• 한국통신학회논문지
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• 제40권7호
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• pp.1347-1353
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• 2015

$0.13-{\mu}m$ CMOS 공정기술을 이용하여 10 Gb/s 4채널 수직공진 표면 광레이저 (VCSEL) 드라이버 어레이를 구현하였다. 높은 전류 해상도, 전력 소모 및 칩 면적의 향상을 위해 시분할 센싱기법을 사용한 디지털 APC/AMC가 최초로 채택되었다. 측정된 -3 dB 주파수 대역폭은 9.2 GHz이고, 소신호 이득은 10.5 dB, 그리고 전류 해상도는 폭넓은 온도 범위에 대해 10 Gb/s 까지 안정한 파장동작을 위한 1 mA/step이다. 제안된 APC/AMC는 5 ~ 20 mA 의 바이어스 전류 제어 및 5 ~ 20 mA 의 변조전류제어를 입증하였다. 4 채널 칩 소모전력은 최대 바이어스 및 변조전류 하에서 371 mW, 칩 사이즈는 $3.71{\times}1.3mm^2$이다.

• 한국진공학회지
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• 제4권4호
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• pp.402-406
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• 1995

MOS(금속 산화막 반도체 접합) 소자가 방사선에 노출되면, 산화막재에 양의 공간전하가 생성되고 Si-SiO2 계면에 계면준위가 생성된다. MOS 커패시터의 방사선 조사효과를 방사선 피폭량과 산화막의 두께를 달리하는 시편에서 정전용량과 전류변화를 측정하여 고찰하였다. 정전용량-바이어스 전압 특성 실험결과로부터 플렛밴드 전압 및 계면상태밀도를 계산하였다. 또한 전압-전류 특성은 방사선 조사로 산화막내에 생성된 양의 공간전하와 Si-SiO2 계면에 포획된 전하에 의해서 설명이 가능하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.151-151
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• 2008

바이폴러 트랜지스터(이하 BJT)의 고온 콜렉터-베이스 역전압 수명시험을 실시하였고, 수영시험 전후의 특성평가를 통해 BJT의 고장모드를 분석하였다. 시험조건은 주위온도 $150^{\circ}C$에서 콜렉터-베이스 정격 역전압의 80%를 인가한 상태에서 실시하였으며, 시료수는 57개이고 최종 목표 시험시간은 2,000시간이다. 중간측정을 통해 BJT의 특성열화를 관찰하였으며, 1,500시간 경과 후 1개 시료에서 제품규격을 벗어나는 데이터가 측정되었다. 해당 시료를 분석한 결과 콜렉터-베이스 누설전류 및 전류이득($\beta$)이 증가하였고, 저주파에서의 junction capacitance 가 정상품 대비 크게 관찰되었다. 측정결과를 통해 누설전류 증가 및 이득이 증가한 원인을 추정하였다.

• 한국광학회지
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• 제11권3호
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• pp.187-192
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• 2000

반도체 레이저의 비션형 특성에 의하여 발생하는 매개증폭에 대하여, 반도체 레이저 다이오드의 비율방정식을 섭동 이론을 이용하여 해석하고 그 결과에 대하여 논의하였다. 매개증폭에 의하여 발생하는 이득은 펌프 변조전류가 증가하여 이득된 공진주파수에 가까워질수록 증가하였으며, 바이어스 전류와 반도체 레이저의 감쇄상수가 증가할수록 감소하였다. 또한 큰 매개이득을 얻기 위해서는 펌프 변조전류와 신호 변조전류 사이의 위상을 정합시켜야 하며, 큰 신호 변조전류에서는 증포된 광 출력의 포화로 인하여 매개이득이 감소하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제21권5호
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• pp.1325-1331
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• 1996

본 논문에서는 전류 스위칭(switched-current:SI) 시스템에서 THD(total harmonic distortion) 증가 원인인 클럭피드스루(clock feedthrough:CFT) 오차 전압을 감소시키는 새로운 전류 메모리(current-memory) 회로를 제안하였다. 제안한 전류 메모리는 CMOS 상보형의 PMOS 트랜지스터를 이용하여 CFT 오차 전압에 의한 출력 왜곡 전류를 감소시킨다. 제안한 전류 메모리 회로를 $1.2{\mu}{\textrm{m}}$ CMOS 공정을 사용하여 설계하고, 입력으로 전류 크기 $68{\mu}{\textrm{m}}$인 1MHz 정현파 신호를 인가하였다.(샘플링 주파수:20MHz) 모의 실험 결과, 기존의 전류 메모리보다 CFT 오차 전압에 의한 출력 왜곡 전류가 10배 정도 감소를 나타내었으며 신호 대 바이어스 전류비가 0.5(peak signal-to-bias current ratio:i/J)인 1KHz 신호를 인가할 경우 THD는 -57dB이다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2012년도 자성 및 자성재료 국제학술대회
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• pp.46-47
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• 2012

