• Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society Conference
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• 2001.11a
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• pp.252-256
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• 2001

본 논문에서는 IMT-2000 기지국용 2단 저잡음 증폭기를 설계했다. 잡음지수 특성이 뛰어난 HP사의 PHEMT 소자인 ATF-35143을 사용하였고 능동소자의 바이어스는 $V_{ds}$ 가 3 v $I_{d}$을 30mA로 설정했다. 첫 단은 최소잡음 지수에 중점을 두고 설계했고 둘째 단은 이득에 초점을 맞추어 설계했다. 입출력 정재파 비를 줄이기 위해서 전체증폭기의 앞단과 뒷단에 삽입손실이 0.2dB인 X503 SMT 90도 하이브리드 커플러를 설치 했다. 제작을 위해 기판은 두께 0.76mm이고 비유전율 4.2의 FR-4를 사용했다. 설계된 저잡음 증폭기의 특성은 주파수대역 1.92GHz～1.98GHz에서 잡음지수 0.45dB, 입출력 정재파 비 1.2이하, 이득은 32dB이상의 특성을 보였다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.12 no.7
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• pp.1191-1198
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• 2001

MMIC low noise amplifiers for millimeter-wave application using 0.15 $\mu$m pHEMT have been presented in this paper. The design emphasis is on active device model and EM simulation. The deficiency of conventional device models is identified. A distributed device model has been adapted to circumvent the scaling problems and, thus, to predict small signal and noise parameters accurately. Two single-ended low noise amplifier are designed using distributed active device model for Q-band(40 ∼ 44 GHz) and V-band(58 ∼65 GHz) application. The Q-band amplifier achieved a average noise figure of 2.2 dB with 18.3 dB average gain. The V-band amplifier achieved a average noise figure of 2.9 dB with 14.7 dB average gain. The design technique and model employed provides good agreement between measured and predicted results. Compared with the published data, this work also represents state-of-the-art performance in terms of gain and noise figure.

• Proceedings of the Korea Electromagnetic Engineering Society Conference
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• 2000.11a
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• pp.175-178
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• 2000

본 연구에서는 CDMA단말기용 Receiver MMIC를 설계하였다. 전체회로는 저잡음 증폭기, 하향 주파수 혼합기 그리고 중간주파수 증폭기로 구성된다. 또한 문턱전압과 전원전압의 변화에 대해 회로의 안정성을 높이는 바이어스 보상회로를 추가하였다. 설계시 높은 선형성과 저잡음 특성을 가지도록 토폴리기를 구성하였고 설계 결과 전체 이득은 28.5dB, 저잡음 증폭기의 입력IP3는 8dBm, 하향주파수 혼합기의 입력 IP3는 0dBm이며 전체회로의 소모전류는 22.1mA이다. 레이아웃된 전체회로의 크기는 1.4$\times$1.4 [$\textrm{mm}^2$] 이다.

• Journal of Advanced Navigation Technology
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• v.6 no.4
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• pp.312-317
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• 2002

This paper presents a graphical design method for a low noise amplifier using the match circles plotted in the ${\Gamma}_{IN}$ plane on the smith chart. Each circle would be useful for reducing some trial and error efforts resulting from making a trade-off for an optimized performance of a single stage amplifier. A design example is presented to illustrate the design procedure.

• The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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• v.22 no.6
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• pp.149-154
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• 2022

Due to high power capabilities and high linearity of GaN devices, GaN Low-Noise Amplifiers (LNAs) without a limiter can be implemented in order to improve noise figure and reduce chip area in radar receivers. In this paper, a GaN LNA is presented for Ka-band radar receivers. The designed LNA was realized in a 150-nm GaN HEMT process and measurement results show that the voltage gain of >23 dB and the noise figure of <6.5 dB including packaging loss in the target frequency range. Under the high-power stress test, measured gain and noise figure of the GaN LNA is degraded after the first stress test, but no more degradation is observed under multiple stress tests. Through post-stress noise and s-parameter measurements, we verified that the GaN LNA is resilient to pulsed input power of ~40 dBm.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2012.10a
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• pp.815-817
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• 2012

본 논문에서는 차량 충돌 예방 레이더 시스템-온-칩용 77GHz 고주파 전단부(RF front-end)를 제안한다. 이러한 고주파 전단부는 77GHz의 동작주파수를 가진 저 잡음 증폭기와 고주파 전력 증폭기로 구성된다. 이러한 회로는 TSMC $0.13{\mu}m$ 혼성신호/고주파 CMOS 공정 ($f_T/f_{MAX}=120/140GHz$)으로 설계되어 있다. 저잡음 증폭기의 경우 전압이득이 36dB로 최근 발표된 연구결과 중 가장 우수한 수치를 보였다. 전력 증폭기는 포화전력과 출력 $P_{1dB}$이 18dBm과 15dBm으로 기존 연구결과 중 가장 우수한 결과를 각각 보였다.

