 등 다양한 연구분야에서의 원천기술로 활용될 수 있을 것으로 생각된다.
방사선 치료과정에서 가장 중요한 것은 환자에게 조사된 흡수선량을 검증하는 것이다. IMRT에 사용되는 방사선의 물리적 특성을 결정하고 환자에 조사된 선량분포를 검증할 수 있는 정밀한 선량 측정 장치가 필요하다. 본 연구에서 2차원 광자선의 선량검증을 위해 만들어진 BInS (Beam Intensity Scanner)에 관하여 논의한다. BInS에 있는 Scintillator는 광자선이나 전자선에 조사되면 형광을 발생하는 Gd$_2$O$_2$S:Tb를 주성분으로 한다. Scintillator에서 발생된 형광은 디지털 비디오카메라에 의해 수집되어 디지털 신호로 바뀌고 자체 제작한 소프트웨어에 의해 분석되며 상대적인 선량 분포가 3차원 그림으로 표시된다. BInS가 IMRT에서 사용가능한지를 알아보기 위하여 치료에 관련된 몇 가지 측정을 하였다. IMRT의 주요 작동방식 중의 하나인 SMLC (static multileaf collimator) 방식에서는, leaf들의 동작을 통제하여 만들어지는 여러 개의 정적 조사면적(static portal)을 통하여 IMB (intensity modulated beam)이 만들어진다. 따라서 여러 개의 정적 조사면적이 연달아 맞닿아 있는 경우, 연속된 두 조사면적의 경계면에서 penumbra와 산란된 광자들이 겹쳐지고 따라서 hot spot이 생기게 된다. 이와 같이 SMLC 방식에서 나타나는 inter-step hot spot들의 존재를 BInS를 이용하여 측정하여 가시화하였고 또한 그것들을 제거하는 실험적 방법도 제시하였다. IMRT에서 사용되는 다른 주요한 작동방식인 DMLC (dynamic multileaf collimator)는 광자선이나 전자선을 제어하는 leaf의 작동방식이 다르기 때문에 SMLC 방식과는 다른 특성을 보인다. 따라서 BInS를 이용하여 SMLC와 DMLC 방식에 의해 실제로 target에 투사된 선량을 측정 비교하였다. 비록 같은 선량을 target 부위에 투사하기로 계획했을지라도, 실제로는 산란된 광자와 전자들 때문에 DMLC 방식에 의한 선량이 SMLC 방식에 의한 선량보다 14.8%나 큰 것으로 측정되었다.
지구시스템 이해에 중요한 지구 내부 맨틀 물질의 거시적인 성질을 이해하기 위해서는 고압상태의 Mg-규산염 결정질 및 비정질 물질에 대한 원자구조와 그에 수반하는 전자구조에 대한 이해가 필요하다. 근래에 in-situ 고압 실험의 어려움을 피하여 고압환경에 존재하는 지구물질의 원자구조와 그 전자구조를 규명하기 위한 방법론으로서 밀도 범함수 이론에 기반을 둔 양자화학계산이 많이 이용되고 있다. 본 연구에서는 FP-LAPW (full-potential linearized augmented plane wave) 방법론을 이용하는 WIEN2k 프로그램을 통하여 25 GPa와 120 GPa의 $MgSiO_3$ 페로브스카이트(Pv)의 전자 오비탈의 PDOS (partial density of states)와 O원자 K-전자껍질 ELNES (energy-loss near-edge structure) 스펙트럼을 계산하였다. 두 압력 조건의 $MgSiO_3$ Pv에 대하여 계산된 전자 오비탈의 PDOS와 O원자 K-전자껍질 ELNES 스펙트럼은 뚜렷한 차이를 보이고 있었다. 이와 같은 결과는 $MgSiO_3$ Pv에서 압력 증가에 의한 Si 원자 배위수의 변화가 나타나지 않더라도 Si-O 결합거리, O-O거리, Mg-O거리와 같은 O원자 주변 국소 원자구조의 변화가 O원자 주변 전자구조에 뚜렷한 영향을 미칠 수 있음을 의미한다. 본 연구의 결과는 $MgSiO_3$ 결정질 및 비정질 물질의 압력에 의한 전자구조 변화의 미시적 기원을 이해하고 더욱 나아가 다양한 지구물질의 압력에 의한 원자구조 변화와 그에 수반되는 전자구조 변화의 관계를 이해하는데 많은 도움을 줄 수 있을 것이다.
