• Proceedings of the KIEE Conference
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• summer
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• pp.1184-1186
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• 2004

Focus Electrode(FE) 기능을 갖는 진행파관 증폭기(TWTA)를 구동하기 위하여 고전압 펄스전원 장치가 필요하다. 이 전원장치는 영부터 -5.0 kV TWT 캐소드 고전압 위에서 펄스 출력으로 동작되어야 한다 고전압펄스전원장치는 바이어스 전압이 영부터 -1.5 kV사이를 연속적으로 가변 할 수 있어야 하고, 펄스의 반복 주파수는 CW로 부터 1 kHz 그리고 펄스폭은 $10\;{\mu}s$부터 $500\;{\mu}s$로 선택 가능하여야 한다. 그리고 출력펄스의 상승 및 하강 시간은 150 ns 보다 작아야 한다. 턴-온 및 오프의 스윗칭 시간을 만족시키기 위하여 고전압 스위치는 직렬로 연결된 FET 모듈을 사용하였다. 본 논문에서는 이러한 고전압 펄스전원장치의 설계 및 제작원리 그리고 시험결과에 대하여 다루었다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2004.07a
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• pp.61-63
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• 2004

Focus Electrode(FE) 기능을 갖는 진행파관 증폭기(TWTA)를 구동하기 위하여 고전압 펄스전원 장치가 필요하다. 이 전원장치는 영부터 -5.0 kV TWT 캐소드 고전압 위에서 펄스 출력으로 동작 되어야 한다. 고전압펄스전원장치는 바이어스 전압이 영부터 -1.5 kV 사이를 연속적으로 가변 할 수 있어야 하고, 펄스의 반복 주파수는 CW로 부터 1 kHz 그리고 펄스폭은 $10\;{\mu}s$ 부터 $500\;{\mu}s$로 선택 가능하여야 한다. 그리고 출력펄스의 상승 및 하강 시간은 150 ns 보다 작아야 한다. 턴-온 및 오프의 스윗칭 시간을 만족시키기 위하여 고전압 스위치는 직렬로 연결된 FET 모듈을 사용하였다. 본 논문에서는 이러한 고전압 펄스전원장치의 설계 및 제작원리 그리고 시험결과에 대하여 다루었다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.13 no.11
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• pp.5409-5415
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• 2012

Piezo ceramic actuator is used for various industrial products such as spray, dispenser, and valve control etc. Since the deflection of the piezo ceramic element depends on the applied voltage, it is required a power amplifier with high voltage supply for driving the piezo ceramic actuators. In this paper, we develop a simple H-bridge type power amplifier and a compact flyback type high voltage switching mode power supply for piezo ceramic actuators. It is easy to adjust the amount of energy input to piezo ceramic actuator by pulse-width-modulation with H-bridge type power amplifier.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.110-110
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• 2004

하나 또는 다수개의 압전액츄에이터(piezoelectric actuator)로 구성된 시스템에서 구동 효율을 높이는데 직접적인 영향을 미치는 고정밀과 빠른 응답 특성을 구현(implementation)하기 위하여, 입력전압에 대하여 출력전압이 선형적으로 추종하고 주파수 가변(variable)이 독립적이며 순차적으로 제어가 가능한 위상가변(phase shifting)형 압전액츄에이터 구동장치의 설계가 필요하다. 구동신호론 증폭하고 가변하는 고전압 증폭 구동장치는 압전액츄에이터 구동에 직접 영향을 주게 되므로, 이의 특성인 고주파에서의 위상지연 보상, 높은 회전비(slew rate)로 고전압에서 정현파의 찌그럼짐을 방지, 전압이득의 가변 및 안정화, 입력 및 출력 임피던스의 개선과 주파스 대역폭(band width)의 확장 등은 매우 중요하다.(중략)

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2010.07a
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• pp.256-258
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• 2010

MPM(Microwave Power Module)은 진공 전력증폭기인 진행파관(TWT,Traveling Wave Tube)과 반도체 전력증폭기(SSA, Solid State Amplifier)를 결합한 구조로서, 미세한 RF신호를 입력 받아 고출력의 RF 신호로 증폭하는 장치이다. 본 논문은 MPM을 구동하기 위해, 필요한 수 kV이상의 높은 전압을 TWT에 공급해주는 고전압 전원공급기(HVPS, High Voltage Power Supply)에 관한 것이다. Main Topology는 Resonant Phase Shift Full Bridge Converter이며, 승압의 효과를 높이기 위해 2차 측에는 Voltage Multiplier를 사용하였다. MPM을 구동하는데 필요한 전압인Cathode(-4kV), FE_Bias(-5.25kV), Collector(-2kV)를 생성하며, FE_ON, OFF신호에 따라 고전압 스위칭 동작을 하여, RF 증폭을 제어 할 수 있다. 최종적으로 Prototype을 제작하고, 고찰된 실험결과를 제시하여 개발된 HVPS의 우수성을 검증한다.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.19 no.4
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• pp.484-491
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• 2008

