• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1994년도 춘계 학술발표 강연 및 논문 개요집
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• pp.89-89
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• 1994

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제1권3호
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• pp.228-234
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• 1988

본 논문에서는 자기 버블 및 VBL 기억 소자의 기본적인 동작원리 및 사용되는 재료 특히 자기 가넷 박막의 설계와 제조과정을 살펴보았다. 자기 가넷의 가장 큰 장점중의 하나는 응용 분야에 따라 원하는 자기적 특성을 갖는 박막을 쉽게 성장시킬 수 있다는 장점이다. 그러나 현재의 결과로는 0.3.mu.m 이하의 직경을 갖는 버블 박막은 가넷을 이용하여서는 제조하기 힘들므로 그보다 작은 버블을 원하면 육방정계 페라이트나 비정질 합금을 이용하여야 할 것으로 보인다. VBL소자의 경우 0.5.mu.m직경의 버블로 1Gbit/$cm^{2}$의 기록 밀도가 예상되므로 가까운 장래에는 가넷이외의 재료를 생각할 필요는 없을 것이다. 현재의 연구 추세로는 0.3.mu.m직경의 버블을 이용한 버블 소자가 개발되면 또는 그 이전에라도 VBL 소자가 버블 소자를 대치할 것으로 보여 한동안 가넷이외의 재료에 대한 연구는 활발하지 않을 것으로 전망된다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2015년도 춘계학술발표대회
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• pp.67-68
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• 2015

전기전자, 정보통신 등 디지털/정보화 시대를 주도하는 산업의 핵심제품으로 혁신적 방식으로 기존의 전기신호처리 및 정보기억 기능을 대체할 새로운 메모리 반도체 개발기술이 요구되고 있다. 반도체 소자를 이용하여 디지털 정보를 기억하는 소자 가운데 기존의 DRAM과 플래시 메모리를 발전시켜 새로운 물질이나 구조를 사용하는 반도체 정보기억 소자 개발 기술이 필요하다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제21권5호
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• pp.67-78
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• 1984

프로팅 게이트 위에 컨트롤 게이트를 갖는 n-채널 이중 다결정 실리콘게이트 EAROM을 제작하였다. 채널 길이는 4-8μm, 채널 폭은 5-14μm로 하여 5μm design rule에 따라 설계하였으며 서로 다른 4가지 컨트롤게이트 구조를 갖는 채널 주입형 기억소자를 얻었다. 그리고 소자의 Punch through 전압과 게이트에 의해 조절되는 채널파괴 전압을 증가시키기 위해 이중 이온주입 (double ion implantation)과 active 영역에 보론이온을 주입 하였다. 프로그래밍을 위해 드레인 전압 및 게이트 전압이 각각 13-l7V 및 20-25V 정도 필요하였다. 그리고 제조된 기억소자의 소거는 광학적 방법뿐 아니라 전기적 방법으로도 가능하였으며 125℃에서 200시간 유지하였을 때 축적된 전자가 약 4 %정도 감소함을 알 수 있었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권6호
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• pp.727-736
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• 1995

This paper examines the characteristics and physical properties of the scaled MONOS nonvolatile memory device for low programming voltage EEPROM. The capacitor-type MONOS memory devices with the nitride thicknesses ranging from 41.angs. to 600.angs. have been fabricated. As a result, the 5V-programmable MONOS device has been obtained with a 20ms programming time by scaling the nitride thickness to 57.angs. with a tunneling oxide thickness of 19.angs. and a blocking oxide thickness of 20.angs.. Measurement results of the quasi-static C-V curves indicate, after 10$\^$6/ write/erase cycles, that the devices are degraded due to the increase of the silicon-tunneling oxide interface traps. The 10-year retention is impossible for the device with a nitride less than 129.angs.. However, the MONOS memory device with 10-year retentivity has been obtained by increasing the blocking oxide thickness to 47.angs.. Also, the memory traps such as the nitride bulk trap and the blocking oxide-nitride interface trap have been investigated by measuring the maximum flatband voltage shift and analyzing through the best fitting method.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2002년도 춘계 학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.131-131
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• 2002

• 전자통신동향분석
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• 제2권2호
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• pp.122-129
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• 1987

• 전자통신동향분석
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• 제28권5호
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• pp.24-33
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• 2013

형상기억 물질은 임의의 형상을 유지하다 외부의 자극에 의하여 원래의 형상으로 회복되는 물질이다. 이와 같은 형상기억 물질은 형상기억합금과 형상기억고분자로 대별되며, 형상기억효과를 응용하려는 용도 및 특성에 따라 선택되어 사용되고 있다. 본고에서는 형상기억합금과 형상기억고분자의 특성 및 원리에 대해 정리하였으며, 형상기억합금에 비해 가볍고 저렴하며 외부 자극의 종류도 다양하게 선택할 수 있는 형상기억고분자의 용도를 정리하였다. 향후 형상기억고분자는 wearable 디스플레이, 태양광 패널 및 비침습성 의학소자 등 그 용도가 다양할 것으로 전망된다.

• ETRI Journal
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• 제11권3호
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• pp.96-108
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• 1989

다결정 실리콘 위에 열산화 방법을 통해 형성된 산화막(Polyoxide)은 기억소자에서의 capapcitor 절연막이나, EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)과 EEPROM(Electrically EPROM) 소자의 tunneling 산화막으로사용된다. 이러한 Polyoxide 절연막은 낮은 누설전류, 높은 절연파괴전기장, 높은 철연파괴 전류밀도 등의 특성을 가져야 한다. 본 논문에서는 공정조건 변화에 따른 Polyoxide의 특성을 조사 분석하였다.

• ETRI Journal
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• 제11권4호
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• pp.119-127
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• 1989

다결정 실리콘 위에 열산화 방법을 통해 형성된 산화막(polyoxide)은 기억소자에서의 capscitor 절연막이나, EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)과 EEPROM(Electrically EPROM) 소자의 tunneling 산화막으로 사용된다. 이러한 polyoxide 절연막은 낮은 누설전류, 높은 절연파괴전기장, 높은 절연파괴 전류밀도등의 특성을 가져야 한다. 본 논문에서는 ployoxide의 형성조건에 따른 polyoxide의 전기적인 특성에 대하여 연구하였다.