• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SC
• /
• v.43 no.6 s.312
• /
• pp.27-32
• /
• 2006

A temperature-compensated hygrometer has been developed using resistive humidity sensors. It consist of a sine wave generator, logarithm converters, rectifiers, and amplifiers. The hygrometer accomplishes the linearization and temperature compensation of sensor characteristics. The theory of operation is presented and experimental results are used to verify theoretical predictions. The experimental results show that the conversion sensitivity of the hygrometer is about 24.8 mV/%RH and the linearity error of the conversion characteristic is less than 17.2 % over a relative humidity range from 30 to 80 %RH. The results also show that the temperature coefficient of the output voltage is less than $10149ppm/^{\circ}C$ over a temperature range from 22 to $40^{\circ}C$.

• Journal of IKEEE
• /
• v.23 no.1
• /
• pp.159-163
• /
• 2019

The food service industry has been grown due to improvement of living standards. In addition, the demand for frozen food delivery is increasing day by day at online/offline and the refrigerated vehicles are used in most of these food distributions. One of the most important factors in a refrigerated car is to measure the temperature accurately. Conventional temperature recording systems are generally connected directly to temperature sensor modules. Since the temperature data are transmitted to the temperature recorder by using the electric wire, there is a disadvantage that the resistance error must be compensated according to the cable length. In this paper, we propose a method to correct errors due to cable resistance using digital processing and CAN (Controller Area Network) communication. We use PT-1000 platinum sensor to increase the accuracy of the temperature measurement.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.08a
• /
• pp.310-310
• /
• 2012

최근 전자산업의 발달에 따른 전자제품의 소형화 및 고기능화 요구에 대응하기 위하여 저항(resistor), 커패시터(capacitor), IC (integrated circuit) 등의 수동소자를 개별 칩(discrete chip) 형태로 형성하여 기판의 표면에 실장하는 기술이 일반화되고 있다. 그러나, 수동 소자의 내장 기술은 기판의 패턴 밀도의 급격한 향상과 더불어 수동소자의 내장 공간도 협소해지는 문제점이 있다. 상기의 문제점을 해결하기 위해 개별 칩 형태의 내장형 저항체를 박막 형태의 내장 저항체를 구현하는 기술의 개발이 최근 주목을 받고 있다. 박막 저항체는 기존의 권선저항 및 후막저항과 비교하여 정밀한 온도저항계수를 가지며 이동통신에 적용시 고주파 영역(GHz)에서의 안정성과 주파수 특성이 좋다는 장점들을 가지고 있다. 박막 저항 물질로는 높은 경도와 우수한 열적 안정성을 가지고 있는 TaN (tantalum nitride)이 주로 사용되고 있다. 일반적으로, TaN 박막은 스퍼터링을 사용하며 제조되며 TaN 박막의 성질은 탄탈륨과 질소의 화학정량비, 박막의 결함 정도, 또는 공정압력 및 증착 온도, 플라즈마 파워 등과 같은 공정조건 등의 변화에 민감하게 변화하므로, TaN 박막의 다양한 연구가 더 필요한 실정이다. 본 연구에서는 반응성 마크네트론 스퍼터링을 사용하여 TaN 박막을 Si 기판 위에 증착하였고 TaN 박막의 원하는 특성을 제어할 수 있도록 질소 분압과 total gas volume을 조절하여 공정을 최적화하는 연구를 진행하였다. 또한 tensile pull-off 방법을 이용하여 TaN 박막의 부착강도를 평가하였고, 온도 사이클 및 고온고습 환경에 노출된 TaN 박막들의 열화 특성들에 대하여 연구하였다.

• KSCE Journal of Civil and Environmental Engineering Research
• /
• v.32 no.2C
• /
• pp.37-47
• /
• 2012

In this study, three centrifuge tests were performed to evaluate the feasibility of three physical quantities for detecting internal defect of earth core fill dam: pore water pressure, temperature, and electrical resistance. For this purpose, the measurement system for pore water pressure, temperature and electrical resistance on centrifuge model dams was established. Three centrifuge tests included a fill dam without internal defect and two other dams with artificial internal defect in the core. The effectiveness of seepage monitoring was examined during the centrifuge test. Test results showed the applicability of monitoring techniques to detect internal defect by monitoring pore water pressure, temperature, and electrical resistance.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.46 no.6
• /
• pp.1-5
• /
• 2009

Analytical expressions for breakdown voltage and specific on-resistance of 6H-SiC PN diodes have been derived successfully by extracting an effective ionization coefficient from ionization coefficients for electron and hole in 6H-SiC. The breakdown voltages induced from our analytical model are compared with experimental results. The variation of specific on-resistance as a function of doping concentration is also compared with the one reported previously. Good fits with experimental results are found for the breakdown voltage within 10% in error for the doping concentration in the range of $10^{15}{\sim}10^{18}cm^{-3}$. The analytic results show good agreement with the numerical data for the specific on-resistance in the region of $5{\times}10^{15}{\sim}10^{16}cm^{-3}$.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
• /
• 1998.05a
• /
• pp.405-408
• /
• 1998

In this paper, We analyzed the current-voltage characteristics with n-type silicon substrates concentration and temperature variations (Room temperature, 5$0^{\circ}C$, 75$^{\circ}C$) in platinum silicide and silicon junction. Measurement electrical parameters are forward turn-on voltage, reverse breakdown voltage, barrier height, saturation current, ideality factor, dynamic resistance acceding to junction concentration of substrates and temperature variations. As a result, the forward turn-on voltage, reverse breakdown voltage, barrier height and dynamic resistance were decreased but saturation current and ideality factor were increased by substrates concentration variations. Reverse breakdown voltage and dynamic resistance were increased by temperature variations.

