In this paper a transmission electron microscope (TEM) observation of fine Cu precipitates distributed randomly in Al-2.5Cu-1.5Mg wt.% alloy is first reported. This new observation happened to occur when an ion milling was peformed to remove oxides on the specimen, particularly, aged 100 hours at $150^{\circ}C$. Meanwhile the oxides were identified to be $Cu_2O$ particles. For this work involved with analysis of diffraction rings, the formulation of the electron diffraction rings pattern for powder particles was made. Finally the significance of this unexpected ion milling effort on the alloy was discussed
Four different hydroxyapatites (HAP) were prepared by a solvothermal method under different pHs and solvent species. The synthesized hydroxyapatites were analyzed by X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM). Four HAPs exhibited similar XRD patterns regardless of synthetic conditions. However, the morphology of hydroxyapatites was dependent of pH and solvent species under synthetic condition. The HAP prepared in pH 12 showed an elongated shape along the [001] direction compared to that prepared in pH 8. Also, the morphology of the HAPs synthesized in the presence of methanol and ethanol exhibited the more elongated hexagonal rod shape along the [001] direction with the high aspect ratio.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2003.07a
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pp.476-480
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2003
Polyethylene used as insulating material of power cable is nonpolar and low dielectric loss polymer. But it has defects of tree generation and accumulation of space charge by an applied voltage resulting in the decreased life and performance. To solve these problems, mixed films with LLDPE and EVA that is similar to LLDPE at physical properties in case of low VA contents were made and tested due to the blend ratios of 80:20, 70:30, 60:40 and 50:50[wt%] respectively. We investigated AC electrical treeing characteristics to acquire the best mixture ratio and effect of the tip radius of needle electrode to develop excellent treeproof materials. The degree of crystallity calculated with XRD pattern is higher for pure LLDPE, 50:50 and 70:30. For DSC analysis, it is confirmed that the melting points of mixed specimens are lower than that of pure LLDPE and higher than pure EVA's. The shape of tree propagation showed that pure EVA was electrical tree shape of the branch type, pure LLDPE and blended specimens was able to confirm tree shape of the bush type. As the tip radius go up in the blend ratio 70:30 specimen, the tree inception voltage rise. Probably the reason is the relaxation of electric field in the specimen with bigger tip ratio. As the 6 specimens were applied AC 5[KV],7.5[KV],10[KV] respectively, tree growth length is far shorter in the specimen with blend ratio 70:30, 50:50 than in pure EVA and pure LLDPE specimen. Conclusively, it is confirmed that specimens of which blend ratio are 70:30 and 50:50 are good in electrical tree retardant characteristics, especially, 70:30 has lower dielectric loss than 50:50 and its mixture ratio is the best.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.350-350
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2011
ZnO는 II-VI족 화합물 반도체로서 3.37 ev의 band gap energy와 60 mv의 exciton binding energy를 가지며 차세대 소자로 다양한 분야에서 연구되어지고 있다. ZnO 박막과는 다르게 ZnO nano structure는 효율성과 특성 향상의 이점으로 태양전지와 투명전극 소자에 많은 연구가 되고 있으며 UV 레이저, 가스센서, LED, 압전소자, Field Emitting Transistor (FET) 등 다양한 응용분야에서 연구되고 있다. 본 연구에서는 유리 기판 위에 RF Magnetron sputtering법을 이용해 ZnO buffer layer를 다양한 두께(~1,000${\AA}$)로 증착한 뒤, Zn powder (99.99%)를 지름 2inch 석영관 안에 넣어 Thermal furnace장비를 이용하여 Thermal Evaporation법으로 약 500$^{\circ}C$에서 30분 동안 촉매 없이 성장 하였다. 수직성장된 ZnO 나노 구조체의 특성을 전계방출주사전자현미경(SEM), X-선 회절패턴(XRD), UV-spectra를 이용하여 분석하였다. SEM 분석을 통하여 ZnO buffer layer위에 성장된 ZnO 나노 구조체는 직경이 약 ~50 nm, 길이가 ~2 um까지 성장을 보였으며, XRD 측정결과, ZnO 우선 성장 방향(002)을 확인하였다. 두 가지 측정을 통하여 ZnO buffer layer의 유무에 따라 성장 특성이 향상되었음을 확인하였으며, 이는 buffer layer가 seed 역할을 한 것으로 사료된다. UV-spectra 측정을 통하여 가시광 영역(400~780 nm)에서 60%대의 투과도를 보여 가시광 영역에서 투명성을 요구하는 전자 소자 및 광소자 등에 적용 가능성을 확인하였다. 이 연구를 통하여 우수한 투과도를 가지며 유리 기판위에 수직성장된 ZnO 나노구조체는 태양전지와 플렉서블 디스플레이 등 다양한 활용 분야를 제시할 수 있다.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.43
no.5
s.347
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pp.11-16
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2006
This paper reports the correlation between dielectric constant and degree of amorphism of the hybrid type SiOC thin films. SiOC thin films were deposited by high density plasma chemical vapor deposition using bistrimethyl- silylmethane(BTMSM,$H_{9}C_{3}-Si-CH_{2}-Si-C_{3}H_{9}$) and oxygen precursors with various flow rate ratio. As-deposited film and annealed films at $400^{\circ}C$ were analyzed by XRD. The SiOC thin films were amorphous from XRD patterns. For quantitative analysis, the diffraction pattern of the samples was transformed to radial distribution function by Fourier analysis, and then compared with each other. The degree of amorphism of annealed films was higher than that of as-deposited ones. The dielectric constant varied in accordance with flow rate ratio of precursors. The lowest dielectric constant was obtained from the as-deposited film which has the highest degree of amorphism after annealing.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.05a
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pp.617-620
