Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.21
no.12
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pp.2029-2037
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1997
In a web winding process, the contact roll plays many important roles including air-entrainment control and WIT(Wound In Tension) regulation. The behavior of contact roll significantly affects the winding tension characteristics specifically at the time of contact when the speeds of contact roll and the winding roll are not synchronized. A mathematical model for the web, the winding roll, and the contact roll is derived. By using the model derived, a nonlinear PID(NPID) controller is designed to control the winding tension at the time of contact and separation between the contact roll and the winding roll. Computer simulation study showed that the performance of the winding system with the NPID controller significantly improved compared with that of a system with PID controller.
Kim, Ki-Dong;Kwon, Oh-Seob;Seo, Ji-Hyun;Won, Tae-Young
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.41
no.6
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pp.1-7
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2004
We performed two-dimensional (20) computer-based modeling and simulation of FinFET by solving the coupled Poisson-Schrodinger equations quantum-mechanically in a self-consistent manner. The simulation results are carefully investigated for FinFET with gate length(Lg) varying from 10 to 80nm and with a Si-fin thickness($T_{fin}$) varying from 10 to 40nm. Current-voltage (I-V) characteristics are compared with the experimental data. Device optimization has been performed in order to suppress the short-channel effects (SCEs) including the sub-threshold swing, threshold voltage roll-off, drain induced barrier lowering (DIBL). The quantum-mechanical simulation is compared with the classical appmach in order to understand the influence of the electron confinement effect. Simulation results indicated that the FinFET is a promising structure to suppress the SCEs and the quantum-mechanical simulation is essential for applying nano-scale device structure.
Journal of Satellite, Information and Communications
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v.10
no.2
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pp.90-94
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2015
We stuidied liauid crystal alignment treatment using solution process for making thin oxide layer in liquid crystal display. It is the one of very effient and popular process in making thin oxide layer in electronical industrial fields. Particularly, this process has highly potential value in liquid crystal display industrial fields because it cause automatically induced alignment process without tranditional alignment process in liquid crystal alignment process. We made several different kinds of mol density solutions using strontium oxide solution. And those solutions were treated for solidification layers using annealing process for 2 hours. And we stuided pretilt angle properties of these alignment layers of strontium oxide for clarifying the relationship of liquid crystal molecules and thin strontium oxide layer. And we also tested the existence of strontium oxide thin layer on substrate using XPS measurement. We expected the hig gain of electro-optical properties in liquid crystal display using strontium oxide thin layer because it has high K property material than the other metal-based oxide layers. In this results, we measured 1.447 to 1.613 thresholds volts as 0.1 mol to 0.4 mol density in 0.1 mol density steps. This is significant better characteristics than conventional liquid crystal display as higher than 1.85 thresholds volts. And it make possible to making next-generation liquid crystal display which present low-power consumption and wide gray scale in liquid crystal display.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.42
no.7
s.337
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pp.5-12
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2005
The device performance of nano-scale center-channel (CC) double-gate (DG) MOSFET structure was investigated by numerically solving coupled Schr$\"{o}$dinger-Poisson and current continuity equations in a self-consistent manner. The CC operation and corresponding enhancement of current drive and transconductance of CC-NMOS are confirmed by comparing with the results of DG-NMOS which are performed under the condition of 10-80 nm gate length. Device optimization was theoretically performed in order to minimize the short-channel effects in terms of subthreshold swing, threshold voltage roll-off, and drain-induced barrier lowering. The simulation results indicate that DG-MOSFET structure including CC-NMOS is a promising candidates and quantum-mechanical modeling and simulation calculating the coupled Schr$\"{o}$dinger-Poisson and current continuity equations self-consistently are necessary for the application to sub-40 nm MOSFET technology.
Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
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v.27
no.2
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pp.106-112
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2017
In the paper, we propose a levitation and a propulsion controller for the magnetic levitation logistic transportation system. The levitation controller is designed considering the mutual influence of the electromagnets to minimize roll and pitch movements. In order to solve the structural disadvantages of the magnetic levitation transportation system, we improve the problem of the existing controller by applying the exponential filter to the reference input. DSP-based control hardware is developed and the levitation control method is verified by levitation experiments to the air gap goal. The propulsion controller uses the space vector voltage modulation method. The propulsion controller is designed to follow the position and velocity profile by detecting the absolute position from the bar code information attached to the rail. The position control result shows satisfactory performance through the propulsion control reciprocating motion experiment.
Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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v.12
no.1
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pp.58-68
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1998
A computer-controlled system for measuring dielectric hysteresis has been developed. This system consists of the wave generation par\, the high voltage amplifier part, the measurement part, the data acquisition part and the related controll circuits and is interfaced to P.C(personal computer). The applied voltage and its frequency are controlled by P.C . Since the measured datas can be saved in the RAM of P.C, the analysis and the graphics of the datas are very convenient. As a accuracy test, the capcitances of the commercial mica and styroll capacitors were measured by applying high voltage and the results were good agreement with the rating values. In the test of PZT ceramic sample, the typical D-E hysteresis loops were obtained by applying a single frequency voltage to the sample, and $\varepsilon-E$ and D-E hysteresis loops could be measured at the same time by applying a double frequency voltage to the sample.sample.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1998.02a
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pp.166-166
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1998
반도체 공정에서 기존보다 큰 30cm 웨이퍼훌 이용하기 위해서 기존의 ECR, Helicon, ICP, 등 공정용 고 밀도 플라즈마 원들의 대면적화에 대한 연구가 세계적으로 진행되고 있다 현 상황에서는 평판형 안테 나룰 이용한 TCP가 대면적용 폴라즈마 원의 가장 유력한 후보로 여겨지고 있다 TCP롤 대면적화 하는 데 있어서 중요한 문제점으로는 대면적에서의 큰 안테나 인되턴스로 인한 임피던스 정합과 대면적에서 의 유전울질의 기계적 강도이다. 앓은 유전물질올 사용힐 수 있도록 대면적 TCP 플라즈마 원올 실계 저l작하였고 이차원 가열이론올 이용한 TCPRP code 률 이용하여 안테나의 반경옳 결정하였디 안테나의 인덕턴스 값올 줄이기 위해서는 주m수는 13.56MHz 보다 낮은 4-5MHz 부근에서 작동하는 RF 파워룰 선택하였다 이 파워 서플라이는 보통 사용되는 50n 흩력 입묘$\mid$던스훌 갖는 형태가 Of니라 LC 공진현상 올 이용하여 부하에 파워률 전달하는 형태이다 .. TCP 장치에 사용할 수 있도록 파워 서플라이 흩력 단에 안테나와 직혈로 가변 콘덴서를 달아서 임11I던스 정합올 힐 수 있게 하였다 안테나에 직훌로 달Of줌으 로써 안테니의 인덕턴스훌 훌여주는 효과훌 얻올 수 있다 안테나에 흐르는 전류룰 측정하기 위해서 사 각형 루프로 전류 픽업 코일을 만들었고 진공상태에서 RF 파워률 인가하고 안테나의 전류와 전압을 측정하여 픽업 코일걸과훌 조정하였다. 발생기체로는 헬륨올 사용하였고 1-100mTorr 의 압력범위에서 실험을 하였다 플라즈마롤 빌샘시키고 파워를 증가 시킴에 따라 E-H mode transition 현상이 관찰되었고 그 때의 임계 전류 값을 측정하였다. 압력이 낮올수록 모드 변화가 일어나는 전류의 값이 작았다 임계 전류는 압력에 대해서 선형적인 특성을 보였다 이는 압력이 낮을수록 유도걸힘이 더 잘 된다는 것을 의미한다 1 1 mTorr에서는 H-mode에서 안테나의 전류가 파워훌 증가시킴에 따라 계속 증가하였으니, 압력이 올라 갈수록 조금씩 증가하는 정도가 줄어들고. 100mTorr에서는 포화된 값을 나타냈다 H-mode로 넘어간 후 에는 파워가 증가황에 따라 안테나의 임피던스 값이 모든 압력영역에서 줄어드는 경황을 보였고, 이는 플라즈마의 인덕턴스에 의해서 안테나의 인덕턴스 기 감소되기 때문이다, 파워가 증가할수록 안테U오} 플라즈마 루프사이의 상호걸합이 증가하는 걸로 해석힐 수 있다 안테나의 인되턴스 변화보다는 저항.성 분의 변화가 컸다 하지만 전체 임피던스로 볼 때 저항성분이 상대적으로 작기 때문에 인덕턴스의 감소 가 더 큰 영향을 미치는 걸로 볼 수 있다. 하지만 플라즈마로의 파워 전달에는 저항성분만이 영향올 미 치므로 저항성분의 큰 변화는 파워가 많이 전달될올 의미한다 피워전달 효율을 계산해 본 결과 수 r mTorr 부근이 80-90% 정도의 높은 효율올 보였고 5mTorr 일 때가 가장 좋았다.
Lead(Pb), which is currently mainly used for shielding purposes in the medical radiation, has excellent radiation shielding functions, but is continuously exposed to radiation directly or indirectly due to the harmfulness of lead itself to the human body and the inconvenience caused by its heavy weight. Research on shielding materials that are human-friendly, lightweight, and convenient to use that can block risks and replace lead is continuously being conducted. In this study, based on the commonly used polyethylene terephthalate (PET) film and the fabric material used in actual radiation protective clothing, a multi-layer thin film was realized through sputtering and vacuum deposition of bismuth, tungsten, and tin, which are metal materials that can shield radiation. Thus, a shielding film was produced and its applicability as a radiation shielding material was evaluated. The radiation shielding film was manufactured by establishing the optimized conditions for each shielding material while controlling the applied voltage, roll driving speed, and gas supply amount to manufacture the shielding film. The adhesion between the parent material and the shielding metal thin film was confirmed by Cross-cut 100/100, and the stability of the thin film was confirmed through a hot water test for 1 hour to measure the change of the thin film over time. The shielding performance of the finally realized shielding film was measured by the Korea association for radiation application (KARA), and the test conditions (inverse wide beam, tube voltage 50 kV, half layer 1.828 mmAl) were set to obtain an attenuation ratio of 16.4 (initial value 0.300 mGy/s, measured value 0.018 mGy/s) and damping ratio 4.31 (initial value 0.300 mGy/s, measured value 0.069 mGy/s) were obtained. by securing process efficiency for future commercialization, light and shielding films and fabrics were used to lay the foundation for the application of films to radiation protective clothing or construction materials with shielding functions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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