$TiO_2(001)$ 박막을 Mo(100) 기판에 약 90${\AA}$ 두께로 적층 성장시키고 그 위에 Au를 증착시켜서 Au의 성장모드, 클러스터의 열적 변화, 열적 안정성, 증착량에 따른 Au 4f 전자 결합에너지의 변화를 오제 전자분광법, 열탈착 분광법, 이온 산란 분광법, X-선 광전자 분광법을 이용하여 연구하였다. Au는 $TiO_2(001)/Mo(100)$ 박막에 3차원적인 성장을 하며 낮은 온도에서 성장된 Au 클러스터는 높은 온도에서 성장된 것보다 보다 그 크기가 작고 온도가 높아지면서 클러스터는 비가역적으로 뭉친다. $TiO_2(100)/Mo(100)$에 증착된 Au의 열탈착은 1000 K부터 일어나며, 증착된 Au의 증착량이 많아질수록 더 높은 온도에서 나타난다. 선도 언저리 해석법으로 얻은 Au 클러스터의 탈착에너지는 약 50 kcal/mol이다. Au의 $TiO_2$ 박막에 대한 초기 흡착상수는 기판의 온도 200-600 K 사이에서는 거의 일정하였다. 400 K에서 $TiO_2$ 박막에 2.0 MLE 보다 적은 양의 Au가 증착된 경우에는 Au 4f의 전자 결합에너지가 벌크 Au에 비해서 증가한다. 0.1 MLE의 경우에는 그 결합에너지가 벌크 Au에 비해서 +0.30 eV 이동하였다.
국내의 다음세대 컴퓨터 개발을 위한 VLSI 설계와 CAD 분야에 대한 연구 방향을 제시한다. 연구의 목표는 국제적으로 경쟁할 수 있는 VLSI 설계능력과 백만개 정도의 트랜지스터로 자성된 회로를 경제적으로 설계하기 위한 CAD 기술과 System의 확립이다. ·새로운 회로 구조와 알고리즘에 대한 연구 · CAD 도구와 언어의 개발에 관한 첨단 CAD 기술개발연구 · VLSI 설계에 필요한 CAD 도구 이용과 개발에 필요한 표준 인터페이스, 네트워킹, 컴퓨팅 하드웨어. 시스템 소프트웨어에 대한 연구등의 부분으로 크게 나눌 수 있다. 이용 가능한 CAD system을 평가하고 개선하며 첨단 CAD에 대한 소프트웨어와 하드웨어에 대해 · 컴퓨팅 하드웨어 · 프로그램 분위기 · 네트워킹 능력 ·자료 교환을 위한 표준인터페이스 등에 관해 조사분석도 병행한다. CAD에 관한 세부적인 연구 과제는 · 시스템 사양언어 · 설계 검증 ·시스템시뮬레이션· 설계 합성 · 설계 해석· 설계 방법론·디바이스와 공정 모델링 프로그램 등이다. 고속 계산용 VLSI에 관한 구조와 알고리즘은 행렬 계산을 위한 ·분산 배열 처리 회로 ·시스토릭 (Systolic) 배열 회로 ·셀률라(Cellular) 논리 회로 · 3차원 배열 회로 와 · 비규칙적 계산 알고리즘을 갖는 VLSI가 있다. VLSI설계훈련과 CAD 기술 축적을 위해 CAD enter를 설립하여 전국적인 CAD 네트워킹을 관계 연구소와 여러 대학에 가설하며, MPC 계획을 추진한다. VLSI설계 가능성이 입증되면 VLSI 설계능력을 더욱 향상 시키기 위해 0.5∼1.0mm기술의 silicon faundary를 설립한다. 연구 개발 조직은 대학, 산업체. 연구소가 삼위일체가 되어 수행될 수 있도록 연구 개발 위원회를 설치 운영하며 경쟁적이며 경제적으로 연구 업무를 집행하는 것이 바람직하다.았다.형질에 관여하는 귀전자에 미치는 기구에 대하여 검토할 여타가 있다고 보여진다. 분해능의 특징으로 미루어 앞으로는 레이저를 이용한 계측 방법이 그 주류를 이룰 것으로 사료된다. 우선 본 해설은 기체의 온도 및 농도의 광학적 측정방법중 Raman산란광 검출법에 대하여 실제로 측정하는 입장에서 간단히 소개한다.lity)이, 높은 $GA_3$함량에 기인된다'는 주장은 본실험(本實驗)으로 부인(否認)되었다. 