• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2008년도 춘계종합학술대회 A
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• pp.730-733
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• 2008

본 연구에서는 MicroTec을 이용하여 MOSFET IV특성곡선을 분석하였다. 일반적으로 MOSFET은 4단자로 구성되며, 금속-산화물-반도체부분(또는 MOS커패시터 부분)이 트랜지스터의 핵심을 이루고 있다. MicroTec을 사용하여 Process한 모델을 바탕으로 MOSFET의 IV특성곡선을 분석하기 위해서 각각의 Directive와 Subdirective에 파라미터값을 지정하고 파라미터값의 변화에 따라 IV특성 곡선의 변화를 분석하였다. 드레인전류와 게이트 소스전압, 드레인 소스 전압 사이의 관계를 수학적으로 유도할 것이다. 전류-전압 관계에서 나타나는 2개의 특성변수는 소스와 드레인 사이의 거리인 채널의 길이와 폭이다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.181-183
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• 2007

본 논문에서는 태양전지 시뮬레이터를 위해 새로운 태양전지 특성곡선 모의 방법을 제안한다. 태양전지 모델링의 수식은 비선형적이며 파라미터가 복잡하며, 실제 구현에서 어려움이 많다. 본 논문에서 제시한 방식은 이러한 문제점을 극복하기 위해, 태양전지 데이터북을 바탕으로 새로운 표준 시험 조건의 전류, 전압 특성 곡선과 주요 환경별 지정 데이터들을 바탕으로 데이터베이스 작업의 간소화와 프로그램 수행시간 절약이 가능한 새로운 전류, 전압 특성 곡선 추출방법을 제시하고, 새로운 방법에 대한 유효성을 시뮬레이션을 통하여 검증하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2006년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.216-218
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• 2006

본 논문에서는 연료전지용 듀얼 부스트 컨버터의 전압제어루프의 피드백 루프에 디지털 필터를 도입하여 부하에 의해 발생하는 출력전압의 저고조파 리플성분을 제거한 측정값을 사용함으로써 입력전류의 저고조파 리플을 제거하고, 전류제어루프에 predictive deadbeat 제어기법을 적용하여 제어주기와 제어알고리듬 계산에 의한 시간적 지연에 의해 발생되는 동적응답특성의 저하를 최소화한다. 센서를 사용하는 대신 연료전지 스택에 공급되는 수소와 공기의 압력과 스택의 출력전류에 결정되는 연료전지의 전압-전류 특성곡선을 이용하여 부스터 컨버터의 입력전압을 계산하고 전류를 제어함으로써 연료전지 시스템의 성능을 최적화한다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.383-384
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• 2010

본 논문에서는 연료전지에 연결되는 부하가 어떠한 주파수특성을 갖는 것이 바람직한지 알아보기 위해 출력 리플전류 주파수에 따른 연료전지 수명의 영향을 알아보았다. 전자부하를 통해 일정한 크기의 리플전류를 주파수대역을 바꿔가며 단위 셀에 인가하여 장시간 운전한 뒤 연료전지의 전압-전류곡선을 측정하였다. 측정된 전압-전류곡선을 통해 연료전지의 성능을 비교함으로써 어떠한 출력 리플전류 주파수가 연료전지 수명에 더 큰 영향을 주는지 확인하였다.

• EDISON SW 활용 경진대회 논문집
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• 제6회(2017년)
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• pp.398-403
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• 2017

본 연구에서는 gate-all-around(GAA) 수직 나노선 Field-Effect Transistor(FET)의 소스/드레인 반도체/실리사이드 접합에 존재하는 Schottky 장벽이 트랜지스터의 DC특성에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. Non-Equilibrium Green's Function와 Poisson 방정식 기반의 시뮬레이터를 사용하여, Schottky 장벽의 위치와 높이, 그리고 채널 단면적의 크기에 따른 전류-전압 특성 곡선과 에너지 밴드 다이어그램을 통해 분석을 수행하였다. 그 결과, 드레인 단의 Schottky 장벽은 드레인 전압에 의해 장벽의 높이가 낮아져 전류에 주는 영향이 작지만, 소스 단의 Schottky 장벽은 드레인 전압과 게이트 전압으로 제어가 불가능하여 외부에서 소스 단으로 들어오는 캐리어의 이동을 방해하여 큰 DC성능 저하를 일으킨다. 채널 단면적 크기에 따른 DC특성 분석 결과로는 동작상태의 전류밀도는 채널의 폭이 5 nm 일 때까지는 유지되고, 2 nm가 되면 그 크기가 매우 작아지지만, 채널 단면적은 Schottky 장벽에 영향을 끼치지 못하였다. 본 논문의 분석 결과로 향후 7 nm technology node 에 적용될 GAA 수직 나노선 FET의 소자 구조 설계에 도움이 되고자 한다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2010년도 춘계학술대회
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• pp.830-832
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• 2010