• 한국정보통신학회논문지
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• 제5권1호
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• pp.157-165
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• 2001

집적 쇼트키 논리 게이트에서 전압 스윙을 크게 하기 위해서 백금 실리사이드 쇼트키 접합의 전기직 특성을 분석하였고, 이 접합에서 프로그램으로 특성을 시뮬레이션 하였다. 분석특성 특성을 위한 시뮬레이션 프로그램은 제조 공정용 SUPREM V와 모델링용 Matlab, 소자 구조용의 Medichi 툴이다. 시뮬레이션 특성을 위한 입력 파라미터는 소자 제작 공정의 공정 단계와 동일한 조건으로 하였다. 분석적인 전기적인 특성들은 순방향 바이어스에서 턴-온 전압, 포화 전류, 이상인자이고, 역방향 바이어스에서 항복 전압을 실제 특성과 시뮬레이션 특성 사이의 결과를 보였다. 결과로써 순방향 턴-온 전압, 역방향 항복전압, 장벽 높이는 기판의 증가된 농도의 변화에 따라 감소되었지만, 포화전류와 이상인자는 증가되었다.

• Journal of Astronomy and Space Sciences
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• 제23권2호
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• pp.161-166
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• 2006

이 논문에서는 위성 자세제어용으로 사용되는 RLG(Ring Lager Gyroscope) 전류 안정화 회로에 대해서 설명한다. RLG는 헬륨-네온레이저의 공진기 내에서 샤냑효과를 이용한다. 두 방전전류의 차이는 자이로 바이어스 오차의 한 부분을 차지한다. 전류 안정화회로의 이론적 배경과 설계과정에 대해서 기술하고, 입력전압 시험, 온도시험을 통하여 검증하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권7호통권361호
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• pp.31-36
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• 2007

주파수를 직류 바이어스 전류로 제어할 수 있는 톱니파 발생기를 제안하였다. 제안된 발생기는 연산 트랜스컨덕턴스 증폭기 (OTA)를 스위치 소자로 이용하고 있으며, 회로 구성이 간단하면서도 넓은 주파수 스윙 능력을 갖는 특징을 가지고 있다. 발생기 회로를 상용화된 개별 소자들로 구성하여 실험한 결과, 발생기 회로의 전류-대-주파수 전달 특성의 선형성이 우수하고 비교적 낮은 온도 감도를 보인다는 것을 알았다.

• 대한기계학회논문집A
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• 제37권4호
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• pp.511-519
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• 2013

능동 자기베어링의 바이어스 선형화 방법은 자기베어링의 동역학적 성능과 선형성을 확보하지만, 바이어스 전류에 의한 상시 소모전력이 발생하여 시스템의 효율이 저하된다. 반면, 스위칭 제어기는 바이어스 전류를 사용하지 않아 베어링의 소비 전력을 최소화할 수 있다. 본 논문에서는 능동 자기베어링 시스템에 적용되는 스위칭 제어기와 동기 노치필터를 포함하는 비례-미분 제어기의 성능을 비교하였다. 공정하고 객관적인 비교를 위해 기준제어기인 동기 노치필터 제어기를 합리적으로 설계하고, 스위칭 제어기가 기준제어기와 동일한 동역학 특성을 갖도록 하였다. 회전축의 굽힘 유연모드 및 센서와 증폭기의 특성을 포함하는 시스템의 동역학 모델을 수립하고 성능 비교 지표를 수립하였다. 불평형 질량에 응답 측면에서 제어기를 비교하여, 저속 영역에서 스위칭 제어기가 기준제어기 대비 10 배 이상 동손을 저감할 수 있으나, 회전축의 굽힘 유연모드와 일치하는 회전 속도 근방에서는 스위칭 제어기가 유효하지 않음을 확인하였다.