• 제목/요약/키워드: 이명복

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다양한 증착변수에 따른 AlN 박막의 물성 및 SAW 소자의 특성 분석 (Effects of deposition conditions on properties of AlN thin films and characterization of AlN SAW devices)

  • 정준필;이명호;이진복;박진석
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1479-1481
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    • 2002
  • AlN thin films were deposited on Si(100) and $SiO_2$/Si substrates using R.F. magnetron sputtering system. The effect of various deposition conditions on the crystal orientation of AlN films was investigated to obtain a highly (002)-oriented films. SAW filters were fabricated using AlN films with various thicknesses and their frequency response characterizations were measured. Experimental results showed that the (002)-orientation and surface roughness of AlN films played a crucial role of determining the frequency response of AlN SAW devices.

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들깨 F2 집단의 향기성분 유전분석

  • 박재은;이명희;김정인;김성업;배석복;오은영;조광수;김민영;오기원
    • 한국작물학회:학술대회논문집
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    • 한국작물학회 2020년도 추계학술대회
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    • pp.140-140
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    • 2020
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시판되고 있는 까칠복(Fugu stictonotus)의 독성 (Toxicity of the Pufferfish Fugu stictonotus ('Ggachilbog') Collected at a Fish Market of Pusan)

  • 김경찬;박진우;이명자;김상록;김동수;김현대;박영호
    • 한국수산과학회지
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    • 제28권1호
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    • pp.31-34
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    • 1995
  • 본 연구에서는 시판되고 있는 까칠복을 시료로 하여 개체별 부위별에 따른 독성을 조사하고, 북구주산 및 삼릉산 까칠복과의 지역차 및 개체차를 비교 검토하였다. 간장의 경우에 있어서는 수컷은 전 개체가 무독하였으나, 암컷은 유독 개체 출현율이 $40\%$ (2/5), 최고 독성치는 107MU/g이었다. 난소의 경우는 유독 개체 출현율이 $60\%$ (3/5), 최고독성치는 109MU/g이었다. 근육과 정소의 경우는 전 개체가 무독하였다. 껍질의 경우는 수컷의 전 개체가 무독하였으나, 암컷의 경우는 유독 개체 출현율이 $40\%$ (2/5), 최고독성치가 29MU/g이었다. 담즙의 경우는 수컷은 무독하였으나, 암컷의 경우는 유독 개체 출현율이 $60\%$ (3/5), 최고 독성치는 93MU/g이었다. 이러한 결과들은 북구주산의 까칠복보다는 독성차가 다소 높게 나타났으나, 삼릉산의 것에 비하여는 독성치가 다소 낮게 검출되어, 동일 종일지라도 지역차, 개체차 및 성별차가 현저함을 알 수 있었다.

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Si 및 SrTiO3 기판 위에 증착된 Bi4Ti3O12 박막의 결정구조 및 배향에 따른 강유전 특성 (Ferroelectric Properties of Bi4Ti3O12 Thin Films Deposited on Si and SrTiO3 Substrates According to Crystal Structure and Orientation)

  • 이명복
    • 전기학회논문지
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    • 제67권4호
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    • pp.543-548
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    • 2018
  • Ferroelectric $Bi_4Ti_3O_{12}$ films were deposited on $SrTiO_3(100)$ and Si(100) substrate by using conductive $SrRuO_3$ films as underlayer, and their ferroelectric and electrical properties were investigated depending on crystal structure and orientation. C-axis oriented $Bi_4Ti_3O_{12}$ films were grown on well lattice-matched pseudo-cubic $SrRuO_3$ films deposited on $SrTiO_3(100)$ substrate, while random-oriented polycrystalline $Bi_4Ti_3O_{12}$ films were grown on $SrRuO_3$ films deposited on Si(100) substrate. The random-oriented polycrystalline film showed a good ferroelectric hysteresis property with remanent polarization ($P_r$) of $9.4{\mu}C/cm^2$ and coercive field ($E_c$) of 84.9 kV/cm, while the c-axis oriented film showed $P_r=0.64{\mu}C/cm^2$ and $E_c=47kV/cm$ in polarizaion vs electric field curve. The c-axis oriented $Bi_4Ti_3O_{12}$ film showed a dielectric constant of about 150 and lower thickness dependence in dielectric constant compared to the random-oriented film. Furthermore, the c-axis oriented $Bi_4Ti_3O_{12}$ film showed leakage current lower than that of the polycrystalline film. The difference of ferroelectric properties in two films was explained from the viewpoint of depolarization effect due to orientation of spontaneous polarization and layered crystal structure of bismuth-base ferroelectric oxide.

