• Nonlinear Functional Analysis and Applications
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• 제28권4호
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• pp.1069-1086
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• 2023

The natural transform is represented by two (p, q)-analogues, and their comparative characteristics are established. To resolve some (p, q)-difference and functional equations, applications are carried out.

• 대한수학회논문집
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• 제38권3호
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• pp.755-772
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• 2023

Our aim is to establish certain image formulas of the (p, q)-extended modified Bessel function of the second kind M_ν,p,q(z) by employing the Marichev-Saigo-Maeda fractional calculus (integral and differential) operators including their composition formulas and using certain integral transforms involving (p, q)-extended modified Bessel function of the second kind M_ν,p,q(z). Corresponding assertions for the Saigo's, Riemann-Liouville (R-L) and Erdélyi-Kober (E-K) fractional integral and differential operators are deduced. All the results are represented in terms of the Hadamard product of the (p, q)-extended modified Bessel function of the second kind M_ν,p,q(z) and Fox-Wright function _rΨ_s(z).

• 대한수학회보
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• 제55권2호
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• pp.599-610
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• 2018

We aim to present some formulas for Saigo hypergeometric fractional integral and differential operators involving (p, q)-extended Bessel function $J_{{\nu},p,q}(z)$, which are expressed in terms of Hadamard product of the (p, q)-extended Gauss hypergeometric function and the Fox-Wright function $_p{\Psi}_q(z)$. A number of interesting special cases of our main results are also considered. Further, it is emphasized that the results presented here, which are seemingly complicated series, can reveal their involved properties via those of the two known functions in their respective Hadamard product.

• 대한수학회논문집
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• 제34권2호
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• pp.523-532
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• 2019

Integrals involving a finite product of the generalized Bessel functions have recently been studied by Choi et al. [2, 3]. Motivated by these results, we establish certain unified integral formulas involving a finite product of the generalized k-Bessel functions. Also, we consider some integral formulas of the (p, q)-extended Bessel functions $J_{{\nu},p,q}(z)$ and the Delerue hyper-Bessel function which are proved in terms of (p, q)-extended generalized hypergeometric functions, and the generalized Wright hypergeometric functions, respectively.

• 한국수자원학회:학술대회논문집
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• 한국수자원학회 2020년도 학술발표회
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• pp.287-287
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• 2020

2016년말 우리나라의 지하수 관측망은 국가지하수관측망, 지역지하수관측망, 수질전용측정망, 해수침투 관측망 등 다양한 목적하에 약 5,790개가 운영되고 있으며, 평균적으로 약 10년 정도의 관측 기간을 보유하고 있다. 이들 중에서 일 1회 이상 자동관측이 이루어지는 679개를 대상으로 지하수위 시계열자료의 특성을 분석하였다. ARIMA 분석 결과, AR(p) 모델은 전체의 56.8%인 386개, MA(q) 모델은 90.7%인 616개, Integration(d) 모델은 96.5%인 655개로 나타났다. AR(p) 모델중 가장 많은 경우를 보인 것은 AR(1), AR(2), AR(3) 등의 순이며, MA(q) 모델중 가장 많은 경우를 보인 것은 MA(2), MA(1), MA(3) 등의 순이며, Integration(d) 모델은 I(1), I(2)의 순으로 나타났다. AR(1) 모델이 가장 많은 것은 강우에 대한 지하수위의 교차상관의 lag time이 1 ~ 2일인 경우가 가장 많으므로 이전 시점의 지하수위에 의하여 현재 지하수위가 결정된다는 점을 의미한다. Integration이 많이 나타난 이유는 주기적 또는 지속적인 변동성이 지하수위에 나타나고 있음을 보여준다. 지하수위의 시계열 특성의 분류 및 그 원인을 평가하여 각 관측소별 지하수위 변동성을 정의함으로써 추후 지하수위 시계열자료의 분석 목적에 부합하는 자료 선별에 기여하고자 한다.