따라서, 응용학적(應用學的) 측면에서 고려해 볼 때, 리베스식물(植物)의 육종기간 단축을 위한 모든 화아분화(花芽分化) 촉진 조치는 P.J.-식물(植物)이 20. node이상 생육하였을 때 취하는 것이 효율적인 것으로 결론 지어진다.앞당겨진 7月 셋째 週였다. 8. Culex (Culex) tritaeniorhynchus summoro년의 最大發生 peak는 1981年, 1982年 모두 8月 둘째 週였다. 9. Anopheles (Anopheles) sinensis의 最大發生 peak는 1981年에 7月 다섯째 週, 1982年은 2週 앞당겨진 7月 셋째 週였다. 10. 重要 3種의 最大 peak를 比城하면 Culex (Culex) pipiens pallens와 Anopheles (Anopheles) sinensis는 1981年과 1982年 모두 最大 peak時期가 同一하였으며, Culex (Culex) tritaeniorhynchus summoro년는 2年間 모두 8月둘째 週에 나타났다.osterior to manubrium and anterior to aortic arch) replacing the normal mediastinal fat. (2) In benign thymoma, the marging of the mass was smooth and the normal fat
식각공정에 주로 사용되는 $Cl_2$/Ar, $CF_4$, $CF_4/O_2$, $CF_4/H_2$, $C_2F_6$, $C_4F_8$, 그리고 $SF_6$ 가스 방전에서 이온, 중성종 및 활성종 밀도의 전자밀도와 온도에 대한 의존성을 수치해석적으로 분석하였다. 이온, 중성종 및 활성종 밀도에 대한 공간평균 유체방정식을 정상상태로 가정하여 상대적으로 측정이 용이한 전자밀도와 온도에 대한 식으로 표현하였고, 이 식을 수치해석적인 방법으로 풀었다. 계산에 사용된 반응계수들은 여러 문헌에서 수집되거나 산란단면적으로부터 계산되었고, 같은 반응에 대해 다른 값을 보일 경우, 계산 결과를 실험 결과와 비교하여 높은 일치도를 보이는 값이 선택되었다.
최근 고령화 사회가 진행이 되면서 건강과 진단에 대한 많은 관심이 증대되고 있다. 정확한 진단이 가능한 guided surgery를 위한 다양한 바이오 이미징 시스템 분야가 중요하게 대두되면서 정확한 측정과 실시간 확인 등이 가능한 형광 이미징 시스템이 중요한 분야로 대두되었다. 현재 사용되고 있는 부분은 NIR-I이 주를 이루고 있으나 분해능의 향상 및 깊고 정확하게 형광을 확인하기 위해서 NIR-II 부분의 연구를 많이 진행 중에 있다. 본 논문에서는 NIR-I과 NIR-II의 차이점과 광학적인 특성, 그리고 형광영상 시스템의 SBR(signal to background ration)에 대해서 NIR-II의 미(Mie) 산란을 유한요소(FEM)법을 이용하여 확인을 하였으며 최종적으로 Skin phantom을 제작 및 Fluorescence를 측정을 함으로써 SBR이 NIR-I보다 NIR-II 영역에서 16.2배 더 높은 것을 확인하였다. 형광 이미징 시스템의 SBR 증대는 NIR-I영역대 보다 NIR-II영역이 효과를 이룰 것으로 확인이 되며 이를 통해 guided surgery나 bio-sensor, 또한 형광을 이용한 전자부품의 결함을 확인할 수 있는 디바이스 등의 다양한 응용분야에 활용할 수 있을 것으로 예상한다.
