Objectives : To evaluate the neuroprotective effects of modified Bo-Yang-Hwan-O-Tang (BHT), we investigated the neuronal death protection effects to oxidative damages in N2a neuroblastoma cells. Methods : To study the cytotoxic effect of BHT on N2a neuronal cells, the cell viability was determined by MTT assay. To investigate the neuronal death protection of BHT, N2a neuronal cells were induced oxidative damages by H2O2, and assayed the cell viability and DNA fragmentation. We also investigated DPPH free radical scavenging effects of BHT by tube test. Results : In MTT assay, $500{\mu}g/ml$ of BHT was not showed cytotoxic effect on N2a neuronal cells. BHT protected N2a neuronal cells from H2O2-induced cell death in a dose-dependent manner. BHT also protected N2a neuronal cells from H2O2-induced DNA fragmentation. BHT scavenged DPPH free radicals in a dose-dependent manner. Conclusion : These data suggest that BHT may have strong anti-oxidant effects through the free radical scavenging and neuroprotective effects in neuronal cells.
The effect of AlN on the thermal conductivity of aluminum oxide pressurelessly sintered at nitrogen atmos-phere was investigated. Increasing aluminium nitride content up to 1~10 mol% the thermal conductivity of $Al_{2}O_{3}$-AlN system was singnificantly decreased and was constant with adding 20 and 25 mol% aluminium nitride. The thermal conuctivity of $Al_{2}O_{3}$ containing 1~10 mol% the thermal conductivity of $Al_{2}O_{3}$-AlN system was singificantly decreased and was constant with adding 20 and 25mol% aluminum nitride. The thermal conctivity of $Al_{2}O_{3}$ containing 1~10 mol% AlN showed a maximum at $1700^{\circ}C$ and decrea-sed with increasing sintering tempertures. This phenomenon was attributed to $\alpha$-$Al_{2}O_{3}$ and ALON formed by reacting $Al_{2}O_{3}$ with AlN up to $1700^{\circ}C$ and the secondary phases such as ${\gamma}$-ALON ($9Al_{2}O_{3}$.AlN)and $\Phi$($5Al_{2}O_{3}$.AlN) phase above $1750^{\circ}C$ The thermal conductivity of $Al_{2}O_{3}$ containing 20 and 25 mol% AlN showed maximum value at $1800^{\circ}C$ Both $\alpha$-$Al_{2}O_{3}$ and ALON existed up to $1600^{\circ}C$ value at $1800^{\circ}C$ Both $\alpha$-$Al_{2}O_{3}$ and ALON existed up to $1600^{\circ}C$ while only AlON phase existed above $1650^{\circ}C$.
Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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2004.05a
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pp.67-71
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2004
400~450nm 파장 범위의 청색광을 검출하는 Si 포토다이오드에서 $SiO_2$, $Si_{3}N_{4}$, $SiO_{2}/Si_{3}N_{4}$를 광반사 방지막으로 사용하는 경우 광반사 방지막의 두께에 따른 표면 광반사 손실을 이론적으로 계산하였다. 400~450nm 청색 파장에서 $SiO_2$, $Si_{3}N_{4}$ 단일막에 대한 최소 광반사 손실은 각각 $d(SiO_2)=700~750{\AA}$ 와 $d(Si_{3}N_{4})=500${\AA}$에서 나타났으며, $SiO_{2}/Si_{3}N_{4}$ 이중막에 대한 최소 광반사 손실은 $d(SiO_{2}/Si_{3}N_{4})=750{\AA}/(180~200){\AA}$에서 나타났다.
