• 제목/요약/키워드: 저잡음

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Ku-대역 광대역 디지탈 위성방송용 저 잡음하향변환기 개발 (Implementation of Wideband Low Noise Down-Converter for Ku-Band Digital Satellite Broadcasting)

  • 홍도형;이경보;이영철
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제27권2호
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    • pp.115-122
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    • 2016
  • 본 논문에서는 디지털 위성방송을 수신하기 위하여 Ku-대역 광대역 하향변환기를 설계하였다. 설계된 저 잡음 하향변환기는 잡음 정합에 의한 3단 저 잡음 증폭회로와 10.7~12.75 GHz의 입력신호를 VCO-PLL에 의한 저 위상잡음을 나타내는 4개의 국부발진주파수(9.75, 10, 10.75 및 11.3 GHz)를 형성하고, 디지털 제어에 의하여 4-대역의 IF 주파수 채널을 선택할 수 있도록 설계하였다. 개발한 저 잡음 하향 변환기의 전체 변환이득 64 dB, 저 잡음 증폭기의 잡음지수는 0.7 dB, 출력신호의 P1dB는 15 dBm, band 1 반송주파수 9.75 GHz에서 위상잡음은 -85 dBc@10 kHz를 나타내었다. 설계한 광대역 디지털 위성방송용 하향변환기(LNB)는 국제적으로 이동하는 선박 등의 위성방송용으로 사용가능하다.

Ka-Band BWLL용 MMIC 저잡음 증폭기의 설계 및 제작 (Design and Fabrication of Ka-Band MMIC Low Noise Amplifier for BWLL Application)

  • 정진철;염인복
    • 한국전자파학회:학술대회논문집
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    • 한국전자파학회 2000년도 종합학술발표회 논문집 Vol.10 No.1
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    • pp.179-182
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    • 2000
  • BWLL용 Ka-Band MMIC 저잡음 증폭기 칩을 InGaAs/GaAs 0.15um Gate 길이의 p-HEMT 공정을 이용하여 개발하였다. 칩 크기 2.5$\times$1.5$\textrm{mm}^2$의 2단으로 설계된 칩의 On-wafer 측정 결과, 24~27 GHz BWLL 주파수 대역에서 최소 19$\pm$0.2dB 이득과 최대 1.7dB의 잡음 지수와 최소 13dB의 반사손실의 특성을 얻었다.

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능동 정합을 이용한 광대역 저잡음 증폭기 설계 (Design of the Broad-Band Low Noise Amplifier Using the Active Matching)

  • 배성호;권태운;최재하
    • 한국전자파학회:학술대회논문집
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    • 한국전자파학회 2000년도 종합학술발표회 논문집 Vol.10 No.1
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    • pp.183-186
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    • 2000
  • 본 논문에서는 잡음에 적합한 능동 정합 회로를 구성하여 기존의 보상 정합 회로와 궤환 회로를 적용함으로써 L. S 밴드(1-4GHz) 내에서 균일한 이득 특성과 작은 반사 손실을 갖는 광대역 저잡음 증폭기를 설계하였다. 설계된 중폭기는 대역 내에서 14.25-14.96dB의 소신호 이득과 1.41, 1.28 이하의 입, 출력 정재파비를 갖는다.

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이중밴드 저잡음 증폭기 설계를 위한 공통 소스 접지형 CMOS 쌍의 잡음해석 (Noise Analysis of Common Source CMOS Pair for Dual-Band LNA)

  • 조민수;김태성;김병성
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제15권2호
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    • pp.140-144
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    • 2004
  • 직렬 공진형 공통 소스 접지 트랜지스터 쌍은 선택형 이중 밴드 LNA에 가장 널리 사용되는 구조이다. 본 논문은 이러한 선택형 이중밴드 저잡음 증폭기를 동시에 서로 다른 주파수에서 구동하였을 때 나타나는 잡음지수의 악화 정도를 해석하고, 0.18$\mu\textrm{m}$ CMOS 공정으로 구현한 LNA의 실험 결과와 비교한다. 아울러, 잡음 해석을 통해 다른 밴드 LNA로부터 발생하는 트랜지스터의 채널 잡음과 전원 잡음의 기여도를 분석하고, 동시형 LNA로 사용하였을 때 잡음을 최소화하기 위한 정합구조를 제안한다.

인덕터 피킹기법을 이용한 초광대역 CMOS 저잡음 증폭기 설계 (Design of UWB CMOS Low Noise Amplifier Using Inductor Peaking Technique)

  • 성영규;윤경식
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제17권1호
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    • pp.158-165
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    • 2013
  • 본 논문에서는 3.1-10.6GHz 초광대역 CMOS 저잡음 증폭기의 새로운 구조를 소개하였다. 제안된 초광대역 저잡음 증폭기는 입력 임피던스 정합에 RC 피드백과LC 필터회로를 사용하여 설계되었다. 이 설계에 전류 재사용 구조는 전력소비를 줄이기 위해 채택되었으며, 인덕터 피킹 기법은 대역폭을 확장하기 위하여 적용되었다. 이 초광대역 저잡음 증폭기의 특성을 $0.18-{\mu}m$ CMOS 공정기술로 시뮬레이션을 수행한 결과는 3.1-10.6GHz 대역 내에서 전력이득은 14-14.9dB, 입력정합은 -10.8dB이하, 평탄도는 0.9dB, 잡음지수는 2.7-3.3dB인 것을 보여준다. 또한, 입력 IP3는 -5dBm이고, 소비전력은 12.5mW이다.