DC 스트레스에 의해 노쇠화된 LDD MOSFET에서 문턱 전압과 Subthreshold 전류곡선의 변화 (The Shift of Threshold Voltage and Subthreshold Current Curve in LDD MOSFET Degraded Under Different DC Stress-Biases)

  • 이명복;이정일;강광남
    • 대한전자공학회논문지
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    • 제26권5호
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    • pp.46-51
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    • 1989
  • DC 스트레스에 의해 노쇠화된 짧은 채널 LDD NMOSFET에서 문턱전압과 subthreshold 전류곡선의 변화를 관측하여 hot-carrier 주입에 의한 노쇠화를 연구하였다. 포화영역에서 정의된 문턱전압의 변화 ${Delta}V_{tex}$를 trapped charge에 기인한 변화성분 ${Delta}V_{ot}$와 midgap에서 문턱전압 영역에 생성된 계면상태에 의한 변화성분${Delta}V_{it}$로 분리하였다. 게이트 전압이 드레인 전압보다 큰 positive oxid field ($V_g>V_d$) 조건에서는 전자들이 게이트 산화막으로 주입되어 문턱전압이 증가되었으나 subthreshold swing은 크게 변화하지 않고 subthreshold 전류곡선만 높은 게이트 전압으로 평행 이동하였다. 게이트 전압이 드레인 전압보다 낮은 negative oxide field ($V_g) 조건에서는 hole이 주입되고 포획된 결과를 보였으나 포획된 positive charge수 보다 더 많은 계면상태가 동시에 생성되어 문턱전압과 subth-reshold swing이 증가되었다.

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식스 시그마 기법을 활용한 고밀도 정보저장 매체 개발 (Development of High-Density Information Storage Media by Employing the Six Sigma Methodology)

  • 이명복
    • 한국융합학회논문지
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    • 제9권9호
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    • pp.41-46
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    • 2018
  • 식스 시그마 기법은 제품과 서비스의 품질관리와 원가 절감을 통한 생산성 향상 뿐만 아니라, 연구개발을 비롯한 기업 경영의 다양한 영역에 적용할 수 있는 관리 기법이다. 또한 정보 융합 시대의 실현을 위하여 고밀도 정보저장 매체 및 장치의 개발은 필수적 요건이다. 본 논문에서는 고밀도 정보저장 매체 개발 과제에 식스 시그마 방법론과 기법을 적용한 사례에 대하여 보고하고자 한다. 식스 시그마 프로세스는 표준적으로 사용되는 DMAIC 프로세스를 적용하였으며 각 단계별로 달성하고자 하는 목표와 적용한 도구 및 결과에 대하여 상세히 설명하였다. 본 기법을 활용함으로써 $250Gb/in^2$ 이상의 높은 기록밀도를 갖는 정보저장 매체를 균일하고 재현성 있게 형성할 수 있는 제조 방법을 확립하였으며, 제조된 매체의 자기적 특성과 성능을 자기이력곡선을 통하여 확인하였다.