In this paper, we design and fabricate the L-band high speed pulsed HPA using LDMOS FET. And we propose the high voltage and high speed switching circuit for LDMOS FET. The pulsed HPA using LDMOS FET is simpler than using GaAs FET because it has a high gain, high output power and sin81e voltage supply. LDMOS FET is suitable for pulsed HPA using switching method because it has $2{\sim}3$ times higher maximum drain-source voltage(65 V) than operating drain-source voltage($V_{ds}=26{\sim}28\;V$). As results of test, the output peak power is 100 W at 1.2 GHz, the rise/fall time of output RF pulse are 28.1 ns/26.6 ns at 2 us pulse width with 40 kHz PRF, respectively.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.29 no.6
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• pp.1-13
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• 2014

GaN(Gallium Nitride)는 3.4eV의 넓은 에너지 갭으로 인하여 고전압에서 동작이 가능하고, 분극전하를 이용한 캐리어 농도가 높아 높은 전류밀도와 전력밀도를 얻을 수 있으며, 높은 전자 이동도와 포화 속도로부터 고속 동작이 가능하여 고주파 고출력 고효율 소형의 전력증폭기 소자의 재료로 적합하다. 본고에서는 민수 및 군수 겸용 Ku-대역 및 Ka-대역 GaN 고출력 전력증폭기(SSPA: Solid-State Power Amplifier)와 관련된 GaN 전력증폭 소자, GaN 전력증폭기 MMIC(Microwave Monolithic Integrated Circuit), 내부정합 패키지형 GaN 전력증폭기 및 GaN SSPA에 대하여, 국내외 특허 기술동향과 연구개발 기술동향을 중심으로 고찰하고자 한다. 국외의 GaN 고주파 고출력 전력증폭기 기술의 연구동향이나 특허동향을 심층분석하여 연구개발에 활용하고자 한다.

• Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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• v.50 no.12
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• pp.49-55
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• 2013

A high-voltage highly-integrated analog front-end (AFE) IC for medical ultrasound imaging applications is implemented using standard 0.18-${\mu}m$ CMOS process. The proposed AFE IC is composed of a high-voltage (HV) pulser utilizing stacked transistors generating up to 15 Vp-p pulses at 2.6 MHz, a low-voltage low-noise transimpedance preamplifier, and a HV switch for isolation between the transmit and receive parts. The designed IC consumes less than $0.15mm^2$ of core area, making it feasible to be applied for multi-array medical ultrasound imaging systems, including portable handheld applications.

• Journal of IKEEE
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• v.14 no.2
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• pp.51-57
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• 2010

A CMOS rail-to-rail high voltage buffer amplifier is proposed to drive the gamma correction reference voltage of large TFT LCD panels. It is operating by a single supply and only shows current consumption of 0.5mA at 18V power supply voltage. The circuit is designed to drive the gamma correction voltage of 8-bit or 10-bit high resolution TFT LCD panels. The buffer has high slew rate, 0.5mA static current and 1k$\Omega$ resistive and capacitive load driving capability. Also, it offers wide supply range, offset voltages below 50mV at 5mA constant output current, and below 2.5mV input referred offset voltage. To achieve wide-swing input and output dynamic range, current mirrored n-channel differential amplifier, p-channel differential amplifier, a class-AB push-pull output stage and a input level detector using hysteresis comparator are applied. The proposed circuit is realized in a high voltage 0.18um 18V CMOS process technology for display driver IC. The circuit operates at supply voltages from 8V to 18V.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.30 no.4
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• pp.307-313
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• 2019

The traveling wave tube amplifier (TWTA), which can be applied to the Ka-band millimeter-wave multi-mode seeker, consists of an high voltage power supply(HVPS), a grid modulator, a command and control, and an RF assembly. We designed a power supply that generates a -17.9 kV high voltage by synchronizing the pulse repetition frequency(PRF) and power supply switching frequency(i.e. synchronization frequency), and a high-speed grid-switching modulator for RF pulse modulation. The TWTA, which is fabricated through miniaturization with a volume of 3.18 L, has high pulse switching characteristics of up to 18.5 ns. The maximum rise/fall time of the grid on/bias signal and peak power is more than 564.9 W. Moreover, an excellent spurious performance of -68.4 dBc or less was confirmed within the range of PRF and PRF/2.