대용량 역률 보상 정류기의 스위칭 손실 최소화하기 위해서 인덕터 커플링 방식의 새로운 무손실 스너버 회로를 적용한 역률 보상 정류기 회로를 제안한다. 대용량 역률 보상 정류기 구현에 적합한 CCM 부스트 컨버터의 다이오드 역회복 특성에 따른 문제점을 극복하기 위해서 커플 인덕터를 이용해서 다이오드 턴-오프시 전류의 기울기를 감소시켜 역회복 전류를 줄여 줌으로써 주 스위치의 턴-온 손실을 줄였다. 또한 스위치턴-오프시 발생하는 손실을 최소화하기 위해서 다이오드와 콘덴서를 이용한 무손실 스너버 회로를 설계하였다. 단상 3.3kW 역률 보상회로의 시제품을 제작하여 제안하는 무손실 스너버 회로를 가진 역률보상 정류기의 성능을 검증하였다.
최근 신뢰성 높은 지반조사를 실시하기 위하여 국부적인 영역에서 해상도 높은 데이터의 획득이 가능한 전기비저항의 활용이 증가하고 있다. 본 연구의 목적은 온도 효과를 고려하여 보다 신뢰성 높은 전기비저항 값의 획득을 위한 현장용 온도 보상형 전기비저항 프로브의 개발 및 현장 적용성 평가이다. 프로브에 삽입된 온도센서는 온도전이 실험결과와 실험시 안정성 등을 고려하여 선단부로부터 15mm, 30mm, 그리고 90mm 지점에 부착하였고, 프로브 관입시 지반의 교란과 기하학적 형상을 고려하여 콘 형태로 제작하였으며 선단부의 각도는 $60^{\circ}$로 결정하였다. 현장실험에 사용되는 표준 콘과의 비교를 위하여 직경은 표준 콘과 동일한 35.7mm로 제작하였으며, 관입 속도도 동일하게 20mm/sec로 적용하였다. 관입 실험 시, 콘이 지반에 관입 되는 순간 약 $4^{\circ}C$의 온도 변화를 관찰하였으며 이를 보정하여 표준 콘에서 획득한 값과 비교하면 전기비저항을 이용한 지반조사시 반드시 온도에 대한 영향을 고려해야 함을 알 수 있었다. 본 연구에서는 현장용 온도보상형 전기비저항 프로브의 개발 및 현장검증을 통하여 관입 실험 시 온도 보정이 반드시 필요함을 보여준다.
목 적: 고주파 온열암 치료에 의한 부작용 중에서 가장 주의하여할 것 중의 하나는 피부에 나타날 수 있는 화상이다. 특히 배꼽처럼 요철이 있는 부위에는 환자가 느끼는 열감이 크기 때문에 치료를 중단하는 경우가 발생한다. 이에 배꼽부위의 요철을 상쇄시키기 위한 보상체를 제작하고 온도 및 열감을 감소시키고자 한다. 대상 및 방법: 고주파 온열암 치료기(EHY-2000, Oncotherm Kft, Hungary)를 이용하여 본원에서 치료받은 환자를 대상으로 배꼽을 중심으로 4개 부위(배꼽 속, 배꼽 바로 옆, 배꼽아래 5 cm 지점, 등)의 온도를 5회에 걸쳐 측정하였다. 온도계(TM-100, Oncotherm Kft, Hungary)를 4개의 부위에 부착하고 치료 전, 치료 후 5분, 15분, 25분, 35분, 50분의 온도를 측정하였다. 이때 사용한 보상체는 바셀린, 볼루스, 레진으로 각각 같은 방법으로 측정하였다. 결 과: 일반적 치료 시 배꼽 속 온도변화는 평균 34.65도에서 42.9도로 변화하였다. 배꼽 바로 옆은 32.20도에서 37.00도까지 변화하였으며 배꼽아래는 31.90도에서 34.41도로 변화하여 배꼽속의 온도변화가 가장 큰 것으로 나타났다. 배꼽 속에 보상체 물질을 삽입한 경우의 배꼽 속 온도변화는 볼루스가 5.42도, 바세린이 6.55도, 레진이 6.83도로 측정되었다. 온도상승 검증을 위한 귀무가설의 유의확률은 각각 0.0108, 0.034, 0.019로 기각되었다. 결 론: 고주파 온열암 치료 시 환자가 느끼는 열감은 치료의 중단을 가져올 수도 있는 중요한 인자로서 배꼽과 같은 요철부위에 보상체를 사용 시 열감을 줄일 수 있었다. 보상체는 개인마다 요철의 모양이 다르기 때문에 맞춤제작이 가능한 레진이 유리하며, 온도를 낮출 뿐 아니라 환자가 느끼는 열감 또한 상당히 감소하는 것으로 나타났다. 추후 열전달 모델의 개발이 가능하다면 치료 시 나타나는 열감을 줄이며 보다 정확하고 편안한 치료를 제공 할 수 있을 것으로 사료된다.
