Analysis of parametric amplification in a semiconductor laser using perturbation theory

섭동이론을 이용한 반도체 레이저에서의 매개증폭 해석

  • 조성대 (한국통신 가입자망연구소) ;
  • 이창희 (한국과학기술원 전기 및 전자공학과) ;
  • 신상영 (한국과학기술원 전기 및 전자공학과)
  • Published : 2000.06.01

Abstract

We analyze the parametric amplification by the nonlinear characteristics in a semiconductor laser using a perturbation theory and discuss its result. The parametric gain increases with increase of the pump modulation current. It is due to shift of the resonance frequency as the pump modulation current increases. However, it decreases with increase of the bias current and damping constant. Also, it needs phase matching between the pump modulation current and signal modulation current to maximize the parametric gain. The gain decreases for a large signal modulation current due to the saturation of the amplified power. power.

반도체 레이저의 비션형 특성에 의하여 발생하는 매개증폭에 대하여, 반도체 레이저 다이오드의 비율방정식을 섭동 이론을 이용하여 해석하고 그 결과에 대하여 논의하였다. 매개증폭에 의하여 발생하는 이득은 펌프 변조전류가 증가하여 이득된 공진주파수에 가까워질수록 증가하였으며, 바이어스 전류와 반도체 레이저의 감쇄상수가 증가할수록 감소하였다. 또한 큰 매개이득을 얻기 위해서는 펌프 변조전류와 신호 변조전류 사이의 위상을 정합시켜야 하며, 큰 신호 변조전류에서는 증포된 광 출력의 포화로 인하여 매개이득이 감소하였다.

Keywords

References

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