$SiO_2{\cdot}B_2O_3$ was prepared by trimethylborate (TMB)/tetraethylorthosilicate (TEOS) mole ratio 0.01 at $800^{\circ}C$. PDMS[poly(dimethysiloxane)]-$SiO_2{\cdot}B_2O_3$ composite membranes were prepared by adding porous $SiO_2{\cdot}B_2O_3$ to PDMS. To investigate the characteristics of PDMS-$SiO_2{\cdot}B_2O_3$ composite membrane, we observed PDMS-$SiO_2{\cdot}B_2O_3$ composite membrane using TG-DTA, FT-IR, BET, X-ray, and SEM. PDMS-$SiO_2{\cdot}B_2O_3$ composite membrane was studied on the permeabilities of $H_2$ and $N_2$ and the selectivity ($H_2/N_2$). Following the results of TG-DTA, BET, X-ray, FT-IR, $SiO_2{\cdot}B_2O_3$ was the amorphous porous $SiO_2{\cdot}B_2O_3$ with $247.6868m^2/g$ surface area and $37.7821{\AA}$ the mean of pore diameter. According to the TGA measurements, the thermal stability of PDMS-$SiO_2{\cdot}B_2O_3$ composite membrane was enhanced by inserting $SiO_2{\cdot}B_2O_3$. SEM observation showed that the size of dispersed $SiO_2{\cdot}B_2O_3$ in the PDMS-$SiO_2{\cdot}B_2O_3$ composite membrane was about $1{\mu}m$. The increasing of $SiO_2{\cdot}B_2O_3$ content in PDMS leaded the following results in the gas permeation experiment: the permeability of both $H_2$ and $N_2$ was increased, and the permeability of $H_2$ was higher than $N_2$, but the selectivity($H_2/N_2$) was decreased.
Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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2008.05a
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pp.49-52
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2008
현재 산업사회의 발달과 더불어 신뢰성 높은 양질의 전기에너지와 운전 및 보수의 간편화, 계통운용의 신뢰성의 확보가 요구되고 있다. 또한 $SF_6$을 대체할 친환경적인 절연매체의 개발이 절실히 요구되고 있다. 이에 본 연구는 모의 GIS내 친환경적인 절연재료인 질소($N_2$)와 산소($O_2$)의 혼합가스($N_2:O_2=79:21$, $N_2:O_2=60:40$, $N_2:O_2=40:60$)의 기본적인 절연특성을 구명함으로서 각종 전력응용 설비의 절연매체로 사용가능함을 구명하고저 한다.
Generally, nitrogen (N) fertilization higher than the recommended dose is applied during vegetable cultivation for increasing in productivity. However, excessive N application rate beyond plant requirement could cause adverse environmental impact such as nitrate leaching and nitrous oxide emission. In this experiment, the impacts of N fertilization was studied on nitrous oxide ($N_2O$) emission to standardize the optimum fertilization level for minimizing of $N_2O$ emission as well as most of the crop productivity. Herein, we assessed the $N_2O$ emission in the flat upland soil which was cultivated with different N application rates on red pepper for 3 years (2010~2012). $N_2O$ emission was measured in chemical N fertilizer amounts 0 (N 0), 95 (N 0.5), 190 (N 1.0), $380(N_2.0)kgha^{-1}$ by using the abnormal shape chamber closed repeating three times. In average for 3 years, the total $N_2O$ emissions of each treatment in field of soybean were 2.110 (N 0), 3.165 (N 0.5), 5.039 (N 1.0), and $7.228(N_2.0)kgN_2Oha^{-1}yr^{-1}$, respectively. And then the primary regression between nitrogen fertilizer amount and the total $N_2O$ emission was showed as y = 0.0138x + 2.0942 ($r^2=0.9885$), and an average of the emission factor was $EF_1$ 0.0148(0.0118~0.0191) $N_2O-NkgN^{-1}kg^{-1}$ from 2010 to 2012. The result was a little higher than the emission default of the IPCC 1996 Guideline ($EF_1$ 0.0125) when the results are converted into $N_2O$ emission factor.