본 논문에서는 MicroTec을 이용하여 D-MOS(double-diffusion MOS) 트랜지스터의 접합깊이에 변화를 주어 그에 따른 전류-전압 특성 곡선을 분석하였다. D-MOS는 채널의 길이를 줄이고 높은 항복 전압을 얻기 위해 이중 확산 도핑을 하는 것을 특징으로 하며 연속적으로 확산 공정을 두 번 진행하여 채널 길이를 짧게 하고 이에 의해 고전압과 고전류를 인가할 수 있는 장점을 가진다. 본 연구에서는 D-MOS의 접합깊이에 변화를 주고 이에 따른 전류와 전압의 특성을 비교하여 분석하였다.

• 대한전자공학회논문지TE
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• 제37권2호
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• pp.6-11
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• 2000

본 논문에서는 단채널 n형 GaAs MESFET 소자의 공핍층의 두께가 선형적으로 변한다는 근사를 적용하여 공핍층내의 2차원 프와송 방정식을 풀어 단채널 GaAs MESFET의 전류-전압 특성을 해석적으로 도출하는 모델을 제안하였다. 이 모델로부터 문턱 전압, 소오스와 드레인의 저항 및 드레인 전류식을 도출하였다 계산 결과로부터 전류-전압 특성 곡선에서 단채널 소자의 특성인 Early 효과를 설명할 수 있었고 소오스 접촉 저항과 드레인 접촉 저항에 의한 전압 강하도 설명할 수 있었다. 더욱이 본 모델은 소자 해석에 있어서 단채널 소자에만 국한되지 않고 장채널 소자의 특성을 해석하는 데에도 적용할 수 있었다.

• 한국막학회:학술대회논문집
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• 한국막학회 2000년도 춘계 총회 및 학술발표회
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• pp.38-42
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• 2000

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.44-47
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• 2000

본 연구는 α-Si:H TFT(Amorphous Silicon Thin Film Transistor)를 대체 할 펜타센을 활성층으로 사용하는 박막 트랜지스터를 제작에 관한 것이다. 유기 박막 트랜지스터는 유기발광소자와 함께 유연한 디스플레이에 응용된다. 펜타센 박막 트랜지스터의 제작은 채널 길이 25㎛, 70㎛, 소스, 드레인, 게이트 전극으로 Au을 lift off 공정으로 제작하였으며, 펜타센은 OMBD(Organic Molecular Beam Deposition)로 기판온도를 80℃로 유지하여 증착하였다. 제작된 소자로부터 트랜지스터 전류-전압 특성곡선을 측정하였고, 게이트에 의한 채널의 전도도가 조절됨을 확인하였다. 그리고, 전달특성곡선으로부터 문턱전압과 전계효과 이동도를 추출하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2017년도 전력전자학술대회
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• pp.298-299
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• 2017

본 논문은 태양광 시스템에서 최대 전력점을 추종하기 위해 듀티 제어와 전류제어를 이용한 두 가지 제어 기법이 적용된 P&O 방식 기반의 MPPT 알고리즘을 구현하였다. 듀티 제어를 이용한 MPPT의 경우에는 P-V 특성곡선을 이용한 방식으로, 태양광 시스템에서 발전되는 전력과 전압의 현재값-이전값을 비교하여 컨버터 듀티 변화를 통해 최대 전력점을 추종하도록 제어하였다. 전류제어 방식은 전력과 전류의 현재값-이전값을 비교함에 따라 전류 지령치를 생성하고, PI 제어기를 통해 컨버터 전류를 제어하는 알고리즘으로써 P-I 곡선의 특성을 이용하였다. 두 가지 제어기법을 시뮬레이션을 통해 구현하고 제어특성을 분석하였다.