• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2012.11a
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• pp.109-110
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• 2012

본 논문에서는 불평형 전원 전압 하에서 삼상 PWM 컨버터의 전류 보상 기법을 제안하였다. 전원 전압이 불평형인 경우 PLL(Phase Locked Loop)를 이용하여 추출한 위상각에는 왜곡 성분이 포함된다. 이러한 왜곡된 위상각으로 컨버터를 제어하는 경우 입력 전류에도 고조파가 포함되게 된다. 본 논문에서는 불평형 전원 전압 하에서도 입력 전류의 THD(Total Harmonic Distortion)를 IEEE Std. 519 규정인 5% 이내로 제한할 수 있도록 하는 전류 보상 기법을 제안하였다. 제안된 기법은 시뮬레이션을 통해 그 타당성을 검증하였다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.45 no.3
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• pp.54-59
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• 2008

A highly accurate wide swing BiCMOS cascode current mirror is proposed. It uses the base-current compensated BJT current mirror. It increases both output impedance and output voltage range by using the npn-NMOS cascode instead of the NMOS-NMOS cascode. The npn transistor copies the input current and the NMOS transistor increases the output impedance for the accurate current mirroring. The proposed current mirror achieves highly constant current for wide output voltage range. Simulation results were verified with measurements performed on a fabricated chip using a 5/16V 0.5um BCD process. It has only $-2.5%{\sim}1.0%$ current error for $0.3V{\sim}16V$ output voltage range.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.50 no.8
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• pp.285-291
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• 2013

In this paper, MOS-Capacitor and MOSFET devices with a Low Level Leakage Current of oxide thickness, channel width and length respectively were to investigate the reliability characterizations mechanism of ultra thin gate oxide films. These stress induced leakage current means leakage current caused by stress voltage. The low level leakage current in stress and transient current of thin silicon oxide films during and after low voltage has been studied from strss bias condition respectively. The stress channel currents through an oxide measured during application of constant gate voltage and the transient channel currents through the oxide measured after application of constant gate voltage. The study have been the determination of the physical processes taking place in the oxides during the low level leakage current in stress and transient current by stress bias and the use of the knowledge of the physical processes for driving operation reliability.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.2235-2236
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• 2008

본 논문에서는 초전도 전류제한기의 전압, 전류 등급증대를 위한 방안으로 자기결합을 이용한 초전도 전류 제한기의 특성을 분석하였다. 1차 코일과 초전도 소자가 연결된 2차 코일이 자기적으로 결합된 구조로서 사고가 발생되면 초전도 소자에 흐르는 전류가 임계전류 값을 넘게 될 경우 초전도 소자의 ��치로 인한 저항 발생으로 사고 전에 억제되었던 철심내부 자속이 발생하여 각 코일에 전압이 유기되며 이로 인해 사고 전류가 제한되는 특성을 가지고 있다. 자기결합을 이용한 초전도 전류 제한기의 용량을 증대시키기 위해서는 초전도 전류제한기의 2차권 선수를 작게 하는 것이 각 초전도 소자들의 전압부담을 균일하게 유지하고, 발생저항을 작게 하여 소자의 전력부담을 줄일 수 있다는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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• 2009.05a
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• pp.49-52
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• 2009

3상 전압의 크기가 일정하고, 위상차도 $120^{\circ}$인 전압이 부하에 공급되는 것이 가장 바람직하지만, 부하의 운전조건과 설계에 따라 부하 단자에서의 3상에서는 균등한 전압이 되지 않는 경우가 많은 편이다. 이와 같은 전압 불평형이 존재할 경우 전류 불평형으로 이어져 기기의 출력저하나 부하에 졸지 않은 결과를 낳게 된다. 커패시터는 역률 보상으로도 사용되며, 비선형 부하에서 발생하는 고조파를 저감하기 위해 리액터와 함께 사용되기도 한다. 커패시터에 리액터를 부착하여 사용하는 경우 사고 발생이 높은 편이다. 그래서 커패시터 설비에 전압 불평형이 존재할 경우 전압, 전류 그리고 용량의 변화가 어떻게 진행되는지 확인하는 것이 매우 중요하다. 본 연구에서는 전압 불평형율이 존재할 경우 커패시터 단독운전과 리액터의 부착시 전압, 전류 및 용량의 크기가 규정에서 제시한 범위이내 인지를 계산하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2015.11a
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• pp.189-190
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• 2015

