• 제목/요약/키워드: $V_s$

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SU-8 패시베이션을 이용한 솔루션 IZO-TFT의안정성 향상에 대한 연구 (Stability Enhancement of IZOthin Film Transistor Using SU-8 Passivation Layer)

  • 김상조;이문석
    • 전자공학회논문지
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    • 제52권7호
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    • pp.33-39
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    • 2015
  • 본 연구에서는 SU-8을 절연층으로 사용해 솔루션 공정을 바탕으로 하여 Indium Zinc Oxide(IZO) thin film transistor(TFT)의 안정성을 향상에 대해 연구하였다. 매우 점성이 강하며 negative lithography 용으로 사용되는 SU-8은 기계적, 화학적으로 높은 안정도를 가진다. 그리고 이 SU-8을 사용해 TFT층의 위에 스핀코팅을 사용해 절연막 층을 쌓고 photo lithography를 이용해 patterning을 하였다. SU-8층에 의한 positive bias stress(PBS)에 대한 전기적 특성 향상의 이유를 연구하기 위해 TFT에 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), Fourier transform infrared spectroscopy(FTIR) 분석을 시행하였다. SU-8을 절연층으로 한 TFT는 좋은 전기적 특성을 보였으며, 전류점멸비, 전자이동도, 문턱전압, subthreshold swing이 각각 $10^6$, $6.43cm^2/V{\cdot}s$, 7.1V, 0.88V/dec로 측정되었다. 그리고 3600초 동안 PBS를 가할 시 ${\Delta}V_{th}$는 3.6V로 측정되었다. 그러나 SU-8 층이 없는 경우 ${\Delta}V_{th}$는 7.7V 였다. XPS와 FTIR을 분석한 결과, SU-8 절연층이 TFT의 산소의 흡/탈착을 차단하는 특성에 의해 PBS에 강한 특성을 나타나게 함을 확인하였다.

ZnS 형광체의 결정구조에 따른 발광 특성 연구 (Research of luminescent characteristics due to the crystal structure of ZnS phosphors)

  • 박용규;성현호;조황신;이종찬;박대희
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2000년도 춘계학술대회 논문집 전자세라믹스 센서 및 박막재료 반도체재료 일렉트렛트 및 응용기술
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    • pp.18-21
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    • 2000
  • 진공 분위기에서 소성하여 ZnS 형광체를 제작하였다. ZnS 형광체는 소성온도가 $950^{\circ}C$ 이하인 경우 sphalerite 구조로 성장되었고, $1050^{\circ}C$ 이상인 경우 sphalerite 구조와 wurtize 구조의 공존이 확인되었다. Sphalerite 구조일 때 나타나는 460 nm를 중심으로 하는 발광 peak과 wurtize 구조일 때 나타나는 440 nm를 중심으로 하는 발광 peak은 ZnS 형광체 내에 형성된 $V_{Zn}$에 기인한다. Sphalerite 구조로 성장되었을 때 발광 스펙트럼에서 관측되는 528 nm를 중심으로 하는 발광 peak과 sphalerite와 wurtize 구조가 공존할 때 발광 스펙트럼에서 관측되는 515 nm를 중심으로 하는 발광 peak은 ZnS 형광체 내에 형성된 S의 결핍($V_s$) 준위로부터 가전자 띠로 복사 전이에 기인하는 것으로 설명된다.

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GROUP S3 MEAN CORDIAL LABELING FOR STAR RELATED GRAPHS

  • A. LOURDUSAMY;E. VERONISHA
    • Journal of applied mathematics & informatics
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    • 제41권2호
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    • pp.321-330
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    • 2023
  • Let G = (V, E) be a graph. Consider the group S3. Let g : V (G) → S3 be a function. For each edge xy assign the label 1 if ${\lceil}{\frac{o(g(x))+o(g(y))}{2}}{\rceil}$ is odd or 0 otherwise. g is a group S3 mean cordial labeling if |vg(i) - vg(j)| ≤ 1 and |eg(0) - eg(1)| ≤ 1, where vg(i) and eg(y)denote the number of vertices labeled with an element i and number of edges labeled with y (y = 0, 1). The graph G with group S3 mean cordial labeling is called group S3 mean cordial graph. In this paper, we discuss group S3 mean cordial labeling for star related graphs.

Vibrio alginolyticus가 Shewanella sp. SR-14의 미세조류 증식저해 활성에 미치는 영향 (Effect of Vibrio alginolyticus on the Algicidal Activity of Shewanella sp. SR-14)

  • 김지회;박희연;이태식;김신희;박정흠;장동석
    • 한국수산과학회지
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    • 제34권5호
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    • pp.430-434
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    • 2001
  • 미세조류 증식 저해균 Shewanella sp. SR-14와 연안해역에서 우점종으로 분포하는 세균인 Vibrio alginolyticus가 규조, Chaetoceros calcitrans의 증식에 미치는 영향 그리고 V. ajginolyticus가 Shewanella sp. SR-14의 C. calcitrans 증식저해 활성에 미치는 영향을 혼합배양으로 측정하였다. Shewsnella sp. SR-14와 해수에서 분리한 V. alginolyticus는 미세조류 배양용 무기배지에서 단독 또는 혼합 배양하여도 잘 증식하였으며, C. calcitrans와 혼합배양시 Shewanella sp. SR-14는 조류증식을 저해한 반면 V alginolyticus는 이 조류의 증식을 촉진하였다. 조류가 첨가된 배지에 Shewanella sp. SR-14의 최초 접종균수가 V. alginolyticus와 거의 같거나 1 log 정도 적게 접종되었을 때에는 C. calcitrans에 대한 Shewanella sp. SR-14의 증식 저해활성이 유지되었으나 V. alginolricus의 최초균수가 Shewanella sp. SR-14보다 3 log 이상 많았을 때에는 조류증식 저해활성이 나타나지 않았다.

