• Title/Summary/Keyword: 온도보상

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CMOS Voltage down converter using the self temperature-compensation techniques (자동 온도 보상 기법을 이용한 CMOS 내부 전원 전압 발생기)

  • Son, Jong-Pil;Kim, Soo-Won
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.43 no.12 s.354
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    • pp.1-7
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    • 2006
  • An on chip voltage down converter (VDC) using the self temperature-compensation techniques is proposed. At a different gate bias voltage, PMOSFET shows different source to drain current characteristic according to the temperature variation. The proposed VDC can reduce its temperature dependency by the source to drain current ratio of two PMOSFET with different gate bias respectively. Proposed circuit is fabricated in Dongbu-anam $0.18{\mu}m$ CMOS process and experimental results show its temperature dependency of $-0.49mV/^{\circ}C$ and external supply dependency of 6mV/V. Total current consumption is only $1.1{\mu}A@2.5V$.

Plant Performance Analysis for IGCC Employing HGCU(I) (고온정제를 적용한 IGCC 플랜트 성능 해석에 관한 연구(I))

  • 이윤경;서석빈;김종진
    • Journal of Energy Engineering
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    • v.9 no.3
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    • pp.157-162
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    • 2000
  • 기존의 IGCC의 장점인 고효율 플랜트의 특성을 살리기 위해 고온정제를 적용하는 경우 조건변화에 따른 플랜트 성능의 영향을 관찰하고자 본 연구를 수행하였다. IGCC에 고온정제 공정을 적용하여 구성한 모델은 연구 목적에 알맞은 범위의 건전성을 가진 것으로 나타났으며 기타 조건을 동일하게 설정한 경우 저온 정제 공정(MDEA amine) 적용에 비해 플랜트 효율이 약 2.7% 가량 상승하였다. 한편 동일한 고온정제 공정이라도 적용하는 흡수제를 zinc titanate에서 zinc ferrite로 달리 하는 경우 탈황제의 화학 반응상 특성 및 차이점으로 인해 연료가스의 발열량 변화를 유발하므로 결과적으로 약 0.5%의 플랜트 효율 손실이 발생함을 알 수 있었다. 또한 탈황 온도 350~$650^{\circ}C$ 사이의 온도범위에 대해 민감도 분석을 실행하였으며 민감도 분석 결과 전제 온도의 증가와 플랜트 효율은 정비례하지 않으며 50$0^{\circ}C$ 이상의 정제 온도를 적용한 경우는 거의 비슷한 효율을 나타내었다. 이와 같은 결과는 정제 온도를 증가시킴으로 인해 가스터빈에 공급되는 연료가스의 온도는 높아지지만 적용한 가스터빈의 출력 및 연소 온도가 제한되어 있어 고온정제를 적용함으로써 얻어지는 이득을 가스터빈에서 충분히 보상하지 못하고 한편으로 고온정제를 채택함으로써 저온정제 적용시 보다 syngas cooler에서 회수할 수 있는 헌열이 줄어듦으로 인한 증기 터빈 출력의 감소가 커지기 때문으로 분석되었다.

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0.35㎛ CMOS Low-Voltage Current/Voltage Reference Circuits with Curvature Compensation (곡률보상 기능을 갖는 0.35㎛ CMOS 저전압 기준전류/전압 발생회로)

  • Park, Eun-Young;Choi, Beom-Kwan;Yang, Hee-Jun;Yoon, Eun-Jung;Yu, Chong-Gun
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2016.10a
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    • pp.527-530
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    • 2016
  • This paper presents curvature-compensated reference circuits operating under low-voltage condition and achieving low-power consumption with $0.35-{\mu}m$ standard CMOS process. The proposed circuit can operate under less than 1-V supply voltage by using MOS transistors operating in weak-inversion region. The simulation results shows a low temperature coefficient by using the proposed curvature compensation technique. It generates a graph-shape temperature characteristic that looks like a sine curve, not a bell-shape characteristic presented in other published BGRs without curvature compensation. The proposed circuits operate with 0.9-V supply voltage. First, the voltage reference circuit consumes 176nW power and the temperature coefficient is $26.4ppm/^{\circ}C$. The current reference circuit is designed to operate with 194.3nW power consumption and $13.3ppm/^{\circ}C$ temperature coefficient.

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A Study on the Characteristics of Inductively Coupled Plasma Using Simple RF Compensated Langmuir Probe (간단한 RF 보상 정전탐침법을 이용한 유도결합형 플라즈마 특성 연구)

  • Kim, Yun-Gi;Wi, Sung-Suk;Kim, Tae-Hwan;Kim, Dong-Hyun;Lee, Hae-June;Lee, Ho-Jun
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2011.07a
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    • pp.1528-1529
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    • 2011
  • 플라즈마 변수를 측정하기 위한 가장 일반적인 방법은 정전탐침(Langmuir Probe)을 이용하는 것이다. 정전탐침은 RF 플라즈마 내에 삽입될 경우 탐침의 전위가 플라즈마 전위에 의해 진동하여 탐침전류의 왜곡이 발생하여 정확한 플라즈마 변수 측정이 어렵다. 탐침 전위의 변동을 최소화하기 위해 임피던스가 큰 인덕터를 탐침 회로 내에 삽입한다. 본 연구에서는 자기 공명 주파수가 13.56MHz 근방의 인덕터 3종류를 선정하여 간단한 RF 보상 정전탐침을 제작하여 유도결합형 플라즈마의 특성을 측정하였다. RF 보상 정전탐침에 의해 구해진 플라즈마의 전자 온도 및 플라즈마 전위는 감소하며, 플라즈마의 전자 밀도는 증가함을 알 수 있었다.

