Kim, Kyoung-Bo;Lee, Jongpil;Kim, Moojin;Min, Youngsil
Journal of Convergence for Information Technology
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v.9
no.3
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pp.75-81
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2019
In this work, we investigated a low temperature polycrystalline silicon (LTPS) thin film transistors fabrication process on polymer layers. Dehydrogenation and activation processes were performed by a furnace annealing at a temperature of $430^{\circ}C$ for 2 hr. The crystallization of amorphous silicon films was formed by excimer laser annealing (ELA) method. The p-type device performance, fabricated by polycrystalline silicon (poly-Si) films, shows a very good performance with field effect mobility of $77cm^2/V{\cdot}s$ and on/off ratio current ratio > $10^7$. We believe that the poly-Si formed by a LTPS process may be well suited for fabrication of poly-Si TFTs for bendable panel displays such as AMOLED that require circuit integration.
The ablative decomposition mechanism of PMMA(polymethyl methacrylate) and PET(polyethylene terephthalate) with KrF excimer laser(λ : 248nm, pulse duration: 5㎱) is investigated. The UV/Vis spectrometer analysis showed that PMMA is a weak absorber and PET is a strong absorber at the wavelength of 248nm. The results(surface debris, melt, etch depth, etching shape) from drilling and direct writing experiments imply that ablation mechanism of PMMA is dominated by photothermal process, while that of PET is dominated by photochemical process.
In this study, manufacturing of polymer master and mold insert for micro injection molding was investigated. Ablation by excimer laser radiation could be used successfully to make 3-D microstructure of PET. The mechanism for ablative decomposition of PET with KrF excimer laser(λ: 248nm, pulse duration: 5ns) was explained by photochemical process. And this process showed PET to be adopted in polymer master for nickel mold insert. Nickel electroforming by using laser ablated PET master was preferable for replication method. Finally, it was shown that excimer laser ablation can substitute for X-ray lithography of LIGA process in microstructuring.
Proceedings of the Korean Society of Laser Processing Conference
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2006.11a
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pp.96-102
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2006
In this study, manufacturing of polymer master, PDMS(poly dimethylsiloxane) transfer mold, and mold insert was investigated for laser LIGA(LIthography Calvanoformung Abformtechnik). Initially, ablation by excimer laser radiation was used successfully to make 3-D microstructure of PET. After then, the PDMS transfer mold was replicated using ablated PET. Finally, epoxy resin tooling on replicated PDMS transfer mold was executed for making mold insert. From these facts we can conclude that excimer laser ablation of polymer and fabricaiton of PDMS transfer mold are reasonable tools to substitute for X-ray lithography of LIGA process in microstructuring.
Park, Jin-Gwon;Jo, Won-Ju;Jeong, Hong-Bae;Lee, Yeong-Hui
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.02a
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pp.109-109
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2011