본 연구에서는 체가름과 고에너지 볼 밀링 공정이 n-type Bi2Te3 열전 재료의 전기적 및 열적 수송 특성에 미치는 영향을 검토하였다. 입자 크기가 감소한 분말의 특성을 유지하기 위하여 짧은 시간 안에 소결이 가능한 방전 플라즈마 소결 공정 (spark plasma sintering, SPS)을 진행하였다. 그 결과, 밀링 처리를 진행한 소결체의 열전 성능지수가 향상되었으며, 30분동안 고에너지 볼 밀링 공정을 거친 샘플이 425 K에서 0.78의 최대 열전 성능지수를 가지는 것을 확인하였다. 이는 손쉬운 공정을 이용하여 결정립 크기 감소를 통한 phonon의 격자 산란을 효과적으로 유도한 결과이다. 동시에 n-type Bi2Te3에서 anti-site defect와 같은 결함을 제어함으로써 캐리어 농도를 증가시킬 수 있음을 본 연구를 통하여 확인하였다.
1988년(年) 4월(月)부터 10월(月)까지 전라남도(全羅南道) 영암군(靈岩郡) 삼호면(三湖面) 조간대(潮間帶)에서 월별(月別)로 채집(採集)된 자성(雌性)짱뚱어 Boleophthalmus pectinirostris(Linnaeus)를 대상(對象)으로 간세포(肝細胞)의 활성변화(活性變化)를 조사(調査)하기 위해 투과전자현미경(透過電子顯微鏡)으로 관찰하였고, GSI와 HSI의 월별변화(月別變化)와 난소발달단계(卵巢發達段階)에 따른 간조직(肝組織)의 단백질(蛋白質) 및 핵산함양(核酸含量)(총(總) RNA, DNA)의 변화(變化)를 조사(調査)하였다. GSI는 성장기(成長期)인 5월(月)부터 증가하기 시작하여 성숙기(成熟期)인 6월말(月末)에 연중(年中) 최대치(最大値)를 나타내었고, 산란기(産卵期)인 7월말(月末)부터 다시 감소하기 시작하여 퇴화기(退化期)인 9월말(月末)에 최저(最低)값을 나타내었다. HSI의 월별변화는 GSI와 역상관(逆相關) 관계(關係)를 갖는다. 난소(卵巢)가 성숙(成熟)하는 하계(夏季)에는 HSI값이 떨어지고 난소(卵巢)가 퇴화(退化)되는 10월(月) 중순(中旬)에는 HSI값이 최대(最大)에 이른다. 성숙기(成熟期)인 6월(月)에 암컷의 간조직(肝組織)의 간세포(肝細胞)들은 증대(增大)되고 핵(核)들은 비대(肥大)되었으며, 간세포내(肝細胞內)에는 글리코겐 입자(粒子)들과 지방적(脂肪滴)들이 정차로 감소되는 반면, 수많은 조면소포체(粗面小胞體)들은 증가(增加)되었다. 그리고 리보소옴이 부착된 잘 발달한 조면소포체(粗面小胞體)들은 세포질내(細胞質內)에서 단백질(蛋白質) 합성(合成) 및 vitellogenin 축적(蓄積)에 중요한 역할을 하는 것으로 추정된다. 산란기(産卵期)인 7월(月)에 글리코겐 입자(粒子)들과 지방적(脂肪滴)들은 점차로 증가되었으며, 이들 물질(物質)은 퇴화기(退化期)인 8월말에도 다량(多量)이 그대로 관찰되었다. 난소(卵巢)의 발달시기(發達時期)에 따른 암컷 간조직(肝組織) 1gr 당(當) 단백질함양(蛋白質含量)은 성숙기(成熟期)인 6월에 최고값($4.720{\pm}0.103mg/g$)을 보였으며, 그후 점차 줄어들어 산란기(産卵期)인 7월에는 최저값($3.640{\pm}0.130mg/g$)을 나타낸 후, 퇴화기(退化期)인 8월에 다시 점점 증가하는 양상을 보였다. 