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제21권9호
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• pp.493-501
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• 2021

본 연구는 21세기 사회통합시대에 들어서, 2분법적 요소의 하나인, '장애인', '비장애인'에 대한 이해와 인식을 고찰하고자 출발하였다. 즉, 우리일상에서 함께 하고 있는 장애인에 대한 인식을 진단하고자, 본 연구의 응답자의 내면과 인식을 바탕으로 연구하는 'Q방법론(Q-methodology)'을 활용하였다. 분석을 위하여 32개의 Q-statements를 확보하고, 20명의 P표본 응답자를 대상으로한 결과, 다음과 같이 3개의 유형을 도출하였다. 즉, <유형I>은 '장애에 대한 올바른 인식이 필요하다', '장애는 누구에게나 일어날 수 있다' 등의 진술문이 강조하고 있어, 「올바른인식 강조형」으로 명명하였다. <유형II>는 '장애인의 삶은 힘들다', '장애인에게 사회참여기회가 필요하다'을 강조하고 있어, 「장애인 삶 이해형」으로 명명하였다. <유형III>은 '장애인에게 경제적 지원이 필요하다', '장애인복지예산이 충분히 확보되어야 한다' 등의 진술문을 강조하고 있어, 「제도적지원 강조형」으로 명명하였다. 따라서, 우리사회의 장애 및 장애인에 대한 올바른 인식의 필요성과 더불어, 본 연구결과가 장애인인식개선을 위한 마중물이 되기를 감히 기대한다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제4권3호
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• pp.196-203
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• 2004

A three-dimensional (3D) IC technology platform is presented for high-performance, low-cost heterogeneous integration of silicon ICs. The platform uses dielectric adhesive bonding of fully-processed wafer-to-wafer aligned ICs, followed by a three-step thinning process and copper damascene patterning to form inter-wafer interconnects. Daisy-chain inter-wafer via test structures and compatibility of the process steps with 130 nm CMOS sal devices and circuits indicate the viability of the process flow. Such 3D integration with through-die vias enables high functionality in intelligent wireless terminals, as vertical integration of processor, large memory, image sensors and RF/microwave transceivers can be achieved with silicon-based ICs (Si CMOS and/or SiGe BiCMOS). Two examples of such capability are highlighted: memory-intensive Si CMOS digital processors with large L2 caches and SiGe BiCMOS pipelined A/D converters. A comparison of wafer-level 3D integration 'lith system-on-a-chip (SoC) and system-in-a-package (SiP) implementations is presented.

• Structural Engineering and Mechanics
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• 제43권1호
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• pp.1-13
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• 2012

A fast precise integration method (FPIM) is proposed for solving structural dynamics problems. It is based on the original precise integration method (PIM) that utilizes the sparse nature of the system matrices and especially the physical features found in structural dynamics problems. A physical interpretation of the matrix exponential is given, which leads to an efficient algorithm for both its evaluation and subsequently the solution of large-scale structural dynamics problems. The proposed algorithm is accurate, efficient and requires less computer storage than previous techniques.

• 대한화학회지
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• 제60권1호
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• pp.9-15
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• 2016

폭발성능이 높은 HMX와 폭발성능은 떨어지지만 안정성이 높은 LLM-116의 분자복합체인 HMX/LLM-116 공결정(cocrystal)의 폭발 속도, 폭발 압력 그리고 열역학적 안정성에 대하여 이론적으로 연구하였다. 각 분자 구조는 B3LYP/cc-pVTZ 수준까지 최적화 하였으며 가장 약한 방아쇠 결합(trigger bond)과 클러스터에 대한 결합에너지를 계산 하여 열역학적 안정성을 확인하였다. 보다 정확한 에너지를 계산하기 위해 MP2 이론 수준에서 한 점(single point) 에너지를 계산하였으며, monte carlo integration 계산을 통해 밀도를 계산 하였다. 엔탈피는 CBS-Q 이론 수준에서 계산하였으며, 폭발 속도와 폭발 압력은 Kamlet-Jacobs 방정식을 이용하여 계산하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.134-135
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• 2011

