• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.02a
• /
• pp.355-355
• /
• 2012

액체 누설을 감지하는 센서를 개발하였다. 이 센서는 경보 장치를 포함하며 접착 테이프형태의 박막 센서이다. 센서는 총 4개의 층으로 구성되어 있다. 각 층의 명칭은 접착제층, 베이스 필름층, 기판 필름층, 보호 필름층이다. 감지선의 사용량을 최소화하여 기판 필름층 위에는 총 4개의 선이 있다. 전도선 3개와 저항선 1개이다. 4개의 선들은 기판 필름층에 전도성 은나노 잉크를 그라비어인쇄기를 이용하여 센싱 회로를 인쇄하였으며 이 기술의 이 센서의 가장 큰 특징이다. 누수 발생 시에 저항선과 전도선에 액체가 접촉되어 회로 상에 교차하는 내부저항의 전압 변화를 모니터링하여 누수를 감지하는 방식의 센서이다. 감지선에 전원을 양방향으로 번갈아 인가함으로써 수분의 저항 값 증가 및 양극화를 방지하였다. 그로 인해 기존의 센서에 비해 좀 더 안정적이고 정확한 감지를 할 수 있다. 설치 후 센서가 마모되거나 손상될 시 간단하게 재설치 할 수 있다는 장점도 있다. 액체 누설 후에도 별도의 건조시간이 필요하지 않다. 표면에 남아있는 액체를 제거하여 즉시 재사용하는 것이 가능하다. 액체누설 감지 시스템은 액체누설 감지 필름 센서를 포함하며, 표시부와 경고음 발생부 등 전체를 제어한다. 표시부의 누설 위치 표시 단위는 미터(m)이며 최소 0.1 m 단위까지 표시한다. 이 액체누설 감지 시스템을 이용하여 누설 위치 감지 실험 및 액체별 누설 위치 감지 실험을 진행하였다.

• Journal of the Institute of Convergence Signal Processing
• /
• v.9 no.1
• /
• pp.10-17
• /
• 2008

The purpose of this thesis is to reduce of error for source location through acoustic emission(AE) signal, generated elastic wave from crack growth to leak for facility diagnosis. Especially, in order to overcome noise from original signal, this paper proposed enhancement of source location by using noise reduction based on wavelet transform. To evaluate actual performance in experiments, Pencil Lead Break is used crack signal source on the aluminum plate and drain valve of air compressor is used as substitute pressure vessel to generate leak signal. In signal processing, wavelet shrinkage and soft threshold are used to discriminate signal source and then source location techniques have been effectively used with group velocity using material property and time difference between sensor using cross correlation. Source location for crack and leak test have some difference, but the result show that improved 30% with a average length within 10.46mm in crack test and improved 2% compare with average filter in leak test when we applied wavelet transform.

• The Journal of the Acoustical Society of Korea
• /
• v.43 no.4
• /
• pp.414-421
• /
• 2024

In this paper, we design and verify a system that can detect piping leakage noise in an environment with significant reverberation and reflection using a multi-channel acoustic sensor module as a technology to prevent major plant accidents caused by leakage. Four-channel microphones arranged in a tetrahedron are designed as a single sensor module to measure three-dimensional sound intensity vectors. In an environment with large effects of reverberation and reflection, the measurement error of each sensor module increases on average, so after placing multiple sensor modules in the field, measurement results showing locations with large errors due to effects such as reflection are excluded. Using the intersection between three-dimensional vectors obtained from several pairs of sensor modules, the coordinates where the sound source is located are estimated, and outliers (e.g., positions estimated to be outside the site, positions estimated to be far from the average position) are detected and excluded among the points. For achieving aforementioned goal, an excluding algorithm by deciding the outliers among the estimated positions was proposed. By visualizing the estimated location coordinates of the leakage sound on the site drawing within 1 second, we construct and verify a system that can detect the location of the leakage sound in real time and enable immediate response. This study is expected to contribute to improving accident response capabilities and ensuring safety in large plants.

• Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
• /
• 2013.04a
• /
• pp.719-724
• /
• 2013

In the case of newly developed stud which has more performance of sound transmission loss, it is expected that sound would transmit through runner than stud. so we developed construction method of runner and stud. As a result, sound transmission loss is improved about 2 dB by using this method. But this construction method could be applied to only newly developed stud. In addition, sound leak of wall joint is about 2 dB, and it could be improved by using rubber gasket at joint.

