• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 영호남학술대회 논문집
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• pp.316-319
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• 2000

In the case of immobilizing of glucose oxidase into polypyrrole (PPy) using electrosynthesis, the glucose oxidase (GOx) forms a coordinate bond with the polymer's backbone. However, because of intrinsic insulation and net-chain of the enzyme, the charge transfer and mass transport are obstructed during the film growth. Therefore, the film growth is dull. We synthesized the enzyme electrode by electropolymerization added some organic solvent, A formative seeds of film growth is delayed by adding the solvent. The delay is induced by radical transfer between the solvent and pyrrole monomer. In the case of adding ethanol, the radical transfer shares the contribution of dopant between electrolyte anion and GOx polyanion. This may lead to increase amount of immobilized the enzyme in ppy. However, adding tetrahydrofuran (THF), the radical transfer is more brisk, resulting in short chained polymer. Therefore, the doping level is lowered and then amount of immobilized of enzyme is decreased. For the UV absorption spectra of synthetic solution before synthesis and after, in the case of ethanol added, the optical density was slightly decreased for the GOx peaks. It suggests amount of GOx in the solution was decreased and amount of GOx in the film was increased. We established qualitatively that amount of immobilization can be improved by adding a little ethanol in the synthetic solution. It is due to radical transfer reaction. The radical transfer shares the contribution of dopant between small and fast electrolyte anion and big and slow GOx polyanion.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.57-58
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• 2008

We have studied an organic layer and semitransparent Al electrode thickness dependent optical properties and microcavity effects for top-emission organic light-emitting diodes. Manufactured top-emission device structure is Al(100nm)/TPD(xnm)/Alq(ynm)/LiF(0.5nm)/Al(25nm). While a thickness of total organic layer was varied from 85nm to 165n, a ratio of those two layers was kept to be about 2:3. Semitransparent Al cathode was varied from 20nm to 30nm for the device with an organic layer total thickness of 140nm. As the thickness of total organic layer increases, the emission spectra show a shift of peak wavelength from 490nm to 580nm, and the full width at half maxima from 90nm to 35nm. The emission spectra show a blue shift as the view angle increases. Emission spectra depending on a transmittance of semitransparent cathode show a shift of peak wavelength from 515nm to 593nm. At this time, the full width at half maximum was about to be a constant of 50nm. With this kind of microcavity effect, we were able to control the emission spectra from the top-emission organic light-emitting diodes.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권3호
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• pp.227-233
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• 2005

알루미나 기판에 빗살 모양의 금 전극을 형성한 후 플라즈마 화학기상법으로 탄소 나노튜브를 성장하여 이산화질소 감지 특성을 조사하였다. 탄소 나노튜브 센서의 전기저항은 온도 증가에 따라 감소하는 반도체 특성을 보였으며, 또한 이산화질소의 농도가 증가하면 센서의 전기 저항은 감소하였다. 이산화질소의 흡착에 따라 탄소 나노튜브 센서의 전기저항은 초기 3분 이내에서는 급격히 감소하였으며 $20\~30$분 후에는 일정한 값을 유지하였다. 탄소 나노튜브 센서의 감도는 공기속에서 산화 열처리하면 증가되었다. $450^{\circ}C$에서 30분간 산화 열처리한 탄소 나노튜브 센서는 작동온도 $v$에서 낮은 이산화질소 농도인 250 ppb 에서도 $27\%$의 큰 감도를 보였다. 그러나 이산화질소 검출 후 재사용하기 위하여는 20분 이상의 회복 시간이 요구되고 있다.