광 바이오 센서 시스템을 위한 RGC 기법의 저전럭 전치증폭기 설계 (Design of Low-power Regulated Cascode Trans-impedance Amplifier for photonic bio sensor system)

  • 김세환;홍남표;최영완
    • 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신설비학회 2009년도 정보통신설비 학술대회
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    • pp.364-366
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    • 2009
  • 광 바이오 센서 시스템에서 Trans-Impedance amplifier (TIA)는 광검출기로부터 입력단으로 들어오는 미세한 전기 신호를 원하는 신호레벨까지 증폭하는 역할을 한다. TIA는 광 바이오 센서 시스템의 감도 (sensitivity)를 결정하는 매우 중요한 회로로 저잡음, 저전력, 낮은 입력 임피던스 등의 특성이 요구되어진다. 본 논문에서는 광 바이오 센서 시스템에서 요구되어 지는 저전력, 저잡음 성능을 구현하기 위하여 regulated cascode (RGC) TIA를 설계하였다. 본 연구에서는 기존 common gate (CG) 기법의 TIA에서 전류원 역할을 하는 current source를 저항으로 대체하고, local feedback stage를 이용하는 RGC TIA를 저잡음, 저전력 특성 및 회로 면적 감소의 장점을 갖도록 설계하였다.

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65-nm CMOS 공정을 이용한 94 GHz 고이득 차동 저잡음 증폭기 설계 (Design of 94-GHz High-Gain Differential Low-Noise Amplifier Using 65-nm CMOS)

  • 서현우;박재현;김준성;김병성
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제29권5호
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    • pp.393-396
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    • 2018
  • 본 논문은 65-nm 저전력 CMOS 공정을 이용해 94 GHz 대역 저잡음 증폭기를 설계한 결과를 제시한다. 설계한 저잡음 증폭기는 4단 차동 공통소스 구조를 가지며, 트랜스포머를 사용해 각 단 및 입출력 임피던스 정합 회로를 구성했다. 제작한 저잡음 증폭기는 94 GHz에서 최대 전력 이득 25 dB을 보이며, 3-dB 대역폭은 5.5 GHz이다. 제작한 칩의 면적은 패드를 포함해 $0.3mm^2$이며, 1.2 V 공급 전원에서 46 mW의 전력을 소비한다.

위성통신용 광대역 저잡음증폭기의 구현 및 성능평가에 관한 연구 (A Study on Implementation and Performance of the Low Noise Amplifier for Satellite Mobile Communication System)

  • 전중성;김동일;배정칠
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제4권1호
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    • pp.67-76
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    • 2000
  • 본 논문에서는 INMARSAT 수신주파수인 1525-1545 MHz와 전세계 측위 시스템 수신주파수 15751 MHz 대역에서 초고주파용 수신장치로 사용되는 L-BAND(1525-1575 MHz)용 저잡음증폭기를 저항 결합회로를 사용하여 구현하였다. 사용된 저항 결합회로는 반사되는 전력이 정합 회로내의 저항에서 소모되므로 반사계수가 작아지고, 안정도도 개선되며, 또한 저잡음증폭기의 설계시 입력단 정합이 용이하였다. 저잡음증폭기의 구현에는 GaAs FET인 ATF-10136과 내부정합된 MMIC인 VNA-25를 이용하였으며, 알루미늄 기구물 안에 초고주파 회로와 자기 바이어스 회로를 함께 장착시켰다. 이렇게 제작된 저잡음증폭기는 32 dB의 이득, 0.8 dB 이하의 잡음지수와 18.6 dBm의 P1dB 출력을 얻었다.

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DCT를 이용한 저면적 잡음 발생기 (Low Area Noise Generation System Using DCT)

  • 김대익;정진균
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제40권4호
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    • pp.58-64
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    • 2003
  • 잡음 발생기는 주어진 특성을 갖는 잡음 신호를 생성하는데 사용되어진다. 최근의 연구에서 잡음 모델이 복잡한 PSD(Power Spectral Density)를 갖는 경우, DCT 기반 잡음 발생기가 기존의 잡음 발생기보다 우수한 성능을 보였다. 본 논문에서는 DCT를 사용한 저면적 잡음 발생기를 제안한다. 제안된 시스템은 DCT를 제외한 회로의 면적을 약 61∼64% 정도 줄이며, 이와 더불어 41∼56% 정도의 전력소모를 감소시킨다.

모바일 UHF RFID 시스템용 고 선형 공통 게이트 저 잡음 증폭기 설계 (A Common Gate Low Noise Amplifier with High Linearity over UHF RFID Bands)

  • 노형환;정명섭;박준석
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
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    • pp.1422-1423
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    • 2008
  • UHF 모바일 RFID 밴드에서 고선형성을 가지는 CMOS 공통 게이트 저 잡음 증폭기를 제안하였다. 제안된 공통 게이트 구성은 고선형성과 광대역 특성을 가진다. 저 잡음 증폭기는 0.35${\mu}m$ (one poly, four metals) CMOS 공정을 사용하여 제작되었고, 제작된 공통 게이트 저 잡음 증폭기의 특성은 잡음 지수 3.2dB, P1dB 1.4dBm, 전압 이득 13.4dB를 가진다.

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