나노크기 MOSFET 공정에서 회로의 신뢰도에 영향을 미치는 음 바이어스 온도 불안정성(NBTI), 핫 캐리어 주입(HCI), 시간 의존 유전체 파손(TDDB) 등과 같은 노화 현상들에 의해서 회로 성능의 심각한 저하를 가져올 수 있다. 그러므로, 본 논문에서는 디지털회로에서 발생할 수 있는 노화를 극복할 수 있는 적응형 보상 회로를 제안하고자 한다. 제안된 보상회로는 노화에 의해 감소하는 회로 성능을 적응적으로 보상해 주기 위해서 노화 정도에 따라 파워스위치 폭을 조절할 수 있고, 순방향 바디 바이어싱 전압을 걸어줄 수 있는 파워 게이팅 구조를 사용하여서 45nm의 공정기술에서 설계되었다.
마이크로 프로세서 기술의 도입으로 계측시스템은 점차 지능화 되어가고 있다. 이 연구에서는 원자력 공학에서의 온도 계측에 적용하기 위한 지능형 송출기의 설계가 수행되었다. 지능형 송출기 기법의 원자력에의 응용을 위해 디지탈 시간 지연 보상 함수와 수위 측정 알고리듬이 고안, 적용되었다. 시간 보상 함수는 계측된 신호의 시간 지연을 효과적으로 보상하여 주지만, 그 응용에 따라 보상 특성이 고려되어야 한다는 점이 발견되었다. 또한, 수위 계측 함수는 잡음이 많이 섞이고 그 시상수가 250초 이상인 신호를 처리하여 수위 계측 시간을 약 7초로 단축시켜 준다는 사실도 발견하였다.
적외선 감지기는 냉장고, 에어컨, 자동차용 전자부품 등의 온도측정 및 제어, 과잉 전류의 억제를 위한 소자로 널리 사용되며, 또한 최근에는 온도보상형 수정발진기(TCXO) 또는 RF모듈, 액정 판넬의 온도보상회로 등 정보통신기기의 신뢰성 향상을 위해 그 수요가 날로 증가하고 있다. 현재 상용되는 적외선 감지기의 대부분은 벌크형 또는 후막형으로 제조되고 있으나, 최근 반도체공정 기술의 발달로 인하여 보다 향상된 특성이 요구됨에 따라 박막형 등 새로운 형태의 적외선 감지기 대해 활발한 연구가 이루어지고 있다. 본 연구에서는 열 질량과 전도에 의한 열손실을 최소화하여 소자의 감도 및 응답 특성을 향상시키기 위하여 SiO$_2$Si$_3$N$_4$/SiO$_2$ (ONO)다중층 위에 소자 감지부를 형성하고 bulk-micromachining기술을 이용하여 멤브레인 구조를 갖는 박막형 적외선 감지기를 제작하였다.
