Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.236.1-236.1
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2014
Compounds of Ga, such as gallium oxide (Ga2O3) and gallium nitride (GaN), are of interest due to its unique properties in semiconductor application. In particular, GaN has the potentially application for optoelectronic device such as light-emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) [1]. Nanoparticle is an interesting material due to its unique properties compared to the bulk equivalents. In this report, we develop a synthesizing method for gallium nitride nanoparticle using non-thermal plasma. For gallium source, the gallium is heated by thermal conduction of tungsten boat which is heated by eddy current induced from RF current in antenna. Nitrogen source for nanoparticle synthesis are from inductively coupled plasma with N2 gas. The synthesized nano particles are analyzed using field-emission scanning microscope (FESEM), transmission electron microscope (TEM) and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The synthesized particles are investigated and discussed in wide range of experiment conditions such as flow rate, pressure and RF power.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2010.06a
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pp.208-208
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2010
Indium zinc tin oxide (IZTO) thin films were studied as a possible alternative to indium tin oxide (ITO) films for providing low-cost transparent conducting oxide (TCO) for thin film photovoltaic devices. IZTO films were deposited onto glass substrates at room temperature. A dc/rf magnetron co-sputtering system equipped with a ceramic target of the same composition was used to deposit TCO films. Earlier studies showed that the resistivity value of $In_{0.6}Zn_{0.2}Sn_{0.2}O_{1.5}$ (IZTO20) films could be lowered to approximately $6{\times}10^{-4}ohm{\cdot}cm$ without sacrificing optical transparency and still maintaining amorphous structure through the optimization of process variables. The growth rate was kept at about 8 nm/min while the oxygen-to-argon pressure ratio varied from 0% to 7.5%. As-deposited films were always amorphous and showed strong oxygen pressure dependence of electrical resistivity and electron concentration values. Influence of forming gas anneal (FGA) at medium temperatures was also studied and proven effective in improving electrical properties. In this study, the chemical composition of the targets and the films varied around the $In_{0.6}Zn_{0.2}Sn_{0.2}O_{1.5}$ (IZTO20). It was the main objective of this paper to investigate how off-stoichiometry affected TCO characteristics including electrical resistivity and optical transmission. In addition to the composition effect, we have also studied how film properties changed with processing variables. IZTO thin films have shown their potential as a possible alternative to ITO thin films, in such way that they could be adopted in some applications where currently ITO and IZO thin films are being used. Our experimental results are compared to those obtained for commercial ITO thin films from solar cell application view point.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.374-374
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2012
Nowadays, Active Matrix Organic Light-Emitting Diodes (AM-OLEDs) are the superior display device due to their vivid full color, perfect video capability, light weight, low driving power, and potential flexibility. One of the advantages of AM-OLED over Liquid Crystal Display (LCD) lies in its flexibility. The potential flexibility of AM-OLED is not fully explored due to its sensitivity to moisture and oxygen which are readily present in atmosphere, and there are no flexible encapsulation layers available to protect these. Therefore, we come up with a new concept of Inorganic-Organic hybrid thin film as the encapsulation layer. Our Inorganic layer is Al2O3 and Organic layer is F-Alucone. We deposited these layers in vacuum state using Atomic Layer Deposition (ALD) and Molecular Layer Deposition (MLD) techniques. We found the results are comparable to commercial requirement of 10-6 g/m2 day for Water Vapor Transmission Rate (WVTR). Using ALD and MLD, we can control the exact thin film thickness and fabricate more dense films than chemical or physical vapor deposition methods. Moreover, this hybrid encapsulation layer potentially has both the flexibility of organic layers and superior protection properties of inorganic layer.
Interconnected meso/microporous activated carbons were prepared from pumpkin seeds using a simple chemical activation method. The porous carbon materials were prepared at different temperatures (PS-600, PS-700, PS-800, and PS-900) and demonstrated huge surface areas ($645-2029m^2g^{-1}$) with excellent pore volumes ($0.27-1.30cm^3g^{-1}$). The well-condensed graphitic structure of the prepared activated carbon materials was confirmed by Raman and X-ray diffraction analyses. The presence of heteroatoms (O and N) in the carbon materials was confirmed by X-ray photoemission spectroscopy. High resolution transmission electron microscopic images and selected area diffraction patters further revealed the porous structure and amorphous nature of the prepared electrode materials. The resultant porous carbons (PS-600, PS-700, PS-800, and PS-900) were utilized as electrode material for supercapacitors. To our delight, the PS-900 demonstrated a maximum specific capacitance (Cs) of $303F\;g^{-1}$ in 1.0 M $H_2SO_4 $ at a scan rate of 5 mV. The electrochemical impedance spectra confirmed the poor electrical resistance of the electrode materials. Moreover, the stability of the PS-900 was found to be excellent (no significant change in the Cs even after 6000 cycles).