• Journal of the Korean Vacuum Society
• /
• v.3 no.3
• /
• pp.360-367
• /
• 1994

Si2H6PH3 혼합기체를 사용하여 증착된 in-situ P-doped 비정질 실리콘과 SiH4 기체를사용하여 증착한후에 As+ 이온주입에 의해 도핑시킨 다결정 실리콘 박막을 하부 전극으로 하는 캐패시터를 형성 하였다. 여기서 유전박막층은 자연산화막 화학증착된 실리콘질화막 및 질화막의 산화에 의해 형성된 O-N-O 구조를 갖는 것이었다. 두 종류의 하부전극에 따른 캐패시터의 전기적 특서을 조사하였다. 전기 적 특성으로는 정전용량, 누설전류, 절연파괴전압 및 TDDB 등이었다. 이 가운데 정전용량, 누설전류 및 절연파괴전압은 하부전극에 따라 큰 차이를 보이지않았다. 그러나 음의 전장하에서의 TDDB 특성은 in-situ P-doped 비정실 실리콘이 하부전극인 캐패시터가 As+ 이온 주입실리콘이 하부전극인 것에 비해 더우수하였다. 이와 같은 TDDB 특성의 차이는 하부전극 실리콘의 integrity 차이로 인한 자연산화막의 결함 정도의 차이에 기인하는 것 같다. 이를 뒷받침하는 것으로 투과전자현미경 단면사진으로 확인하였 다. Shallow junction을 유지하는데도 in-situ P-doped 비정실 실리콘은 만족할 만한 결과를 보이며 박 막자체의 면저항값도 낮출 수 있어 초고집적 회로의 캐패시터 전극으로서 이용될 수 있는 것으로 평가 되었다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.43 no.3 s.345
• /
• pp.21-32
• /
• 2006

A new SRAM circuit with row-by-row activation and low-swing write schemes is proposed to reduce switching power of active cells as well as leakage one of sleep cells in this paper. By driving source line of sleep cells by $V_{SSH}$ which is higher than $V_{SS}$, the leakage current can be reduced to 1/100 due to the cooperation of the reverse body-bias. Drain Induced Barrier Lowering (DIBL), and negative $V_{GS}$ effects. Moreover, the bit line leakage which may introduce a fault during the read operation can be eliminated in this new SRAM. Swing voltage on highly capacitive bit lines is reduced to $V_{DD}-to-V_{SSH}$ from the conventional $V_{DD}-to-V_{SS}$ during the write operation, greatly saving the bit line switching power. Combining the row-by-row activation scheme with the low-swing write does not require the additional area penalty. By the SPICE simulation with the Berkeley Predictive Technology Modes, 93% of leakage power and 43% of switching one are estimated to be saved in future leakage-dominant 70-un process. A test chip has been fabricated using $0.35-{\mu}m$ CMOS process to verify the effectiveness and feasibility of the new SRAM, where the switching power is measured to be 30% less than the conventional SRAM when the I/O bit width is only 8. The stored data is confirmed to be retained without loss until the retention voltage is reduced to 1.1V which is mainly due to the metal shield. The switching power will be expected to be more significant with increasing the I/O bit width.

• Proceedings of the Korean Society for Noise and Vibration Engineering Conference
• /
• 1994.10a
• /
• pp.73-79
• /
• 1994

(1) 진공청소기의 소음은 팬모타의 회전에 기인하는 유체소음과 진동소음이 주류를 이루며, 여기에 공기의 흡입과 배출에 따른 유체소음등이 복합되어 나타난다. (2) 진공청소기의 소음특성은 각 소음원들의 특성에 따라 주파수대역을 구분할 수 있으며, 기계적 진동음인 500Hz부근에서 peak를 보인다. (3) 소음의 저감을 위하여는 기존에 정립되어 있는 흡음, 차음, 감쇠, 방진, 유압유속감소 등의 기술을 종합적으로 활용하여 제한된 공간내에서 효과를 극대화할 수 있는 구조개발이 필요하며 본 연구에 적용하였다. (4) 본 연구의 '정음유로구조'는 차음효과, 유로길이 증가에 의한 감쇠효과, 흡음효과를 극대화할 수 있는 구조이다. (5) 팬모타의 진동모드는 회전축을 중심으로 원운동을 하며, 진동량은 흡입구와 뒷쪽 베어링부위가 가장 작으므로 회전축에 가까운 곳을 지지하는 것이 방진에 유리하다. (6) 본 구조에서 사용된 케이싱은 484Hz의 고유진동수 성분을 가지며 이는 모타와 공진할 우려가 있다. 이에 공진주파수 성분의 진동량이 가장 작은 전면과 후면의 중앙부를 지지하여 진동을 줄일 수 있었다. (7) 본체소음의 전반적인 저감에 따라 흡입구 등에서 발생하는 공기마찰소음의 영향이 상대적으로 커지며, 따라서 흡입구의 유선형 설계 및 누설소음의 흡음, 차폐 등의 역할이 중요한 관리 요소로 된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2010.08a
• /
• pp.163-163
• /
• 2010

