ETRI Journal
- Volume 4 Issue 1
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- Pages.3-8
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- 1982
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- 1225-6463(pISSN)
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- 2233-7326(eISSN)
장파장 GaInAsP/Inp DH 레이저의 제작과 발진특성
Abstract
성장된 GaInAsP/InP DH wafer로부터 상온에서 duty 5%까지 Pulse 동작이 가능한 전면전극(broad contact) 및 stripe 구조 LD(711이저 다이오드)를 제작하였다. 또 이렇게 제작된 LD의 I-V특성, 1-L 특성 및 발진파장 등을 조사하기 위해 LD 구동회로 및 Ge 태양전지와 Ge-APD를 이용한 광 검출회로를 제작하였다. 이들을 이용해 제작한 LD의 특성을 조사한 결과 stripe 구조 LD인 경우 발진개시전류(
Keywords