다결정 실리콘 태양전지용 웨이퍼의 물성과 태양전지 발전효율 상관관계 연구

  • 이명복;송규호;류한희;이형민;배소익
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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    • pp.382-382
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    • 2011
  • 보다 저렴한 다결정 실리콘 웨이퍼를 사용한 다결정 실리콘 태양전지의 발전효율개선을 위해서는 태양광스펙트럼의 표면 흡수기구를 최적화하고, 전자-정공쌍의 생성극대화 및 재결합 기구 제어를 통한 전하운바자들의 안정적인 분리와 전극으로의 효율적인 수집이 필수적인다. 현재 양질의 다결정 실리콘 웨이퍼에 기반한 다결정 실리콘 태양전지 양산공정에서 16~17% 발전효율이 이루어지고 있으며 18% 이상의 발전효율을 얻기 위해서는 보다 더 우수한 품질의 다결정 실리콘 웨이퍼가 요구된다. 본 연구에서는 15.5~16.5% 대역의 평균 발전효율을 갖는 15.6 cm${\times}$15.6 cm 크기 고효율 다결정 실리콘 태양전지 전면의 전자발광(EL : electroluminescence)데이터로부터 효율기여도가 높은 위치와 상대적으로 기여도가 낮은 위치들을 선정하여 380~1050nm 파장대역의 광선속에 대해 국부적인 외부양자효율(EQE : external quantum efficiency)을 측정하고 투과전자현미경(TEM : tunneling electron microscope) 등을 활용하여 결정방향 등에 기인하는 양자효율 악화기구를 분석하였다. 결론적으로 15%대의 상대적으로 낮은 발전효율을 보이는 태양전지들은 300~600 nm 단파장 영역에서 양자효율이 상대적으로 낮은 저급한 결정성의 웨이퍼에 기인하고 16.5%이상의 높은 발전효율을 갖는 태양전지들은 단파장영역에서 높은 양자효율을 갖는 영역이 수광면적의 80~90%를 차지하는 것으로 밝혀졌다. 이와 더불어 15%대의 발전효율을 갖는 태양전지에서는 600~1100 nm 파장대역에서 상대적으로 악화된 양자효율을 갖는 저급한 결정성 영역이 30~40%를 차지하였으나 16.5%대역의 고효율 태양전지에서는 저급한 결정성 영역이 5~10%를 차지하여 대조를 보였다. 따라서 18%이상의 높은 발전효율을 갖는 다결정 실리콘 태양전지의 양산을 위해서는 양자효율이 우수한 양품의 웨이퍼를 기반으로 표면 texturing을 통해 평균 태양광 흡수율을 90%이상으로 개선하고, 보다 미세한 프론트 전극패턴을 통해 수광면적을 개선하고 선택적인 에미티공정 기술 등을 적용할 필요가 있음을 제안하고자 한다.

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외과적으로 처치한 갑상선 결절 (A Clinical Study of Surgically Managed Thyroid Nodule)

  • 홍관의;이명복;문철;김익수
    • 대한두경부종양학회지
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    • 제10권2호
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    • pp.91-101
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    • 1994
  • Nodular thyroid disease is a common clinical problem. The problem in clinical practice is to distinguish malignant or potentially malignant tumor from harmless nodules. The cases of thyroid nodule surgically managed at Department of General Surgery, Soon Chun Hyang Univ. Hospital during the period Jan. 1985 to July. 1992 were reviewed retrospectively. To assess method of distinguishing malignant from benign lesions of the thyroid gland, we reviewed 162 patients with thyroid nodule. There were 61(37.7%) malignant nodules and 101(62.3%) benign nodules. According to the review, distinguishing the benign from the malignant nodule with history, physical examination, clinical manifestation, and duration of illness was not suggested sufficiently. In ultrasonogram of 73 cases, 57.5% of nodules were solid, 20.6% were cystic, 21.9% were mixed solid and cystic. Of these, 28.5% of the operated solid lesions, 12.5% of the mixed lesions, and only 6.7% of the cystic lesions were malignant. Thyroid scanning of 82 cases revealed cold nodules in 60 patients(73.2%), of which 26 cases were malignant(36.6%) 137 patients underwent fine needle aspiration cytology(FNAC), and these results were as follow: sensitiviey was 70.6%, specificity was 93.0%, false-positive rate was 14.3%, and false-negative rate was 15.8%. 41 patients underwent frozen biopsy, and the results as follow: sensitivity was 80.0%, specificity was 89.7%. Neither scintigraphy nor ultrasonogram has sufficient specificity to distinguish benign from malignant nodule. But FNAC and frozen biopsy have sufficient accuracy to differentiate benign from malignant nodule. In the benign nodules, the most common type of operation was total lobectomy (60.4%). Of the malignant nodules, total thyroidectomy with or without modified radical neck dissection was performed in 30 cases(49.2%). We conclude that the single technique used to determine the differential diagnosis of a thyroid nodule are unrealiable. It is therefore essential to combine all avaiable clinical and laboratory information.

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