Okjung, Ju;Namgoo, Kang;Hoseup, Soh;Jung-Soo, Park
Korean Journal of Agricultural and Forest Meteorology
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v.24
no.4
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pp.285-294
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2022
In order to accurately calculate greenhouse gas emissions in the agricultural field, Korea has been developing national-specific emission factors through direct measurement of gas fluxes using the closed-chamber method. In the rice paddy, only national-specific emission factors for methane (CH4) have been developed. It is thus necessary to develop those for nitrous oxide (N2O) affected by the application of nitrogen fertilizer. However, since the concentration of N2O emission from rice cultivation is very low, the QA/QC methods such as method detection and practical quantification limits are important. In this study, N2O emission from a rice paddy was evaluated affected by the amount of nitrogen fertilizer, by taking into account both method detection and practical quantification limits for N2O concentration. The N2O emission from a rice paddy soils affected by the nitrogen fertilizer application was estimated in the following order. The method detection limit (MDL) of N2O concentration was calculated at 95% confidence level based on the pooled standard deviation of concentration data sets using a standard gas with 98 nmol mol-1 N2O 10 times for 3 days. The practical quantification limit (PQL) of the N2O concentration is estimated by multiplying 10 to the pooled standard deviation. For the N2O flux data measured during the rice cultivation period in 2021, the MDL and PQL of N2O concentration were 18 nmol mol-1 and 87 nmol mol-1, respectively. The measured values above the PQL were merely about 12% of the total data. The cumulative N2O emission estimated based on the MDL and PQL was higher than the cumulative emission without nitrogen fertilizer application. This research would contribute to improving the reliability in quantification of the N2O flux data for accurate estimates of greenhouse gas emissions and uncertainties.
The DFT and ab initio calculations have been performed to elucidate hydrogen interaction of HOOO-(H2O)n (n=1~5) clusters. The optimized geometries, harmonic vibrational frequencies, and binding energies are predicted at various levels of theory. The trans conformer of HOOO monomer is predicted to be thermodynamically more stable than cis form at the CCSD(T) level of theory. For HOOO-(H2O)n clusters, the geometries are optimized at B3LYP/aug-cc-pVTZ and CAM-B3LYP/aug-cc-pVTZ levels of theory. The binding energy of HOOO-H2O cluster is predicted to be 6.05 kcal/mol at the MP2//CAM-B3LYP/ aug-cc-pVTZ level of theory after zero-point vibrational energy (ZPVE) and basis set superposition error (BSSE) correction. The average binding energy per H2O is increased according to adding a H2O moiety in HOOO-(H2O)n clusters up to 7.2 kcal/mol for n=5.
The DFT and ab initio calculations have been performed to elucidate hydrogen interaction of hydrogen polyoxide dimers, $H_2O_n-H_2O_m$ (n=1-4, m=1-4). The optimized geometries, harmonic vibrational frequencies, and binding energies are predicted at various levels of theory. The harmonic vibrational frequencies of the molecules considered in this study show all real numbers implying true minima. The higher-order correlation effect were discussed to compare MP2 result with CCSD(T) single point energy. The binding energies were corrected for the zero-point vibrational energy (ZPVE) and basis set superposition errors (BSSE). The largest binding energy predicted at the CCSD(T)/cc-pVTZ level of theory is 8.18 kcal/mol for $H_2O_4-H_2O_3$ and the binding energy of water dimer is predicted to be 3.00 kcal/mol.
In the present work, the influence of oxide on the Cr-Si-N coatings was investigated for the Cr-Si-O-N coatings on AISI 304 and Si wafer deposited by hybrid system, which combines the DC magnetron sputtering technique and arc ion plating (AIP) using Cr and Si target in an $Ar/N_2/O_2$ gaseous mixture. As the O content in the Cr-Si-N coatings increased, the diffraction patterns of the Cr-Si-O-N coatings showed CrN and $Cr_2O_3$ phases. However, as the O content increased to 28.8 at.%, diffraction peak of $Cr_2O_3$ was disappeared in the Cr-Si-O-N coating. The $d_{200}$ value was decreased with increasing of O content. The average grain size increased from about 40 nm to 65 nm as the O content increased. The maximum micro-hardness of the Cr-Si-O-N coating was obtained 4507 Hk at the O content of 24.8 at.%. The average friction coefficient of the Cr-Si-O-N coatings was gradually decreased by increasing the O content and the average friction coefficient decreased from 0.37 to 0.25 by increasing the O content. These results indicated that amorphous phase was increased in the Cr-Si-O-N coatings by increasing of O content.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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