1T-1C로 구성되는 기존의 DRAM(Dynamic Random Access Memory)은 데이터를 저장하기 위한 적절한 capacitance를 확보해야 한다. 따라서 캐패시터 면적으로 인한 집적도에 한계에 직면해있다. 따라서 이를 대체하기 위한 새로운 DRAM인 1T (Transistor) DRAM이 각광받고 있다. 기존의 DRAM과 달리 SOI (Silicon On Insulator)기술을 이용한 1T-DRAM은 데이터 저장을 위한 캐패시터가 필요없다. Impact Ionization 또는 GIDL을 이용해 발생한 정공을 채널영역에 가둠으로 서 발생하는 포텐셜 변화를 이용한다. 이로서 드레인 전류가 변화하며, 이를 이용해 '0'과 '1'을 구분한다. 기존의 1T-DRAM은 단결정 실리콘을 이용하여 개발되었으나 좀더 광범위한 디바이스로의 적용을 위해서는 다결정 실리콘 박막의 형태로 제작이 필수적이다. 단결정 실리콘을 이용할 경우 3차원 집적이나 기판재료선택에 제한적이지만 다결정 실리콘을 이용할 경우, 기판결정이 자유로우며 실리콘 박막이나 매몰 산화층의 형성 및 두께 조절이 용이하다. 때문에 3차원 적층에 유리하여 다결정 실리콘 박막 형태의 1T-DRAM 제작이 요구되고 있다. 따라서 이번연구에서는 엑시머 레이저 어닐링 및 고상결정화 방법을 이용하여 결정화 시킨 다결정 실리콘을 이용하여 1T-DRAM을 제작하였으며 메모리 특성을 확인하였다. 기판은 상부실리콘 100 nm, buried oxide 200 nm로 구성된 SOI구조의 기판을 사용하였다. 엑시머 레이저 어닐링의 경우 400 mJ/cm2의 에너지를 가지는 KrF 248 nm 엑시머 레이저 이용하여 결정화시켰으며, 고상결정화 방법은 $400^{\circ}C$ 질소 분위기에서 24시간 열처리하여 결정화 시켰다. 두가지 결정화 방법을 사용하여 제작되어진 박막트랜지스터 1T-DRAM 모두 kink 현상을 확인할 수 있었으며 메모리 특성 역시 확인할 수 있었다.
A 500 Hz repetition rate excimer laser was developed as light source for pollution lidar. In this paper, the high repetitive output characteristics, the gas flow loop structure, and CR(clearing ratio) characteristics were investigated. Our laser system was constructed compact structure with a streamline gas flow loop and UV preionization. The real gas volume of laser is 10 liter. At 500 Hz repetitive operation, we have obtained average power of 53 watt with KrF laser gas. The variation of laser output, CR, and active volume are $\pm$6.7%, 2.3, and 2.0(H)$\times$1.2(W)$\times$56(L)=134 ㎤, respectively. Laser output power is declined to half at 3$\times$$10^6$ shots.
Surface treatment was carried out by an Excimer Pulse laser beam in order to increase the adhesive strength of vulcanized rubber. With increasing number of laser beam irradiations, the adhesive strength was greatly increased; the adhesive strength was 1,500 N/m after irradiation 100 times. The energy density increase was in direct proportion to the adhesive strength increase; the maximum value of the adhesive strength was 1,500 N/m at the energy density of 176 mJ/$cm^{2}$. It was concluded that the increase of surface area was relevant to that of both energy density and adhesive strength
금속유도 측면 결정화 (Metal Induced Lateral Crystallization; MILC)를 통하여 형성한 다결정 실리콘 박막에 엑시머 (excimer) 레이저를 조사하여 우수한 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 제작하였다. MILC 공정 중에 형성되는 금속 유도 결정화 (Metal Induced Crystallization; MIC) 실리콘 박막은 다량의 Ni을 함유하고 있기 때문에, 이에 인접한 MILC 실리콘 박막 내에는 니켈 농도의 점진적인 차이가 발생한다. MILC 다결정 실리콘 박막 내의 Ni 농도 차이는 실리콘 박막의 용융점 차이를 유발하여 레이저 결정화 시에 매우 큰 실리콘 결정립의 성장을 유도한다. 새로운 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 기존의 레이저 결정화 방식으로 제작한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에 비하여 40% 향상된 전계효과 이동도를 나타내었다.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2006.05a
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pp.163-164
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2006
In this paper, an analytical laser ablation model with Maxwell equation will be addressed by considering relationship between laser ablation and material. The Maxwell equation consists of four equations: two Gauss laws for electric and magnetic fields, Faraday's law, and Ampere's law. This analytical model will be calculated by employing Finite Difference Time Domain (FDTD). This method also makes it possible to simulate the laser beam propagation in a wide range of materials, such as metals, semiconductors, and dielectrics. Therefore, in this study, a numerical model for short pulse laser interaction with materials is developed, focusing on the accurate description of laser beam propagation and ablation process into the material with each pulse.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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