같은 특성의 다이오드를 스위칭 용과 기준 전원 온도보상에 사용하여 온도특성을 개선한 디지탈-아나로그변환기를 연구하였다. 연산 증폭기를 사용함으로써 가산용 체형회로망을 제거금하고 담선된 직선성을 얻었다. Slewing rate 증가를 꾀하여 1.5 mega bit 속도의 디지트 정보를 수신하여 출력전과의 안정된 신호부분이 전주간의 80% 이상 특매도록 하였다.
본 논문에서는 써미스터를 이용한 온도보상회로를 이용하여 레이더 센서의 양산성을 향상시킬 수 있는 방안을 제시하였다. 레이더 센서에 사용되는 DRO(Dielectric Resonator Oscillator)의 유전체공진기를 제거한 후, FET의 게이트에 적절한 바이어스전압을 인가할 수 있는 온도보상회로를 이용하여 정확한 발진주파수를 조정하는데 필요한 시간을 절약함으로써 양산이 용이하도록 하였는데, 본 논문에서 제안한 방법으로 제작한 레이더 센서의 출력주파수는 $-20^{\circ}C-+55^{\circ}C$의 온도범위에서 15.67MHz의 변화량을 보였으며, 출력크기의 변화는 0.65dB, 위상잡음 특성은 1MHz에서 -105.47dBc로 같은 온도범위에서 25MHz의 출력주파수 변화, 0.42dB의 출력크기 변화, -107.40 dBc의 위상잡음 특성을 보이는 유전체공진기를 이용한 발진기보다 우수하거나 비슷한 특성을 나타내었다.
본 논문에서는 온도 및 공정 보상 전류 미러(temperature and process compensation current mirror: TPC-CM)를 이용한 정밀 전류 레퍼런스를 제안하였다. 온도 변화에 영향을 받지 않는 기준 전류는 절대 온도에 비례하여 증가하는 PTAT (proportional to absolute temperature) 전류와 온도에 반비례하여 감소하는 CTAT(complementary to absolute temperature) 전류의 합으로 생성된다. 그러나 온도 계수(temperature coefficient)와 기준 전류의 크기는 공정 변화에 크게 영향을 받는다. 이런 공정 변화를 보정하기 위하여, 제안된 TPC-CM에서는 온도 계수와 기준 전류의 크기를 조절하는 두 개의 이진 가중치 전류 미러(binary weighted current mirror)를 이용하였다. 제작된 각 칩마다 PTAT 전류와 CTAT 전류를 측정한 후, 기준 전류의 크기가 온도에 상관없이 일정하도록, TPC-CM의 스위치 코드를 결정하고 그 값을 비휘발성 메모리에 저장한다. 시뮬레이션에서 TPC-CM는 공정변화 영향을 19.7%에 서 0.52%로 줄였다. 제안된 전류 레퍼런스는 3.3V 0.35um CMOS 공정을 이용하여 제작되었으며, 측정된 칩의 기준 전류 변화율은 $20^{\circ}$C${\sim}$100$^{\circ}$C에서 0.42%였다.
이 글에서는 부 온도저항계수를 갖는 탄소파이버를 열선으로 이용하고 이를 구동한는 증폭회로의 구성에 관한 연구, 3차원 속도측정용 열선프로브의 접지단자를 3개의 열선이 공통으로 사용하는 공통접지 삼축 열선프로브와 유속계의 특성에 대해 고찰한다. 또한 과열비가 다른 두 개의 저 온도형 열선 유속계를 이용하여 유동장의 온도와 속도를 동시에 측정한는 방법과 임의 형태의 유체온도정보를 이용한 열선유속계의 일반적인 온도보상방법에 관하여 논의하여 열선유속계의 원리와 그 응용 등을 간단히 설명함으로써 관심 있는 분들의 이해를 돕고자 한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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