• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.19 no.3
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• pp.576-583
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• 2018

Silicon carbide is considered to be a potentially useful material for high-temperature electronic devices, as its band gap is larger than that of silicon and the p-type and/or n-type conduction can be controlled by impurity doping. Particularly, porous n-type SiC ceramics fabricated from ${\beta}-SiC$ powder have been found to show a high thermoelectric conversion efficiency in the temperature region of $800^{\circ}C$ to $1000^{\circ}C$. For the application of SiC thermoelectric semiconductors, their figure of merit is an essential parameter, and high temperature (above $800^{\circ}C$) electrodes constitute an essential element. Generally, ceramics are not wetted by most conventional braze metals,. but alloying them with reactive additives can change their interfacial chemistries and promote both wetting and bonding. If a liquid is to wet a solid surface, the energy of the liquid-solid interface must be less than that of the solid, in which case there will be a driving force for the liquid to spread over the solid surface and to enter the capillary gaps. Consequently, using Ag with a relatively low melting point, the junction of the porous SiC semiconductor-Ag and/or its alloy-SiC and/or alumina substrate was studied. Ag-20Ti-20Cu filler metal showed promise as the high temperature electrode for SiC semiconductors.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.20 no.5
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• pp.327-332
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• 2011

Plasma polymerized styrene (ppS) thin films were prepared on ITO coated glass substrates for a MIM (metal-insulator-metal) structure with thermally evaporated Au thin film as metal contact. Also the ppS thin films were applied as organic insulator to a MIS (metal-insulatorsemiconductor) device with thermally evaporated pentacene thin film as organic semiconductor layer. After the I-V and C-V measurements with MIM and MIS structures, the ppS revealed relatively higher dielectric constant of k=3.7 than those of the conventional poly styrene and very low leakage current density of $1{\times}10^{-8}Acm^{-2}$ at electric field strength of $1MVcm^{-1}$. The MIS structure with the ppS dielectric layer showed negligible hysteresis in C-V characteristics. It would be therefore expected that the proposed ppS could be applied as a promising dielectric/insulator to organic thin film transistors, organic memory devices, and flexible organic electronic devices.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.416-417
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• 2013

최근 질화물계 발광다이오드(light emitting diode, LED) 소자는 핸드폰, 스마트 TV 등의 디스플레이 분야와 실내외조명, 감성조명, 특수조명 등의 조명분야에 그 응용분야가 급속히 확대되고 있다. 이러한 LED 소자는 에너지 절감과 친환경에 장점을 가지고, 가까운 미래에 조명시장을 대체할 것으로 예상된다. 이를 만족하기 위해서는 현재보다 더 높은 효율을 갖는 LED 개발이 요구되어지고 있는 상황이다. 일반적으로 질화물계 LED 소자의 효율은 내부양자 효율, 광추출 효율 등으로 나타낼 수 있다. 내부 양자효율은 성장된 결정의 질의 개선 및 다층의 이종접합 또는 다중양자우물 구조와 같이 활성층의 캐리어 농도를 높이는 접합구조로 설계되어 80% 이상의 효율을 나타낸다. 그러나 광추출 효율은 이에 미치지 못하고 있다. 이는 반도체 재료의 높은 굴절률로 인하여 빛이 외부로 탈출하지 못하고 내부로 반사되거나 물질 안에서 흡수가 일어나기 때문이다. 따라서 이러한 문제를 해결하기 위해 많은 연구 그룹들은, 표면에 패턴 형성하여 빛의 전반사를 줄여 그 효율을 올리는 연구결과를 보고하고 있다. 대표적인 방법으로는 wet etching, 전자빔 리소그라피, 나노임프린트 리소그라피, 레이저 홀로 리그라피, 나노스피어 리소그라피 등이 사용되고 있다. 이 중, 나노스피어 리소그라피는 폴리스틸렌 혹은 실리카 등과 같은 나노 크기의 bead를 사용하여 반도체 기판 표면에 단일층으로 고르게 코팅한 마스크로 사용하여 패턴을 주는 방법이다. 이 방법의 장점으로는 대면적에 균일한 패턴을 형성할 수 있고, 공정비용이 저렴하여 양산하기에 적합하다는 특징이 있다. 나노스피어 리소그라피를 통해서 표면에 생성된 패턴 모양의 각도에 따라서, 식각되는 깊이에 변화에 따라 실험한 결과들은 있지만, 아직까지 크기가 다른 나노입자들의 마스크 이용하여 형성된 패턴 밀도에 따른 광 추출 효과에 대한 연구가 많이 미흡하다. 따라서 본 연구에서는 다양한 크기의 실리카로 패턴을 형성시켜 패턴 밀도에 대한 광추출 효율의 효과에 대해서 조사하였다. 실험 방법으론, DI, 에탄올, TEOS, 암모니아의 순서대로 그 혼합 비율을 조정하여 100, 250, 500 nm 크기의 나노입자를 합성하였고 이것을 질화물계 LED의 표면 위에 단일층으로 스핀코팅 방법을 통해 코팅을 하였다. 그 후 ICP-RIE 방법으로 필라 패턴을 형성하였는데, 그 결과 100 nm SiO2 입자를 이용한 경우 $4.5{\times}10^9$/$cm^2$, 250 nm의 경우 $1.4{\times}10^9$/$cm^2$, 500 nm의 경우 $0.4{\times}10^9$/$cm^2$의 패턴의 밀도를 보여주었다(Fig. 1). 패턴의 밀도에 따라 전계광학적 특성을 확인하여 보았는데, 그 결과는 평평한 표면과 비교하였을 때 100 nm에서 383%, 250 nm에서는 320%, 500 nm에서는 244% 상승하는 결과를 보여주었다(Fig. 2). 이번 실험을 통해서 LED의 광추출 효율은 표면 모양과 깊이 뿐 아니라 밀도가 커질수록 그 효율이 올라간다는 사실을 알 수 있었다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.19 no.10
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• pp.1-7
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• 2018