• Proceedings of the IEEK Conference
• /
• 2003.07b
• /
• pp.895-898
• /
• 2003

본 논문에서는 휴대폰에 사용하는 리튬-이론 배터리(Li-Ion battery)를 충전하기 위한 충전 IC 의 설계에 대해서 기술한다. 정전류(Constant Current)/ 정전압 (Constant Voltage) 방식을 이용하여 리튬-이론 배터리를 충전을 하였다. 이 충전 과정을 제어하기 위해서 일반적으로 사용되는 ADC, DAC 와 MICOM 을 사용하지 않고, hardwired control logic 을 이용하여 적은 면적을 가지고도 기존의 충전 과정을 수행하도록 하였다. 충전 IC 외부에 사용되는 저항들을 내부에 집적하여 사용하는 부품의 수를 현저히 줄였다. 충전기와 리튬-이온 배터리를 연결하는 선(wire)로 저항에 의한 전압강하(voltage drop)를 외부에서 보상할 수 있도록하여 리튬-이온 배터리가 가장 안정적인 전압인 4.2 V로 충전 될 수 있도록 하였다. 외부 온도 검사 블록에서 저항을 이용한 전압 분배를 사용하지 않고, 정전류원을 이용하여 외부 온도 변화를 측정할 수 있도록 하였다. 리튬-이온 배터가 전정류와 정전압으로 4.2 V로 충전 되었으며, 충전 IC 의 소비 전력은 37 mW(analog part)이다. 충전 IC는 0.6 ㎛ standard CMOS 공정을 이용하여 설계하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
• /
• 2018.07a
• /
• pp.474-475
• /
• 2018

본 논문은 충 방전 실험을 통해 온도와 C-rate에 따른 24S1P 배터리팩 내부 저항 변화와 용량을 비교분석하였다. 충전 및 방전 전류의 크기와 온도의 변화에 따라 변하는 내부 저항과 용량의 변화를 비교분석하기 위해 다양한 온도 조건($-5^{\circ}C$, $25^{\circ}C$, $55^{\circ}C$)에서 SOC별(0.04C, 1/3C) HPPC 테스트를 진행하였다. 실험을 통해 얻은 데이터로 1차 RC 등가모델을 통하여 온도와 C-rate에 따른 저항, 용량 변화를 분석하였다.

• Tribology and Lubricants
• /
• v.10 no.2
• /
• pp.1-4
• /
• 1994

금속과 금속이 접합할 때 발생하는 고유 저항값은 접촉소재의 종류, 접촉면의 상태, 접촉조건(하중, 온도, 정적 또는 동적인 접촉 등), 주변환경에 따라서 변한다. 소재가 접촉할 때 발생되는 저항값의 변화특성을 적극적으로 이용한 것이 전기 저항법(Electrical Contact Resistance Method)이다. 접촉 저항법의 특징은 접촉시 발생되는 저항값이 미세하게 변화한다 할지라도 모두 계측이 가능하다는 점이다. 그동안의 연구는 ㅈ로 단일 접촉점(Single Contact Spots) 위주의 단편적인 실험적 연구를 통하여 접촉 저항법에 대한 신뢰도 확보에 노력하였으나, 최근에는 접촉점이 인접한 다른 접촉부위에 미치는 영향, 즉 다수 접촉점군(Multiple Contact Spots and Clusters)의 거동해석에 더욱 큰 연구 비중을 두고 있다. 접촉점군 상호간의 영향에 관한 연구가 많이 진행되기는 하였지만 해석모델의 적절성 여부가 실험적 데이타를 통하여 확인이 아직 안되었기 때문에 기존의 접촉저항 추정식을 직접 사용하기가 어려웠으나 최근에 볼군-원판 모델에 대한 접촉점과 다수의 접촉점군 상호간에 발생될 수 있는 접촉저항 특성을 실험적으로 해석하여 보다 정확한 해석모델이 제시되었다.

• 기계와재료
• /
• v.25 no.3
• /
• pp.106-119
• /
• 2013

초전도 전력기기는 초전도체를 극저온으로 냉각, 전기저항이 없는 초전도 고유의 현상을 이용하여 중전 전력기기의 열손실 저감, 소형화 및 신뢰성 향상을 가능케 하며, 최근에는 고온 초전도 재료의 기술 수준이 향상되어 초전도 응용 영역이 확대되고 있다. 초전도 케이블을 포함한 초전도 전력기기는 운전 조건인 극저온 환경($-150^{\circ}C$이하)를 조성하기 위해 극저온 냉동기 기술이 핵심적인 기술이다. 극저온 냉동기는 냉각 용량에 따라 소용량(수~수십 W), 중용량(수백 W~수 kW), 대용량(수십 kW 이상)으로 구분할 수 있으며, 초전도 전력기기용 냉각시스템은 주로 중용량 극저온 냉동기의 활용도가 매우 높다. 현재 상용화된 극저온 냉동기를 분석하면, 중용량 극저온 냉동기로는 스터링 극저온 냉동기가 가장 적합하다. 따라서 본 고에서는 중용량 스터링 극저온 냉동기 기술에 대한 개발 현황을 살펴보도록 한다.