본 논문은 계통연계형 인버터의 DC-Link단 전압 변동에 따른 3상 인터리브드 양방향 DC-DC 컨버터의 배터리 전류 리플 분석에 관한 것이다. 배터리 전류 리플 저감을 위하여 인터리브드 방식을 사용하였으나 전압 변동에 따라 전류 리플이 변하므로 전류 리플을 최소화 하는 방법을 찾고자 한다. 전 부하구간에서 전류 임계모드로 동작시켜 시스템의 효율을 높였으며, 배터리 전압과 DC-Link단 전압 변동에 따라 주파수와 듀티를 가변시켜 출력전력을 제어하였다. 시뮬레이션을 통하여 전류 리플 해석 결과를 보였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2017.07a
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• pp.168-169
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• 2017

본 논문에서는 ZCMV(zero common mode voltage) PWM을 사용하는 병렬형 3상 3레벨 NPC 컨버터의 DC단 전압의 불평형 제어를 이용한 순환전류 저감 알고리즘을 제안한다. 이상적으로 ZCMV PWM은 공통 모드 전압을 발생하지 않지만, 초기 운전 및 데드타임과 같은 실제적인 문제로 인해 공통 모드 전압이 발생한다. 발생한 공통 모드 전압은 미세한 순환전류를 발생시키며 이는 컨버터의 효율을 감소시킨다. 따라서, 본 논문에서는 DC단 전압 불평형 제어를 이용하여 순환전류를 저감하는 제어 알고리즘을 제안한다. 상, 하단 DC 전압의 불평형은 공통 모드 전압을 발생시키며 이를 통해 미세하게 발생한 순환전류를 저감하여 컨버터의 효율을 향상 시킬 수 있다. 제안한 알고리즘은 시뮬레이션을 통해 타당함을 검증하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2012.07a
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• pp.226-227
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• 2012

기존의 전압형 인버터는 입력전압보다 출력전압이 낮은 반면에 전류형 인버터는 입력전압보다 출력전압이 높은데 양방향 전력전달이 불가능 하다. 본 논문에서는 양방향 전력전달이 가능하면서 넓은 입력전압 범위에 대해서도 출력전압 제어가 가능한 전류형 QZSI를 제안하여 모의실험과 실험으로 검증한다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.16 no.4
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• pp.793-798
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• 2012

In this paper, dependence of subthreshold current has been analyzed for doping distribution and channel structure of double gate(DG) MOSFET. The charge distribution of Gaussian function validated in previous researches has been used to obtain potential distribution in Poisson equation. Since DGMOSFETs have reduced short channel effects with improvement of current controllability by gate voltages, subthreshold characteristics have been enhanced. The control of current in subthreshold region is very important factor related with power consumption for ultra large scaled integration. The deviation of threshold voltage has been qualitatively analyzed using the changes of subthreshold current for gate voltages. Subthreshold current has been influenced by doping distribution and channel dimension. In this study, the influence of channel length and thickness on current has been analyzed according to intensity and distribution of doping.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.04c
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• pp.146-148
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• 2008

본 논문에서는 계통의 전력품질을 향상시키기 위해 사용되어지는 전류제어형 전압원 인버터를 구동하기 위한 PRT(Polarized RamTime) 전류제어알고리즘의 구현방법을 설명한다. PRT 전류제어알고리즘은 스위칭 시퀀스의 예측이 가능하고 히스테리시스 전류제어기법의 단점인 가변스위칭 주파수 문제를 해결할 수 있다. 본 연구에서는 전류제어형 전압원인버터용 PRT 전류제어알고리즘을 FPGA(Field Programmable Gate Array)를 이용하여 구현하였고, 이의 유용성을 확인하기 위해 1KVA급 계통연계 전류제어형 전압원 인버터에 적용하여 실험 하였다.