중적외선 영역 ($3{\sim}5\;{\mu}m$)은 공기 중에 존재하는 이산화탄소나 수증기에 의해 흡수가 일어나지 않기 때문에 군사적으로 중요한 파장 영역이며, 야간에 적을 탐지하는데 응용되고 있다. InSb는 77 K에서 중적외선 파장 흡수에 적합한 밴드갭 에너지 (0.228 eV)를 갖고 있으며, 다른 화합물 반도체와 달리 전하 수송자 이동도 (전자: $10^6\;cm^2/Vs$, 정공: $10^4\;cm^2/Vs$)가 매우 빠르기 때문에 적외선 화상 감지기 재료로 매우 적합하다. 또한 현재 중적외선 영역대에서 널리 사용되는 HgCdTe (MCT)와 대등한 소자 성능을 나타냄과 동시에 낮은 기판 가격, 소자의 제작 용이성 때문에 MCT를 대체할 물질로 주목 받고 있다. 하지만, 기판과 절연막의 계면에 존재하는 결함 때문에 에너지 밴드갭 내에 에너지 준위를 형성하여 높은 누설 전류 특성을 보인다. 따라서 InSb 적외선 소자의 구현을 위하여 고품질의 절연막의 연구가 필수적이라고 할 수 있겠다. 절연막의 특성을 알아보기 위해, n형 InSb 기판에 플라즈마 화학 기상 증착법 (PECVD)을 이용하여 $SiO_2$, $Si_3N_4$를 증착하였으며, 증착 온도를 $120^{\circ}C$에서 $240^{\circ}C$까지 $40^{\circ}C$ 간격으로 변화하여 증착온도가 미치는 영향에 대하여 알아보았다. 절연막과 기판의 계면 특성을 분석하기 위하여 77 K에서 커패시턴스-전압 (C-V) 분석을 하였으며, 계면 트랩 밀도는 Terman method를 이용하여 계산하였다 [1]. $Si_3N_4$를 증착하였을 경우, $120{\sim}240^{\circ}C$의 증착 온도에서 $2.4{\sim}4.9{\times}10^{12}\;cm^{-2}eV^{-1}$의 계면 트랩 밀도를 가졌으며, 증착 온도가 증가할수록 계면 트랩 밀도가 증가하는 경향을 보였다. 또한 모든 증착 온도에서 flat band voltage가 음의 전압으로 이동하였다. $SiO_2$의 경우 $120{\sim}200^{\circ}C$의 증착온도에서 $7.1{\sim}7.3{\times}10^{11}\;cm^{-2}eV^{-1}$의 계면 트랩 밀도 값을 보였으나, $240^{\circ}C$ 이상에서 계면 트랩밀도가 $12{\times}10^{11}\;cm^{-2}eV^{-1}$로 크게 증가하였다. $SiO_2$ 절연막을 사용함으로써, $Si_3N_4$ 대비 약 25% 정도 낮은 계면 트랩 밀도를 얻을 수 있었으며, 모든 증착 온도에서 양의 전압으로 flat band voltage가 이동하였다. 두 절연막에 대한 계면 트랩의 원인을 분석하기 위하여 XPS 측정을 진행하였으며, 깊이에 따른 조성 분석을 하였다. 본 실험에서 최적화된 $SiO_2$ 절연막을 이용하여 InSb 소자의 pn 접합 연구를 진행하였다. Be+ 이온 주입을 진행하고, 급속열처리(RTA) 공정을 통하여 p층을 형성하였다. -0.1 V에서 16 nA의 누설 전류 값을 보였으며, $2.6{\times}10^3\;{\Omega}\;cm^2$의 RoA (zero bias resistance area)를 얻을 수 있었다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.49 no.2
• /
• pp.23-30
• /
• 2012

This paper proposes a novel adaptive header-based power gating structure to compensate for the performance loss and the increased wake-up time of the power gating structures induced by the negative bias temperature instability (NBTI) effect. The proposed structure consists of variable width footers based on the two-pass power gating and a new NBTI sensing circuit for an adaptive control. The simulation results of the proposed structure are compared to those of power gating without the adaptive control and show that both the circuit-delay and wake-up time dependence of the power gating structure on the NBTI stress is minimized with only 3% and 4% increase, respectively while keeping small leakage power and rush-current. In this paper, a 45 nm CMOS technology and predictive NBTI model have been used to implement the proposed circuits.

• Journal of the Korea Society of Computer and Information
• /
• v.10 no.6 s.38
• /
• pp.233-238
• /
• 2005

In general CELP(Code Excited Linear Prediction) type vocoders provide good speech qualify around 4.8kbps. Among them, G.723.1 developed for Internet Phone and video-conferencing includes two vocoders, 5.3kbps ACELP(Algebraic-CELP) and 6.3kbps MP-MLQ(Multi-Pulse Maximum Likelihood Quantization) In order to improve the speech qualify in CELP vocoder, in this paper. we proposed a new spectrum analysis algorithm with variable window In CELP vocoder, the spectrum of the synthesised speech signal is distorted because the fixed size windows is used for spectrum analysis. So we have measured the spectral leakage and in order to minimize the spectral leakage have adjusted the window size. Applying this method G.723.1 ACELP, we can got SD(Spectral Distortion) reduction 0.084(dB), residual energy reduction 6.3$\%$ and MOS(Mean Opinion Score) improvement 0.1.