또한 간조직내(肝組織內)의 핵산(核酸), 즉 RNA함량(含量)은 6월에 최고값($0.523{\pm}0.040mg/g$)을 나타내었으며, 그후 점차 감소하여 7월에는 최저값($0.158{\pm}0.006mg/g$)을 나타내었고, 다시 8월에는 약간 상승하였다. 이 결과로 볼 때 단백질(蛋白質) 함량(含量)과 RNA함량(含量)과의 관계(關係)는 밀접(密接)한 관계(關係)를 나타내었다. 간조직(肝組織) 중량(重量)(g) 당(當) 총(總) DNA 함량(含量)은 시기별(時期別)로 약간의 수치상(數値上) 차이(差異)는 있지만 거의 비슷하였다. 총(總) RNA/DNA의 비율(比率)은 6월(月)에 0.745, 7월(月) 0.262, 8월(月) 0.341이었다.
전자탐사에서 Born 근사는 이상체내에서의 전기장을 이상체가 없는 균질 매질에서의 일차장으로 대치하는 방법으로 복잡한 전자기 산란(EM scattering)문제를 근사하는데 널리 사용되고 있는 방법이다. 그러나 Born 근사는 이상체의 전도도가 주변 매질에 비하여 너무 크거나, 이상체의 크기가 클 때는 상당히 부정확한 결과를 나타낸다. 확장된 Born근사법은 이러한 Born근사의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 방법으로 이상체내의 전기장을 탈분극 텐서와 일차 전기장의 곱으로 근사하는 방법이다. 한편 전자탐사에 3차원 송신원을 사용하는 2차원 모델링은 주로 유한차분법과 유한요소법이 이용되었다. 일반적으로 이들 미분 방정식을 이용하는 2차원 전자탐사 모델링에서 3차원 송신원 문제의 해결을 위하여 Fourier변환을 통해 파수영역(wavenumber domain)으로 이동하는 방법이 사용되어 왔다. 또한 파수영 역에서 계산된 결과는 Fourier 역변환을 통하여 다시 공간영역(space domain)으로 이동해야 하는 번거로움이 있다. 따라서 이들 방법은 계산시간이 많이 걸리고 이상체가 없는 지역도 미소체로 분할해야 하므로 수치계산시 대량의 기억용량이 필요하다. 본 연구에서는 Born근사의 문제점 및 전자탐사 2차원 모델링시 3차원 송신원 문제를 해결할 수 있는 확장된 Born 근사법에 근거한 전자탐사 2.5차원 모델링 프로그램을 개발하였다. 이 모델링 프로그램을 이용하여 수직 자기 쌍극자를 송신원으로 하는 시추공간 전자탐사법에 대한 2차 자기 장을 계산하고 적분 방정식에 의한 3차원 모델링 결과와 비교, 분석하였다. 모든 주파수 대역에서 확장된 Born근사에 의한 2.5차원 모델링 결과가 3차원 모델링 결과와 잘 일치하고 있다. 그러나 이상체의 전도도와 모암의 전도도 차이가 10배 이상의 경우일 때는 두 반응은 상당한 차이를 보인다. 따라서 본 연구에서 개발된 확장된 Born 근사에 의한 2.5차원 모델링은 이상체와 모암의 전도도 차이가 너무 크지 않을 경우 이상체의 위치 및 형상을 파악하는데 효과적일 것으로 기대된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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