• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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• v.41 no.10
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• pp.79-86
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• 2004

This paper proposes a dual band Voltage Controlled Oscillator(VCO) with a standard 0.3${\mu}{\textrm}{m}$ CMOS process to generate 1.07GHz and 2.07GHz. The proposed VCO architecture with 50% duty cycle circuit and a half adder(HA) was capable of producing a frequency two times higher than that of the conventional VCOs. The measurement results demonstrate that the gain of VCO and power dissipation are 561MHz/V and 14.6mW, respectively. The phase noises of the dual band VCO are measured to be -102.55dBc/Hz and -95.88dBc/Hz at 2MHz offset from 1.07GHz and 2.07GHz, respectively.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.7 no.3
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• pp.492-498
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• 2003

In this paper, We analyze the optimum bias conditions of cascode coupled microwave mixer for maximum conversion gain mixer. Microwave self-oscillating mixer by two GaAs MESFET cascode coupled, to upper GaAs MESFET operating as a oscillator with high Q dielectric resonator and the lower GaAs MESFET operated as a mixer with low noise and high conversion characteristics. As a result of experiments, cascode coupled microwave self oscillating mixer according to optimun bias shows an 5.92 dBm oscillating power, -132.0dBc/Hz @ 100KHz at 5.15GHz and 3dB conversion loss.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.39 no.4
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• pp.55-62
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• 2002

FRLGC(Fiber Ring laser Gain Clamped) EDFA Is demonstrated for an automatic gain control in hi-directional ADM(Add Drop Multiplexer) node configuration. Specifically, we investigate hi-directional characteristics of noise figure. Assuming a hi-directional small signal input, noise figures for forward or backward signal input are calculated using average inversion algorithm, according to the propagating directions and lasing wavelengths of a compensating signal. The operating condition of FRLGC-EDFA may be optimized with a backward lasing and short lasing wavelength in the aspect of hi-directional noise figure characteristics.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2013.10a
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• pp.438-441
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• 2013

알려진바 한 해 우리나라에서 200여 건 이상의 차량 급발진으로 추청 되는 사고(Sudden Unintended Acceleration, SUA)가 발생하지만 지금까지 명확하게 급발진으로 추정되는 사고의 원인을 밝혀내지 못해 사고를 당한 운전자는 막대한 정신적, 물질적 피해를 보고 있다. 이에 차량의 급발진으로 추정되는 사고 시 차량의 상태 및 원인 파악을 위하여 차량 내 설치되는 OBD-II(On Board Diagnostics-II)와 운전자의 발쪽을 촬영하는 Foot Camera를 이용하여 통합 블랙박스 시스템을 구현하고자 한다. 지금까지의 블랙박스 시스템은 단순히 사고 시 영상을 촬영 저장하여 운전자에게 보여 주는 장치라면 현재 구현하려는 통합시스템은 블랙박스 자체에서 이동 통신을 통한 차량데이터 실시간 서버 전송 및 스마트 폰과 스마트 패드의 앱(App)으로 OBD-II와 메인서버와의 통신을 통해 사용자 차량의 현재 상태, 차량의 이상 유무, 소모품 교환 시기, 차량사고 시 영상 및 급발진 추정 시 차량상태, 위치, 이동거리, 운전자의 발쪽 영상 저장 및 재생 등 사용자가 필요로 하는 다양한 기능과 정보들을 블랙박스 하나로 통합하여 구현 할 것이다. 이 시스템이 개발되면 차량 관리에 서툰 여성 운전자들, 좀 더 체계적이고 손쉽게 내 차 정보를 원하는 운전자들과 전 세계 자동차 소비자들의 관심사인 급발진에 대한 사고 분석이 정확해 질 것으로 여겨진다.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.9 no.11
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• pp.1215-1220
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• 2014

In this paper, a local oscillator for X-band radar system is designed and fabricated with GaAs MESFET. GaAs MESFET is good for microwave oscillators because of very low noise figure and high electron mobility. Oscillator design methods in this paper are used the characteristic of negative resistance of active component and impedance matching technique without RF resonator. So, oscillator is designed in compact size because space of RF resonator is reduced and can be applied MMIC technique. Designed oscillator has characteristic of the output power of 2.30 dBm and center frequency of 10.545GHz.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.21 no.6
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• pp.591-600
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• 2010