Tin dioxide, $SnO_2$, is applied as an anode material in Li-ion batteries and a gas sensing materials, which shows changes in resistance in the presence of gas molecules, such as $H_2$, NO, $NO_2$ etc. Considerable research has been done on the synthesis of $SnO_2$ nanostructures. Nanomaterials exhibit a high surface to volume ratio, which means it has an advantage in sensing gas molecules and improving the specific capacity of Li-ion batteries. In this study, $SnO_2$ nanostructures were grown on a Si substrate using a thermal CVD process with the vapor transport method. The carrier gas was mixed with high purity Ar gas and oxygen gas. The crystalline phase of the as-grown tin oxide nanostructures was affected by the oxygen gas flow rate. The crystallographic property of the as-grown tin oxide nanostructures were investigated by Raman spectroscopy and XRD. The morphology of the as-grown tin oxide nanostructures was confirmed by scanning electron microscopy. As a result, the $SnO_2$ nanostructures were grown directly on Si wafers with moderate thickness and a nanodot surface morphology for a carrier gas mixture ratio of Ar gas 1000 SCCM : $O_2$ gas 10 SCCM.

• Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
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• v.9 no.1
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• pp.35-41
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• 2004

This study investigated the crystal growth, crystalline structure and the basic optical properties of $PbSnSe/BaF_2$ epilayers. The PbSnSe epilayer was grown on $BaF_2$(111) insulating substrates using a hot wall epitaxy (HWE) technique. It was found from the analysis of X-ray diffraction patterns that $PbSnSe/BaF_2$ epilayer was grown single crystal with a rock-salt structure oriented along [111] the growth direction. Using Rutherford back scattering, the atomic ratios of the PbSnSe was found to be proper stoichiometric. The best values for the full width at half maximum (FWHM) of the DCXRD was 162 arcsec for PbSnSe epilayer. The epilayer-thickness dependence of the FWHM of the DCXRD shows that the quality of the $PbSnSe/BaF_2$ is as expected. The dielectric function ${\varepsilon}(E)$ of a semiconductor is closely related to its electronic energy band structure and such relation can be drawn from features around the critical points(CPs) in the optical spectra. The real and imaginary parts(${\varepsilon}1$ and ${\varepsilon}2$) of the dielectric function ${\varepsilon}$ of PbSe were measured, and the observed spectra reveal distinct structures at energies of the E1, E2 and E3 CPs. These data are analyzed using a theoretical model known as the model dielectric function (MDF). The optical constants related to dielectric function such as the complex refractive index ($n^*=n+ik$), absorption coefficient (${\alpha}$) and normal-incidence reflectivity (R) are also presented for $PbSnSe/BaF_2$.

• Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
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• v.13 no.1
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• pp.27-30
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• 2008

Purpose: This research is that $V_2O_5$ cathode's composition is possible in low temperature. Methods: Transparent in visible spectra range and crystallographically amorphous $V_2O_5$ thin films were prepared by simple vacuum thermal evaporation on soda-lime-silica slide glass substrate. After annealing at 100$^{\circ}C$, 150$^{\circ}C$ and 200$^{\circ}C$ for 10 minutes in air, the surface morphology and the fracture-cross section of the films were investigated by field emission - scanning electron microscope. Transmittance in visible spectra range and surface roughness of the films were analyzed by ultra violet - visible spectrophotometer and scanning probe microscope, respectively. Results: As the increase of annealing temperature from 100$^{\circ}C$ to 150$^{\circ}C$ and 200$^{\circ}C$, transmittance of the $V_2O_5$ films decreased. Optical properties will be fully discussed on the basis of the surface morphological results. Conclusions: Optical transmissivity was superior in case of 100$^{\circ}C$, and could make amorphous $V_2O_5$ thin film that surface quality of thin film did homogeneity.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.8 no.7
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• pp.634-640
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• 1998

A well- shaped trench was investigated in view of the defect distribution along trench sidewall and bottom using high resolution transmission electron microscopy. The trench was formed by HBr plasma and additive gases in magnetically enhanced reactive ion etching system. Adding $0_2$ and other additive gases into HBr plasma makes it possible to eliminate sidewall undercut and lower surface roughness by forming the passivation layer of lateral etching, resulted in the well filled trench with oxide and polysilicon by subsequent deposition. The passivation layer of lateral etching was mainly composed of $SiO_xF_y$ $SiO_xBr_y$ confirmed by chemical analysis. It also affects the generation and distribution of lattice defects. Most of etch induced defects were found in the edge region of the trench bottom within the depth of 10$\AA$. They are generally decreased with the thickness of residue layer and almost disappeared below the uni¬formly thick residue layer. While the formation of crystalline defects in silicon substrate mainly depends on the incident angle and energy of etch species, the region of surface defects on the thickness of residue layer formed during trench etching.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.20 no.2
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• pp.69-73
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• 2010

The microstructural change of the $Sm_{0.5}Sr_{0.5}CoO_3$ (SSC) electrode for a cathode material of solid oxdie fuel cells (SOFCs) deposited by the electrostatic spray deposition (ESD) technique was characterized. Samarium chloride hexahydrate $(SmCl_3{\cdot}6H_2O)$, strontium chloride hexahydrate $(SrCl_2{\cdot}gH_2O)$, cobalt nitrate hexahydrate $(Co(No_3)_2{\cdot}6H_2O)$ as starting materials and methyl alcohol as solvent were used to make precursor solution. The suitable porous SSC films for a cathode of SOFCs were deposited on Si substrate and it is observed that the microstructure was strongly dependent on processing parameters such as deposition time, substrate temperature, and applied voltage. Scanning Electron Microscope (SEM) and X-ray Diffractometer (XRD) measurement were used to investigate the microstructure and crystallinity of the SSC films. The ESD technique is shown to be an efficient method in which the SOFCs' cathode film can be fabricated with the desired phases and microstructure.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.14 no.7
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• pp.750-755
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• 2003

This paper proposes a new three-line balun. The equivalent circuit of the proposed three-line balun is presented, and impedance matrix［Z］of the equivalent circuit is derived from the relationship between the current and voltage at each port. The design equation for a given set of balun impedance at input and output ports is presented using［S］parameters, which is transferred fom impedance matrix,［Z］. To demonstrate the feasibility and validity of design equation, multi-layer ceramic(MLC) chip balun operated in the 2.4 GHz ISM band frequency is designed and fabricated by the use of the low temperature co-fired ceramic(LTCC) technology. By employing both the proposed new three-line balun equivalent circuit and multi-layer configuration provided by LTCC technology, the 2012 size MLC balun is realized. Measured results of the multi-layer LTCC three-line balun match well with the full-wave electromagnetic simulation results, and measured in band-phase and amplitude balances over a wide bandwidth are excellent. This proposed balun is very easily applicable to multi-layer structure using LTCC as shown in the paper, and also can be realized with microstrip lines on PCB. This distinctive performance is very favorable for wireless communication systems such as wireless LAN(Local Area Network) and Bluetooth applications.

• Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
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• 1995.10a
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• pp.160-164
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• 1995

정보통신 시스템의 고속/고밀도화 요구에 따라 개발되고 있는 ATM(Asynchronous Transfer Mode) 교환기 시스템은 팬을 이용한 강제대류냉각 방식의 채택과 시스템이 설치되는 장소에 따른 여러 환경조건에 의한 진동 문제가 발생될 수 있다. 시스템의 진동으로 인한 피해중 커넥터 접촉부에서 전기적 특성의 변화는 고속으로 전송되는 신호의 왜곡을 유발시킬 수 있어 시스템 개발시 이에 대한 충분한 연구 및 시험이 요구되고 있다. 진동환경에서 커넥터 접촉부는 접촉면의 상대운동으로 인한 접촉저항의 증가와 순간적인 신호전달 중단을 가져오게 되며, 특히 PCB/Connector Assembly에서 커넥터 접촉부는 PCB(Printed Circuit Board)의 장착 조건 및 동적 거동에 따라 전기적 특성이 변할 수 있다. 시스템에서 커넥터의 동적 거동을 이해하기 위해서는 PCB를 포함하는 시스템내 여러 요소의 동적 특성 이해와 복잡한 해석과정이 요구되며, 시스템 개발자는 진동 환경에서 이것의 시험 결과에 따라 커넥터의 사용을 결정해야 할 것이다. 커넥터의 전기적 특성 시험법은 IEC, EIA드 여러 국제 규격에 제시되어 있으며, 본 연구의 대상이 된 ATM교환기 시스템에서 PCB/Connector Assembly의 진동환경에서 접촉저항 측정과 관련된 접촉저항 임계치 및 측정법은 IEEE 규격 및 Bellcore 규격에 규정되어 있다. Bellcore에는 주어진 진동시험주기 전후에 IEC 규격의 LLCR(Low Level Contact Resistance) 측정회로를 이용한 측정법이 규정되어 있고, 냉각팬 및 주위 환경진동이 가해지는 동안의 영향에 대한 시험법은 규정되어 있지 않다. 본 연구에서는 한국통신의 전자장비 운용환경시험 조건의 진동에서 ATM 교환기 시스템에 사용되는 PCB/Connector Assembly 커넥터 접촉부의 접촉저항 변화와 PCB 진동에 의한 영향을 시험하였다.proach)등이 제시되었고 평면파 영역에 한하여 해서되어져 왔다. 본 논문에서는 분할 접근 방법(Segmentation Approach)을 이용하여 다공 요소로 이루어진 소음기를 해석하는데 적용하였다.로 성능 및 안정도에 영향을 미치므로 주의 깊게 선정해야 한다. 방법의 실질적인 적용에는 어려움이 있다. 본 연구에서는 기존의 방법들의 단점을 극복할 수 있는 새로운 회귀적 모우드 변수 규명 방법을 개발하였다. 이는 Fassois와 Lee가 ARMAX모델의 계수를 효율적으로 추정하기 위하여 개발한 뱉치방법인 Suboptimum Maximum Likelihood 방법[5]를 기초로 하여 개발하였다. 개발된 방법의 장점은 응답 신호에 유색잡음이 존재하여도 모우드 변수들을 항상 정확하게 구할 수 있으며, 또한 알고리즘의 안정성이 보장된 것이다.. 여기서는 실험실 수준의 평 판모델을 제작하고 실제 현장에서 이루어질 수 있는 진동제어 구조물에 대 한 동적실험 및 FRS를 수행하는 과정과 동일하게 따름으로써 실제 발생할 수 있는 오차나 error를 실험실내의 차원에서 파악하여 진동원을 있는 구조 물에 대한 진동제어기술을 보유하고자 한다. 이용한 해마의 부피측정은 해마경화증 환자의 진단에 있어 육안적인 MR 진단이 어려운 제한된 경우에만 실제적 도움을 줄 수 있는 보조적인 방법으로 생각된다.ofile whereas relaxivity at high field is not affected by τS. On the other hand, the change in τV does not affect low field profile but strongly in fluences on both inflection fie이 and the maximum relaxivity value. The results shows a fluences on both inflection field and the maximum relaxivity v