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1999
In this study, the polarization e(fecal and the birefringence effect of amorphous germanium (a-Ge) thin films were investigated by using linearly polarized He-Ne laser beam. The a-7e thin films were deposited on the quarts substrate by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and thermal vacuum evaporation In order to obtain the optimum grating arrays, inorganci resists such as Si$_3$N$_4$ and a-Se$_{75}$ Ge$_{25}$ , were prepared with the optimized thickness by Monte Carlo (MC) simulation. As the results of MC simulation, the thickness ofa-Se$_{75}$ Ge$_{25}$ resist was determined with Z$_{min}$ of 360$\AA$ . The resists were exposed to Ga$^{+}$-FIB with accelerating energies of 50 keV, developed by wet etching, and a-Ge thin film was etched by reactive ion-etching (RIE). Finally, we were obtained grating arrays which grating width and linewidth are 0.8${\mu}{\textrm}{m}$, respectively and we studied the polarization and birefringence effect in transmission grating array made of high refractive amorphous material, and the applicability as waveplates and polarizers in optical device.e.e.
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.16
no.2
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pp.233-240
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2021
For the production of neodymium-doped zinc sulfide thin films in various amounts, zinc sulfide and neodymium were simultaneously deposited using an RF magnetron sputtering equipment to form a thin films, and rapid thermal annealing was performed at 400℃ for 30 minutes as a post-treatment process. The structure, shape, and optical properties of ZnS thin films having various neodymium doping contents (0.35at.%, 1.31at.%, 1.82at.% and 1.90at.%) were studied. The X-ray diffraction pattern was grown to a (111) cubic structure in all thin films. The surface and structural morphology of the thin films due to the neodymium doping content was explained through SEM and AFM images. Only elements of Zn, S, and Nd that do not contain other impurities were identified through EDAX. The transmittance and band gap of the prepared thin films were confirmed using the UV-vis spectrum.
One-phase method to prevent the initial formation of Ag(I) thiolate layered materal from the mixture of $AgNO_3$ and thiols was previously developed to generate TP (Thiolate-Protected)-nanosilver. In this modified method, $AgNO_3$ is added to the mixtures of $NaBH_4$ and thiols in ethanol. This method was so successful that it was applied to synthesize TP-nanogold and nanoplatinum. The synthesis and characterization of these nanoparticles by ultraviolet-visible (UV-vis) absorption spectra, transmission electron microscopy (TEM) pictures, X-ray powder differaction (XRD) patterns and infrared(IR) spectra are described. The results show that colloidal nanoparticles are spherical or oval shape and the mean sizes for TP-nanogold and nanoplatinum are about 3~7 nm and below 2 nm, respectively. The conformation of polymethylene [$-(CH_2)_7-$] sequence in octanethiolate attached to nanogold was elucidated as trans.
Journal of the Korean Society of Food Science and Nutrition
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v.26
no.1
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pp.17-24
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1997
The effects of steeping on the physicochemical and gelatinization characteristics of glutinous rice flour and its starch were studied. Steeping conditions were 1 day at 25"C,7 days at 2iC and 7 days at 35"C. Crude protein, lipid and ash content were decreased br steeping. It was observed with scanning electron microscopy that endosperm cell wall of glutinous rice flour was diminished by steeping. Although morphology of the glutinous rice starch granules was not affected, the size was decreased by steeping. Density and water binding capacity(WBC) of glutinous rice flour and its starch were changed by steeping. X-ray diffraction pattern of glutinous rice starch was A type and was not affected by steeping. Swelling power of glutinous rice flour and its starch was increased but solubility was decreased by steeping. In Brabender amylographic examination, peak viscosity of untreated glutinous rice flour was very low and increased enormously by steeping resulting in the similar Brabender viscosity pattern to its starch. The gelatinization temperature examined by X-ray diffractometry was lowered by steeping. And the degree of gelatinization under the conclusion temperature increased with increasing of steeping Period and temperature.mperature.
Epitaxial TiSiz films have been grown by UHV deposition of Ti on atomically clean Si(ll1)- orientated substrates. The Ti film of 50$\AA$ was deposited on the reconstructed Si(ll1) surface at room temperature. The sample was annealed up to $800^{\circ}C$ in $100^{\circ}C$ increments. The structure of the TiSiL films have been identified as the C49 metastable phase by electron diffraction patterns. Scanning electron microscopy( SEM) shows three different types of Tiksilicide island morphologies. The individual island structures are single crystal and are considered to be epitaxy with different crystallographic orientations. The orientational relationships of the $TiSi_{2}$ islands is given by [ 172 1 C49 $TiSi_{2}$//[110] Si and (021) C49 $TiSi_{2}$// (111)Si.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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