In this paper, three kinds of 24 GHz low-power CMOS cross-coupled voltage controlled oscillators are designed and fabricated for a short-range radar applications using TSMC 0.13 ${\mu}m$ CMOS process. The basic CMOS crosscoupled voltage controlled oscillator is designed for oscillating around a center frequency of 24.1 GHz and subthreshold oscillators are developed for low power operation from it. A double resonant circuit is newly applied to the subthreshold oscillator to improve the problem that parasitic capacitance of large transistors in a subthreshold oscillator can push the oscillation frequency toward lower frequencies. The fabricated chips show the phase noise of -101~-103.5 dBc/Hz at 1 MHz offset, the output power of -11.85~-15.33 dBm and the frequency tuning range of 475~852 MHz. In terms of power consumption, the basic oscillator consumes 5.6 mW, while the subthreshold oscillator does 3.3 mW. The subthreshold oscillator with the double resonant circuit shows relatively lower power consumption and improved phase noise performance while maintaining a comparable frequency tuning range. The subthreshold oscillator with double resonances has FOM of -185.2 dBc based on 1 mW DC power reference, which is an about 3 dB improved result compared with the basic oscillator.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.07c
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• pp.1979-1981
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• 2004

대전력 펄스 파워를 발생시키기 위한 마이크로파 발진기는 수GW의 대출력이 발생되고 있는데 발진특성, 높은 주파수, 발진출력향상등에 대한 여러 가지 연구가 진행되고 있다, 마이크로파는 지파회로를 이용하면 광속보다도 낮은 주파수를 갖게되며 전자빔과 속도가 일치될 때 에너지의 증대가 일어나 대전력 펄스퐈워를 발생시킬수 있다. 본 연구에서는 회로파의 군속도가 부의 영역에서 동작하는 후진파 발진기를 이론적인 계산에 의하여 연구하였다. 연구는 수십GHz의 주파수를 이용하여 보다 높은 출력, 효율이 발생되도록 하였고 분산특성을 이용하였다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.8 no.2
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• pp.60-68
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• 1993

지금까지 뇌에는 컴퓨터와 같은 클럭(clock) 신호가 없고 신경들 간의 활동은 비동기적이라고 알려져 왔다. 그러나, 1989년 Singer 연구 그룹에서 시각 피질에 있는 많은 신경들이 발진하며 이들 간에는 시각 영상에 따라 동기현상을 보인다고 발표한 후, 많은 실험과 모델링이 행해지고 있다. 이 분야의 응용으로는 여러 분야가 있으며, 특히 동기 발진 모델을 이용하였을 경우에 패턴 분리와 인식에 응용될 수 있다. 본 고에서는 신경회로망의 새로운 기류인 생물학적 발진 신경망의 실험과 모델링에 대한 동향을 분석하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2003.05a
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• pp.79-82
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• 2003

본 논문은 마이크로파발진기의 위상잡음 특성에 영향을 미치는 P-HEMT의 비선형 파라미터를 선정하고, 3개의 비선형 파라미터와 최소 위상잡음을 분석하였다. 분석된 P-HEMT가 저 위상잡음을 가지는 최적의 바이어스 동작점을 선정하여, 선정된 바이어스 동작점에서 두 가지 형태의 발진기를 설계하므로 서 발진기의 물리적 구조에 의한 위상 잡음의 영향을 비교하고 위상잡음의 감소방안을 제시하였으며, 이를 이용하여 ku-대역 위상동기유전체공진 발진기를 설계 제작하였다.

• ETRI Journal
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• v.4 no.1
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• pp.3-8
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• 1982

성장된 GaInAsP/InP DH wafer로부터 상온에서 duty 5%까지 Pulse 동작이 가능한 전면전극(broad contact) 및 stripe 구조 LD(711이저 다이오드)를 제작하였다. 또 이렇게 제작된 LD의 I-V특성, 1-L 특성 및 발진파장 등을 조사하기 위해 LD 구동회로 및 Ge 태양전지와 Ge-APD를 이용한 광 검출회로를 제작하였다. 이들을 이용해 제작한 LD의 특성을 조사한 결과 stripe 구조 LD인 경우 발진개시전류($I_th$)가 900mA, 발진파장이 $1.29\mum$, 파장반치폭(FWHM)이 $60\AA$였으며 $1.33I_th$까지 kink 없이 동작이 가능하였다.