• 한국식품영양과학회지
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• 제41권2호
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• pp.168-173
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• 2012

항혈전 효능을 탐색하기 위하여 한약재의 호장근 추출물로 혈전 용해능 활성과 혈액 응고시간 지연효과 즉 PT(prothrombin time), APTT(activated partial thromboplastin time)와 혈소판 응집억제 활성 등에 대해 항혈전 효능을 평가하였다. 혈전용해도를 측정하는 fibrin plate가 용해되어 형성된 투명환의 넓이를 측정하는 실험을 진행한 결과 혈전 용해도가 농도의존적으로 탁월한 효능을 나타내었다. 혈액응고 cascade에 미치는 영향을 알아보기 위해 혈액 응고시간 지연 및 단축 효과를 확인하고자 APTT와 PT에 미치는 영향을 조사한 결과 PT의 경우 대조군보다 단축됨을 보였다. APTT의 경우 농도의존적으로 우수한 지연효과를 보였다. 혈소판의 응집에 따라 형성되는 두 전극 사이에 형성된 전기적 저항의 변화로 나타나는 실험을 시행한 결과 호장근의 ADP로 유도한 결과에서 뛰어난 응집억제 활성을 보였다. 따라서 호장근을 향후에 혈전 질환의 치료제 개발에 효과적으로 이용될 수 있을 것으로 사료된다.

• Journal of Chest Surgery
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• 제35권11호
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• pp.831-834
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• 2002

감염된 심박조율기의 부분적 제거 후에 발생되는 재감염율은 51%에서 77%에 이르기 때문에 심박조율기의 어느 부위라도 감염이 된다면 모든 심박조율기의 하드웨어는 제거되어야 한다. 심폐기 가동하에서 감염된 심박조율기를 제거하는 것은 감염과 증식물의 확산 뿐만 아니라 기계적 손상을 방지 할 수 있다. 저자 등은 좌쇄골하 정맥에서 심장내로 이동된, 감염된 경정맥 심박조율기 도관에 의해 발생한 심내막염의 1예를 보고 한다. 심장내로 이동된 심박조율기 도관과 증식물이 부착된 전극은 심폐우회를 이용하여 제거하였다.

• 전자공학회논문지SC
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• 제44권2호
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• pp.18-23
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• 2007

체내 통신은 인체를 통신 매체로 하여 신호를 전송하는 무선 통신 방식이다. 체내 통신 방식은 체내와 송수신 시스템 그리고 외부 접지를 통한 하나의 전류 패스를 형성함으로써 이루어지는데, 인공 와우와 같은 신경 보철 장치의 경우 피하에 이식되어 있기 때문에 외부 접지를 사용하기 어렵다. 따라서 본 논문에서는 이와 같은 접지의 영향을 받지 않는 체내 통신을 제안하여 신경 보철 장치를 위한 시스템을 개발하였다. 개발된 시스템은 이식된 보철 장치의 체내에 위치한 전극으로의 신호 전송이 가능하도록 설계되었다. 효과적인 통신을 위하여 실험동물의 피부 위 실험 및 피하 실험을 통해 신호 전송 특성을 조사하였으며, 피부 위 실험의 경우 약 10MHz, 피하 실험의 경우 약 3MHz 이상의 주파수 대역에서 최대 전송 이득을 가지는 것을 확인하였다. 본 시스템은 데이터 전송률 480kbps를 갖는 pulse width modulation (PWM) 방식을 사용한 인공 와우용 내부 전류 자극기에 적용하여 그 성능을 입증하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제29권7호
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• pp.414-423
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• 2016

In the present study, the $CuN_x-Cu-CuN_x$ layer the partial pressure ratio Cu metal of Ar and $N_2$ gas using a DC magnetron sputtering device, was generated by the In-situ method. $CuN_x$ layer was able to obtain a surface reflectance reduction effect from the advantages of the process and the external light. $CuN_x$ layer is gas partial pressure, DC the Power, the deposition time variable transmittance in response to the thickness and partial pressure ratio, the reflectance was measured. $Ar:N_2$ gas ratio 10:10(sccm), DC power 0.35 A, was derived Deposition time 90 sec optimum conditions. Thus, according to the optimal thickness and the composition ratio was derived surface reflectance of 20.75%. In addition, to derive the value of ${\Delta}$ Ra surface roughness of 0.467. It was derived $CuN_x$ band-gap energy of about 2.2 eV. Thus, to ensure a thickness and process conditions can be absorbed to maximize the light in a wavelength band in the visible light region. As a result, the implementation of the $12k{\Omega}$ base line resistance of using the Cu metal. This is, 5 inch Metal mesh TSP(L/S: $4/270{\mu}m$) is in the range of the reference operation.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.127-130
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• 2003