• Journal of the Korea Society of Computer and Information
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• v.5 no.2
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• pp.115-120
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• 2000

This papers describes two low-noise amplifiers that use the Hewlett-Packard ATF-10236 low noise GaAs FET device, The actual measured performance of the amplifiers compares favorably to that predicted by the computer simulation(ADS) the noise figure of the 1575MHz amplifier was measured at 1.78dB which is lower that 2dB as specified. Measurement gam measured 33.0075dB which is within 35dB$\pm$0.5㏈ of the GPS specification. Network Analyzer(HP8510) is used to measure all the s-parameters and Noise Figure meter(HP8970B) is used to measure noise figure. As the result of experiment, gain, input VSWR, output VSWR is within the GPS specification sufficiently.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1998.10a
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• pp.671-674
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• 1998

본 논문에서는 최근 급격히 수요가 증대하고 있는 휴대용 단말기의 수신기 선단에 사용되는 저잡음 증폭기(LNA)를 0.6㎛ CMOS공정 파라미터를 사용하여 설계하였다. 설계된 LNA는 전원 전압 ±1.2v, 900㎒대에서 동작하는 전류 재사용방식의 적층 CMOS구조로서 시뮬레이션 결과 전력소모가 9.45㎽, 전력이득은 23.7dB, 선형지수 OIP3는 7.6dBm을 나타내어 저전력 저잡음 특성을 얻었다. 사용된 인덕터의 Q는 3.5이다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.26 no.8A
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• pp.1417-1427
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• 2001

본 논문에서는 밀리미터파를 이용하여 사용자에게 양방향 무선 멀티미디어의 구현을 가능케 하는 LMDS 송수신 모듈을 설계, 구현하였다. 제작된 LMDS 송수신 모듈은 신서사이져, 혼합기, 저잡음 증폭기, 고출력 증폭기, 듀플렉서 등으로 구성하였으며, 전체적으로는 전원부와 제어부를 통하여 이상여부를 감시하며, 송수신 모듈에 이상이 발생했을 때 이를 보호할 수 있도록 구현하였다. 여기서 DAVIC 표준에 맞도록 IF부 대역은 0.95∼1.45GHz의 500MHz 대역폭에서 동작하도록 제작하였고, 상하향 혼합기는 격리도 특성을 최대화하였으며, 이를 위해 하이브리드 링형을 이용한 다이오드 평형 구조를 적용하여 설계하였다. 혼합기로 주입되는 Local 주파수는 안정도가 높아야 함으로 유전체 공진형 발진기로 구현하였다. 또한 저잡음 증폭기와 고출력 증폭기는 정보통신부에서 공고한 3사 주파수 대역을 모두 수용할 수 있도록 24GHz∼26.5GHz의 대역에서 정상적인 동작을 할 수 있도록 설계하였으며, 특히 저잡음 증폭기는 잡음 환경에서 작은 신호를 손실 없이 얻을 수 있도록 잡음지수를 최소화하고, 30dB 이상의 충분한 이득이 구현되도록 하였다. 고출력 증폭기는 15dBm 이상의 출력을 송신하면서도 선형성에 문제가 없도록 혼변조왜곡(IMD) 특성을 고려하여 설계하였다. 그리고 듀플렉서는 우수한 주파수 선택도와 낮은 삽입손실 특성을 갖도록 송수신 필터 모두 5개의 공진기를 포함한 Chebyshev형 구조를 갖으며 생산성이 뛰어난 모노리딕형으로 구현하여, LMDS 송수신 성능을 구현하였다.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.2 no.4
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• pp.635-641
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• 1998

This paper presents development of a small size LNA operating at 824 ∼ 849 MHz used for a receiver of a CELLULAR CDMA Base station and a transponder. Using resistive decoupling circuits, a signal at low frequency is dissipated by a resistor. This design method increases the stability of the LNA and is suitable for input stage matching. The LNA consists of low noise GaAs FET ATF-10136 and internally matched VNA-25. The LNA is fabricated with both the RF circuit and the self-bias circuits in aluminum housing. As a result, the characteristics of the LNA implemented here shows above 35dB in gain and below 0.9dB in noise figure, 18.6dBm P1dB power, a typical two tone IM3, -31.17dB with single carrier backed off 10dB from P1dB.