대한전자공학회:학술대회논문집 (Proceedings of the IEEK Conference)

대한전자공학회 (The Institute of Electronics and Information Engineers)
권호 표지

펜타센을 활성층으로 사용하는 유기 TFT 제작

Fabrication of Pentacene-Based Organic Thin Film Transistor

  • 정민경 (동아대학교 전기전자컴퓨터공학부) ;
  • 김도현 (동아대학교 전기전자컴퓨터공학부) ;
  • 구본원 (동아대학교 전기전자컴퓨터공학부) ;
  • 송정근 (동아대학교 전기전자컴퓨터공학부)
  • 발행 : 2000.06.01
PDF 다운로드
⟨ 이전 논문 다음 논문 ⟩

초록

본 연구는 α-Si:H TFT(Amorphous Silicon Thin Film Transistor)를 대체 할 펜타센을 활성층으로 사용하는 박막 트랜지스터를 제작에 관한 것이다. 유기 박막 트랜지스터는 유기발광소자와 함께 유연한 디스플레이에 응용된다. 펜타센 박막 트랜지스터의 제작은 채널 길이 25㎛, 70㎛, 소스, 드레인, 게이트 전극으로 Au을 lift off 공정으로 제작하였으며, 펜타센은 OMBD(Organic Molecular Beam Deposition)로 기판온도를 80℃로 유지하여 증착하였다. 제작된 소자로부터 트랜지스터 전류-전압 특성곡선을 측정하였고, 게이트에 의한 채널의 전도도가 조절됨을 확인하였다. 그리고, 전달특성곡선으로부터 문턱전압과 전계효과 이동도를 추출하였다.

키워드