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Offset 구조 Poly-Si TFT의 Negative Bias Stress 효과 (Negative Bias Stress Effect with Offset Structure in Poly-Si TFT's)

  • 이제혁;변문기;임동규;조봉희;김영호
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1998년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.141-144
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    • 1998
  • The electrical characteristics of poly-Si TFT's with offset structure by negative bias stress are systematically investigated as a function of offset length. The changes of electrical characteristics, V$\_$th/, off-current, on/off ratio, in the offset structured poly-Si TFT's are smaller than that of the conventional structured poly-Si TFT's under the stress condition (V$\_$ds/=20V, V$\_$gs/=-20V). It is found that the hot carrier effect by negative bias stress is suppressed by the offset structured poly-Si TFT's because the local electric field near the drain region is decreased by offset region.

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New Methods in the Technology of Electroluminescent Phosphors

  • Sychov, M.M.;Bahmet'ev, V.V.;Khavanova, L.V.;Kuznetsov, A.I.;Smimov, A.;Vasil'eva, I.V.;Mjakin, S.V.;Nakanishi, Y.
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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    • pp.1065-1070
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    • 2003
  • Controlling synthesis conditions of ZnS:Cu,Al and ZnS:Cu electroluminescent phosphors we optimized particle size, color properties and efficiency. Surface properties were studied by new method and showed correlation with luminescence as shown by the analysis of EL spectra with Fok-Alentsev method. Luminance and maintenance improvement was achieved by the electron-beam annealing due to additional decomposition of $ZnS-Cu_{2}S$ solid solution and formation of centers of blue luminescence.

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Synthesis of New 8-Formyl-4-methyl-7-hydroxy Coumarin Derivatives

  • Manidhar, D.M.;Rao, K. Uma Maheswara;Reddy, N. Bakthavatchala;Sundar, Ch. Syama;Reddy, C. Suresh
    • 대한화학회지
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    • 제56권4호
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    • pp.459-463
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    • 2012
  • 8-Formyl-4-Methyl-7-Hydroxy Coumarin Derivatives were synthesized via Penchem condensation followed by Duffs reaction. Treatment of this with N,N-di substituted cyano acetamides in the presence of piperdine afforded New 8-Formyl-4-Methyl-7-Hydroxy Coumarin Derivatives (7a-o). Their structures were characterized by IR, $^1H$ and $^{13}C$ NMR and Mass spectral and elemental analysis data.

On Some New Generalized Di erence Statistically Convergen Sequence Spaces De ned by a Sequence of Orlicz Function

  • Bekt, Cigdem Asma;Atici, Gulcan
    • Kyungpook Mathematical Journal
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    • 제50권3호
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    • pp.389-397
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    • 2010
  • In this paper we introduce the new generalized difference sequence space $\ell_\infty$($\Delta_v^n$, M,p,q,s), $\bar{c}$($\Delta_v^n$,M,p,q,s), $\bar{c_0}$($\Delta_v^n$,M,p,q,s), m($\Delta_v^n$,M,p,q,s) and $m_0$($\Delta_v^n$,M,p,q,s) defined over a seminormed sequence space (X,q). We study some of it properties, like completeness, solidity, symmetricity etc. We obtain some relations between these spaces as well as prove some inclusion result.

국내 암반지층의 전단파속도에 근거한 지진공학적 기반암 결정 (Earthquake Engineering Bedrock Based on the Shear Wave Velocities of Rock Strata in Korea)

  • 선창국
    • 지질공학
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    • 제24권2호
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    • pp.273-281
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    • 2014
  • 대부분의 내진설계 기준에서 설계지진지반운동은 기반암에서의 기준 스펙트럼과 지반동적 조건 정량화를 위한 부지증폭계수에 의해 정의된다. 특히, 지진공학적 기반암은 지진파가 증폭 없이 감쇠전파되는 기초적 지반구성층이다. 지진공학 관점에서 기반암을 파악하기 위하여, 원위치 탄성파시험으로 획득한 전단파속도($V_S$) 자료를 시추조사 시 구분되는 암반층에 대해 살펴보았다. 국내 연암에서 대부분의 $V_S$ 자료는 강지진 관측소 설치 시 고려되는 공학적 기반암의 최저 $V_S$ 값인 750 m/s에 비해 크게 나타났으나, 풍화암에서는 전체의 60 % 정도가 작게 나타났다. 따라서 국내 풍화암 하부의 연암 및 그 이상 경도의 암반층을 지진공학적 기반암으로 고려해야 한다.

동기발전기 회전자 계자접속부의 예각변형 방지구조에 관한 연구 (Study on The Preventive Structure of field Lead Connector's V-Notch on Synchronic)

  • 조지원;조창주
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2000년도 하계학술대회 논문집 B
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    • pp.937-939
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    • 2000
  • The preventive structure of field lead connector's V-notch on synchronous generator has been developed. The preventive structure of field lead, installed in the generator, prevent from V notch of field lead connector in rotor on daily start and stop (on-line). This development of study was performed at the Seoinchon combined cycle power plant on gas turbine generator. This preventive structure of field lead will be prevent from V-notch of field lead on synchronous generator's field.

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