양자점은 전자와 양공을 3차원으로 속박 시키므로 기존의 bulk나 양자우물보다 양자점을 이용한 레이저 다이오드의 경우 낮은 문턱 전류, 높은 미분이득 및 온도 안전성의 장점이 있을 거라 기대되고 있다. 그러나, 양자점은 낮은 areal coverage 때문에 높은 속박효율을 얻지 못하고 있다. 이러한 양자점의 문제점을 해결하기 위해 양자점을 양자우물 안에 성장시켜 운반자들의 포획을 향상시키는 방법들이 연구되고 있다. 양자우물 안에 양자점을 넣으면 양자우물이 운반자들의 포획을 증가 시키고, 열적 방출도 억제하여 온도 안정성이 향상 되는 것으로 알려져 있다. 광통신 대역의 1.3 ${\mu}m$ 경우, GaAs계를 이용하여 InAs 양자점을 strained InGaAs 박막을 우물층으로 한 dot-in-a-well 구조의 연구는 몇몇 보고된 바 있다. 그러나 InP계를 사용하는 1.55 ${\mu}m$ 대역에서 dot-in-a-well구조의 연구는 아직 미미하다. 본 연구에서는 유기 금속 화학 증착법(metal organic chemical vapor deposition)을 이용하여 InP 기판 위에 InAs 양자점을 자발성장법으로 성장하였으며 dot-in-a-well 구조에서 우물층으로 1.35 ${\mu}m$ 파장의 $In_{0.69}Ga_{0.31}As_{0.67}P_{0.33}$ (1.35Q)를, 장벽층으로는 1.1 ${\mu}m$ 파장의 $In_{0.85}Ga_{0.15}As_{0.32}P_{0.68}$(1.1Q)를 사용하였다. 양자우물층과 장벽층은 모두 InP 기판과 격자가 일치하는 조건으로 성장하였다. III족 원료로는 trimethylindium (TMI)와 trimethylgalium (TMGa)을 사용하였으며 V족 원료 가스로는 $PH_3$ 100%, $AsH_3$ 100%를, carrier gas로는 $H_2$를 사용하였다. InP buffer층의 성장 온도는 640$^{\circ}C$이며 양자점 성장 온도는 520$^{\circ}C$이다. 양자점 형성은 원자력간 현미경(Atomic force microscopy)를 이용하여 확인하였으며, 박막의 결정성은 쌍결정 회절분석(Double crystal x-ray deffractometry)를 이용하여 확인하였다. 확인된 성장 조건을 이용하여 양자점 시료를 성장하였으며 광여기분광법(Photoluminescence)을 이용하여 광특성을 분석하였다. Fig. 1은 dot in a barrier 와 dot-in-a-well 시료의 성장구조이다. Fig. 1(a)는 일반적인 dot-in-a-barrier 구조로 InP buffer층을 성장하고 1.1Q를 100 nm 성장한 후 양자점을 성장하였다. 그 후 1.1Q 100 nm와 InP 100 nm로 capping하였다. Fig. 1(b)는 dot-in-a-well 구조로 InP buffer층을 성장하고 1.1Q를 100 nm 성장 후 1.35Q 우물층을 4 nm 성장하였다. 그 위에 InAs 양자점을 성장하였다. 그 후에 1.35Q 우물층을 4 nm 성장하고 1.1Q 100 nm와 InP 100 nm로 capping하였다. Fig. 2는 dot-in-a-barrier 시료와 dot-in-a-well 시료의 상온 PL data이다. Dot-in-a-barrier 시료의 PL 파장은 1544 nm이며 반치폭은 79.70 meV이다. Dot-in-a-well 시료의 파장은 1546 nm이며 반치폭은 70.80 meV이다. 두 시료의 PL 파장 변화는 없으며, 반치폭은 dot-in-a-well 시료가 8.9 meV 감소하였다. Dot-in-a-well 시료의 PL peak 강도는 57% 증가하였으며 적분강도(integration intensity)는 45%가 증가하였다. PL 데이터에서 높은 에너지의 반치폭 변화는 없으며 낮은 에너지의 반치폭은 8 meV 감소하였다. 적분강도 증가에서 dot-in-a-well 구조가 dot-in-a-barrier 구조보다 전자-양공의 재결합이 증가한다는 것을 알 수 있으며, 반치폭 변화로부터 특히 높은 에너지를 갖는 작은 양자점에서의 재결합이 증가 된 것을 알 수 있다. 이는 양자우물이 장벽보다 전자-양공의 구속력을 증가시키기 때문에 양자점에 전자와 양공의 공급을 증가시키기 때문이다. 따라서 낮은 에너지를 가지는 양자점을 모두 채우고 높은 에너지를 가지는 양자점까지 채우게 되므로, 높은 에너지를 가지는 양자점에서의 전자-양공 재결합이 증가되었기 때문이다. 뿐만 아니라 파장 변화 없이 PL peak 강도와 적분강도가 증가하고 낮은 에너지 쪽의 반치폭이 감소한 것으로부터 에너지가 낮은 양자점보다는 에너지가 높은 양자점에서의 전자-양공 재결합율이 급증하였음을 알 수 있다. 우리는 이와 같은 연구에서 InP계를 이용해 1.55 ${\mu}m$에서도 dot in a well구조를 성장 하여 더 좋은 특성을 낼 수 있으며 앞으로 많은 연구가 필요할 것이라 생각한다.