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Design of New LED Operation Drive Using Compensating Circuit for Transformed Voltage (전압 변동분 보상이 가능한 새로운 LED 구동드라이브 설계)

  • Yang, Hee Won;Lee, Sang Hun;Park, Sung Jun
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2011.07a
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    • pp.30-31
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    • 2011
  • 현재의 고출력 LED (Light Emitting Diode)는 긴 수명시간, 적은 유지보수 비용, 그리고 고효율의 특징으로 차세대 조명 소자로 각광받고 있다. 본 논문에서는 Two-stage LED 구동 회로에서 온도 변화에 따른 정전류 제어가 가능한 LED 구동 드라이브의 효율을 개선하기 위해 입력 전압을 기본 전압으로 하고 LED 출력전류를 통한 전압 변동분 만을 전력변환하여 보상 할 수 있는 LED 구동 드라이브 회로를 연구 하였다. 제안된 비절연 전압 변동분 보상회로는 기존 DC/DC 컨버터를 이용한 LED 구동 드라이브에 비해 효율이 개선 되었음을 실험을 통해 알 수 있었다.

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Torque Compensation Method of IPMSM for HEV (HEV용 IPMSM의 토크 보상 방법)

  • Lee, Jae-Hyuk;Moon, Jung-Song;Park, Jin-Ho;Lee, Jung-Hyo;Choi, Jun-Hyuk;Won, Chung-Yuen
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2010.11a
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    • pp.310-311
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    • 2010
  • 하이브리드 자동차(HEV)용 매입형 영구자석 동기 전동기(IPMSM)의 Lookup-Table을 이용한 토크제어는 전류 및 온도 등과 같은 외부 환경에 의한 파라미터 변동으로 인해 전체적인 구동 성능이 떨어지게 된다. 따라서 본 논문에서는 전류 및 자속 값을 이용하여 지령 토크에 대한 전류 지령치를 보상함으로써 출력 토크를 보상하였다. 구동 성능은 시뮬레이션을 통하여 확인하였다

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A Study on Digital Temperature Compensated Crystal Oscillator (디지털 온도보상 수정 발진기에 관한 연구)

  • 이창석;박영철;차균현
    • The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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    • v.18 no.5
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    • pp.739-745
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    • 1993
  • In mobile communication instruments, realization of the frequency synthesizer with high stabililty in temperature is very important. In order to realize a high stability frequency synthesizer, the oscillator providing for reference frequency must be stabilized in various temperature. In accordance to this requirement, the TCXO using digital method is rrealized in this thesis. The DTCXO consists of temperature sensing part, control part and the VCXO. The frequency stability of the realized DTCXO is 0.94 ppm on average. This is an improved result when compared with the 2.5 ppm of the TCXO using analog method.

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Design of a new adaptive circuit to compensate for aging effects of nanometer digital circuits (나노미터 디지털회로의 노화효과를 보상하기위한 새로운 적응형 회로 설계)

  • Kim, Kyung Ki
    • Journal of Korea Society of Industrial Information Systems
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    • v.18 no.6
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    • pp.25-30
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    • 2013
  • In nanoscale MOSFET technology, aging effects such as Negative Bias Temperature Instability(NBTI), Hot carrier Injection(HCI), Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) and so on which affect circuit reliability can lead to severe degradation of digital circuit performance. Therefore, this paper has proposed the adaptive compensation circuit to overcome the aging effects of digital circuits. The proposed circuit deploys a power gating structure with variable power switch width and variable forward body-biasing voltage in order to adaptively compensate for aging induced performance degradation, and has been designed in 45nm technology.

Application of Smart Transmitter Technology in Nuclear Engineering Measurements (지능형 송출기 기법의 원자력 계측에의 응용)

  • Kang, Hyun-Gook;Seong, Poong-Hyun
    • Nuclear Engineering and Technology
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    • v.25 no.3
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    • pp.403-412
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    • 1993
  • By making use of the microprocessor technology, instrumentation system becomes intelligent. In this study a programmable smart transmitter is designed and applied to the nuclear engineering measurements. In order to apply the smart transmitter technology to nuclear engineering measurements, the digital time delay compensation function and water level change detection function are developed and applied in this work. The time compensation function compensates effectively the time delay of the measured signal, but it is found that the characteristics of the compensation function should be considered through its application. It is also found that the water level change detection function reduces the detection time to about 7 seconds by the signal processing which has the time constant of over 250 seconds and which has the heavy noise.

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Characteristics of Open-Loop Current Sensor with Temperature Compensation Circuit (온도보상회로를 부착한 개방형 전류측정기의 특성)

  • Ku, Myung-Hwan;Park, Ju-Gyeong;Cha, Guee-Soo;Kim, Dong-Hui;Choi, Jong-Sik
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.16 no.12
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    • pp.8306-8313
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    • 2015
  • Open-type current sensors have been commonly used for DC motor controller, AC variable controller and Uninterruptible Power Supply. Recently they have begun to be used more widely, as the growth of renewable energy and smart-grid in power system. Considering most of the open-type current sensors are imported, developing the core technology needed to produce open-type current sensors is required. This paper describes the development and test results of open-type current sensors. Design of C type magnetic core, selection and test of a Hall sensor, design of current source circuit and signal conditioning circuit are described. 100A class DIP(Dual In-line Package) type and SMD(Surface Mount Devide) type open-type current sensors was made and tested. Test results show that the developed open-type current sensor satisfies the accuracy requirement of 2% and linearity requirement of 2% at 100 A of DC and AC current of 60Hz. Temperature compensation was carried out by using a temperature compensation circuit with NTC(Negative Temperature Coefficient) thermistor and the effect of the temperature compensation are described.