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.162-162
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2016
We present multifunctional indium tin oxide (ITO) thin films formed at room temperature by a normal sputtering system equipped with a plasma limiter which effectively blocks the bombardment of energetic negative oxygen ions (NOIs). The ITO thin film possesses not only low resistivity but also high gas diffusion barrier properties even though it is deposited on a plastic substrate at room temperature without post annealing. Argon neutrals incident to substrates in the sputtering have an optimal energy window from 20 to 30 eV under the condition of blocking energetic NOIs to form ITO nano-crystalline structure. The effect of blocking energetic NOIs and argon neutrals with optimal energy make the resistivity decrease to $3.61{\times}10-4{\Omega}cm$ and the water vapor transmission rate (WVTR) of 100 nm thick ITO film drop to $3.9{\times}10-3g/(m2day)$ under environmental conditions of 90% relative humidity and 50oC, which corresponds to a value of ~ 10-5 g/(m2day) at room temperature and air conditions. The multifunctional ITO thin films with low resistivity and low gas permeability will be highly valuable for plastic electronics applications.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.35
no.3
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pp.133-140
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2002
The Ti-Si-N coating layers were synthesized on SKD 11 steel substrate by a DC reactive magnetron co-sputtering technique with separate Ti and Si targets. The high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analyses for the coating layers revealed that microstructure of Ti-Si-N layer was nanocomposite, consisting of nano-sized TiN crystallites surrounded by amorphous $Si_3$$N_4$ phase. The highest hardness value of about 39 GPa was obtained at the Si content of ~11at.%, where the microstructure had fine TiN crystallites (about 5nm in size) dispersed uniformly in amorphous matrix. As the Si content in Ti-Si-N films increased, the TiN crystallites became from aligned to randomly oriented microstructure, finer, and fully penetrated by amorphous phase. Free Si appeared in the layers due to the deficit of nitrogen source at higher Si content. Friction coefficient and wear rate of the Ti-Si-N coating layer significantly decreased with increase of relative humidity. The self-lubricating tribe-layers such as $SiO_2$ or (OH)$Si_2$ seemed to play an important role in the wear behavior of Ti-Si-N film against steel.
For the purpose of development of red color stain body, bone body which can be fired at 1180$^{\circ}C$ and has a higher degree of whiteness and transmission was developed and a property experiment depending on the content of $Fe_2O_3$ was performed. For manufacturing this body, 9% addition of bone ash to commercialized white body resulted in the best whiteness and proper physical characteristics. In an experiment of oxidized iron addition using this body as a basis, red color stain body fired up to 1150$^{\circ}C$ following the addition of 6% oxidized iron showed physical characteristics such as 5.4R color closer to theory color, 0.08% water absorption rate, 9.1% shrinkage, and 1861 kgf/$cm^2$ bending strength, which implies that this body is suitable for red color stain body.
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.63
no.10
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pp.1412-1416
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2014
We report thin-film organic moisture barriers based on polystyrene(PS) laminates deposition by PECVD for an encapsulation of OLEDs. The organic polystyrene thin-film has the benzene ring structure and high hydrophobic characteristics and it was polymerized by PECVD in dry process. Life time properties of Ca test were obtained 32 minutes at the RF 100W process conditions. From the AFM test, the roughness of multi-layer thin-film was more excellent rather than that of a single-layer thin-film. In addition, 5 layers of the multi-layer film properties were obtained 45 minutes. So that the optical and electrical properties were not affected with these plasma polymerized organic thin-film encapsulation. For life time improvement, the inorganic $Al_2O_3$ thin-film were deposited 5nm using ALD atomic layer deposition. The WVTR(Water Vaper Transmission Rate) value of hybrid thin-film encapsulation in the optimum process conditions was resulted by less than $10-3g/m^2/day$. From the results of experiment, plasma polymerized hybrid encapsulation was suggested as the flexible display applications.
A color filter was proposed and demonstrated by incorporating a subwavelength patterned 1-dimensional grating in poly silicon. It was produced by employing the laser interference lithography method, providing much wider effective area compared to the conventional e-beam lithography. A $SiO_2$ layer was introduced on top of the silicon grating layer as a mask for the etching of the silicon, facilitating the etching of the silicon layer. It was theoretically found that the selectivity of the filter was also improved thanks to the oxide layer. The parameters for the designed device include the grating pitch of 450 nm, the grating height of 100 nm and the oxide-layer height of 200 nm. As for the fabricated filter, the spectral pass band corresponded to the blue color centered at 470 nm and the peak transmission was about 40%. Within the effective area of $3{\times}3mm^2$, the variation in the relative transmission efficiency and in the center wavelength was less than 10% and 2 nm respectively. Finally, the influence of the angle of the incident beam upon the transfer characteristics of the device was investigated in terms of the rate of the relative transmission efficiency, which was found to be equivalent to 1.5%/degree.
To improve $Na^+$-saponite(SPT) film flexibility, we prepared SPT hybrid clay films with various poly(vinyl alcohol) (PVA) concentrations(0~10 wt%) using the solution intercalation method. In this study, we investigated the thermo-optical properties, morphology, and gas permeability of the SPT hybrid films. We also examined the relationship between the film properties and PVA content using wide angle X-ray diffraction measurements(XRD), field emission scanning electron microscopy(FESEM), differential scanning calorimetry(DSC), thermogravimetric analysis(TGA), thermomechanical analysis(TMA), ultraviolet-visible(UV-vis) spectroscopy, and oxygen transmission rate($O_2$TR) testing. The properties of the clay hybrid films were strongly affected by PVA filler content. The presence of a small amount of PVA was sufficient to improve the flexibility of SPT hybrid films.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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