Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

Poly-Si TFT's Fabricated by Metal Induced Excimer Laser Annealing

금속 유도 엑시머 레이져 어닐링을 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제작

  • Han, S.M. (School of Electrical Engineering & Computer Science, Seoul National University) ;
  • Park, K.C. (School of Electrical Engineering & Computer Science, Seoul National University) ;
  • Lee, J.H. (School of Electrical Engineering & Computer Science, Seoul National University) ;
  • Han, M.K. (School of Electrical Engineering & Computer Science, Seoul National University)
  • 한상면 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) ;
  • 박기찬 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) ;
  • 이재훈 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) ;
  • 한민구 (서울대학교 전기컴퓨터공학부)
  • Published : 2002.07.10
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Abstract

금속유도 측면 결정화 (Metal Induced Lateral Crystallization; MILC)를 통하여 형성한 다결정 실리콘 박막에 엑시머 (excimer) 레이저를 조사하여 우수한 특성을 갖는 박막 트랜지스터를 제작하였다. MILC 공정 중에 형성되는 금속 유도 결정화 (Metal Induced Crystallization; MIC) 실리콘 박막은 다량의 Ni을 함유하고 있기 때문에, 이에 인접한 MILC 실리콘 박막 내에는 니켈 농도의 점진적인 차이가 발생한다. MILC 다결정 실리콘 박막 내의 Ni 농도 차이는 실리콘 박막의 용융점 차이를 유발하여 레이저 결정화 시에 매우 큰 실리콘 결정립의 성장을 유도한다. 새로운 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 기존의 레이저 결정화 방식으로 제작한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에 비하여 40% 향상된 전계효과 이동도를 나타내었다.

Keywords