4-bit 강유전체 위상변위기를 이용하여 10 GHz, 상온에서 작동하는 위상배열 안테나를 설계 및 제작하였다. 이 안테나는 빔 스캔을 위하여 전압에 대한 비선형특성을 보이는 강유전체 Bal-xSrxTiO3 (BST)를 기본으로 하는 위상변위기를 이용하였다. 우리는 펄스레이져 증착법으로 MgO (001) 기판위에 걸맞게 증착된 BST 박막을 일반적인 사진공정과 식각법을 이용하여 동일평판형 전극을 가진 위상변위기를 만들었다. 일반적인 동일평판형 강유전체 위상변위기의 경우 연결 전송선로의 임피던스와의 차이로 인해 반사손실과 이로 인한 부가적인 삽입손실이 발생한다. 이런 손실들을 줄이기 위해 입력과 출력 포트에 임피던스 매칭을 하였다. 이렇게 테이퍼링되어 만들어진 동일평판형 위상변위기는 이전의 구조에 비해 반사 손실과 삽입 손실 값에서 각각 약 10, 2 dB 정도씩의 개선을 보였다. 이 구조로 전송선로의 길이를 길게하여 만든 1-bit 강유전체 위상변위기는 10 GHz, 150 V의 전압변화에서 180도의 차등위상변위를 보였으며 최대 삽입손실과 최대 반사손실은 각각 약 10 dB, 20 dB 이다. 안테나 모듈은 4개의 마이크로스트림 패치 안테나와 4개의 강유전체 위상변위기로 이루어졌는데 10 GHz, 150 V의 전압변화에서 약 15도의 빔 스캔을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권6호
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• pp.571-575
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• 2005

In order to improve the efficiency of dye-sensitized solar cell (DSSC), $TiO_2$ electrode screen-printed on transparent conducting oxide (TCO) substrate was sintered in variation with different temperature$(350\;to\;550^{\circ}C)$. $TiO_2$ electrode on fluorine doped tin oxide (FTO) glass was assembled with Pt counter electrode on FTO glass. I-V properties of DSSCs were measured under solar simulator. Also, effect of sintering temperature on surface morphology of $TiO_2$ films was investigated to understand correlation between its surface morphology and sintering temperature. Such surface morphology was observed by atomic force microscopy (AFM). Below sintering temperature of $500^{\circ}C$, efficiency of DSSCs was relatively lower due to lower open circuit voltage. Oppositely, above sintering temperature of $500^{\circ}C$, efficiency of DSSCs was relatively higher due to higher open circuit voltage. In both cases, lower fill factor (FF) was observed. However, at sintering temperature of $500^{\circ}C$, both efficiency and fill factor of DSSCs were mutually complementary, enhancing highest fill factor and efficiency. Such results can be explained in comparison of surface morphology with schematic diagram of energy states on the $TiO_2$ electrode surface. Consequently, it was considered that optimum sintering temperature of a-terpinol included $TiO_2$ paste is at $500^{\circ}C$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.54-57
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• 2003

[ $HfO_xN_y$ ] films using a hafnium tertiary-butoxide $(Hf[OC(CH_3)_3]_4)$ in plasma and $N_2$ ambient were prepared to improve the thermal stability of hafnium-based gate dielectrics. A 10% nitrogen incorporation into $HfO_2$ films showed a smooth surface morphology and a crystallization temperature as high as $200^{\circ}C$ compared with pure $HfO_2$ films. The $TaN/HfO_xN_y/Si$ capacitors showed a stable capacitance-voltage characteristics even at post-metal annealing temperature of $1000^{\circ}C$ in $N_2$ ambient and a constant value of 1.6 nm EOT (equivalent oxide thickness) irrespective of an increase of PDA and PMA temperature. Leakage current densities of $HfO_xN_y$ capacitors annealed at PDA temperature of 800 and $900^{\circ}C$, respectively were approximately one order of magnitude lower than that of $HfO_2$ capacitors.